流片周期的長(zhǎng)短直接影響產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，中清航科通過(guò)流程優(yōu)化與資源調(diào)度，打造出行業(yè)的快速流片能力。針對(duì)成熟制程，建立 “綠色通道” 服務(wù)，將傳統(tǒng) 10 - 12 周的流片周期縮短至 6 - 8 周，其中掩膜版制作環(huán)節(jié)通過(guò)與掩膜廠的聯(lián)合加急，實(shí)現(xiàn) 72 小時(shí)快速交付。在晶圓生產(chǎn)階段，利用多晶圓廠資源池，根據(jù)客戶需求靈活調(diào)配產(chǎn)能，當(dāng)主供晶圓廠產(chǎn)能緊張時(shí)，48 小時(shí)內(nèi)可切換至備用晶圓廠，確保流片計(jì)劃不受影響。為讓客戶實(shí)時(shí)掌握進(jìn)度，開(kāi)發(fā)了流片進(jìn)度可視化平臺(tái)，通過(guò)甘特圖直觀展示各環(huán)節(jié)進(jìn)度，關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)完成后自動(dòng)推送通知，同時(shí)支持客戶在線查詢晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)與良率報(bào)告。去年某客戶的 5G 芯片因市場(chǎng)需求緊急，中清航科啟動(dòng)加急流片服務(wù)，將原本 8 周的周期壓縮至 5 周，幫助客戶提前搶占市場(chǎng)。中清航科失效分析報(bào)告，含F(xiàn)IB/SEM/TEM三級(jí)診斷結(jié)論。MPW流片代理廠家

中清航科的流片代理服務(wù)注重技術(shù)創(chuàng)新，每年投入營(yíng)收的 15% 用于研發(fā)。其研發(fā)團(tuán)隊(duì)專注于流片工藝優(yōu)化、數(shù)字化服務(wù)平臺(tái)開(kāi)發(fā)、新材料流片技術(shù)研究等領(lǐng)域，已申請(qǐng)發(fā)明專利 80 余項(xiàng)，其中 “一種基于人工智能的流片參數(shù)優(yōu)化方法” 獲得國(guó)家發(fā)明專利獎(jiǎng)。通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新，不斷提升服務(wù)質(zhì)量與技術(shù)水平，例如較新研發(fā)的流片良率預(yù)測(cè)模型，預(yù)測(cè)準(zhǔn)確率達(dá)到 92%，能幫助客戶提前識(shí)別潛在的良率風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于需要進(jìn)行軍民融合流片的客戶，中清航科提供符合標(biāo)準(zhǔn)的流片代理服務(wù)。其建立了流片流程，嚴(yán)格遵守國(guó)家保密規(guī)定，與具備生產(chǎn)資質(zhì)的晶圓廠合作，確保流片過(guò)程符合 GJB9001C 質(zhì)量管理體系要求。在流片過(guò)程中，實(shí)施更嚴(yán)格的質(zhì)量控制與追溯管理，每道工序都有詳細(xì)的記錄與簽字確認(rèn)，滿足可追溯性要求。已成功代理多個(gè)芯片的流片項(xiàng)目，涵蓋雷達(dá)、通信、導(dǎo)航等領(lǐng)域，產(chǎn)品通過(guò)了嚴(yán)格的鑒定。中芯國(guó)際 40nm流片代理供應(yīng)商家中清航科封裝測(cè)試聯(lián)動(dòng)服務(wù)，流片到封裝周期縮短至15天。

全球晶圓產(chǎn)能緊張的背景下，其流片周期的穩(wěn)定性至關(guān)重要。中清航科建立了多晶圓廠備份機(jī)制，為每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)匹配 2-3 家備選晶圓廠，當(dāng)主供廠商出現(xiàn)產(chǎn)能波動(dòng)時(shí)，可在 48 小時(shí)內(nèi)啟動(dòng)切換流程，確保流片計(jì)劃不受影響。去年某車規(guī)芯片客戶遭遇主晶圓廠火災(zāi)事故，中清航科只用 3 天就完成產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，將交付延期控制在 1 周內(nèi)，較大限度降低客戶損失。流片后的測(cè)試與分析是驗(yàn)證設(shè)計(jì)有效性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，中清航科配備了完整的芯片測(cè)試實(shí)驗(yàn)室，擁有 ATE 測(cè)試系統(tǒng)、探針臺(tái)等先進(jìn)設(shè)備，可提供 CP（晶圓級(jí)測(cè)試）與 FT（成品測(cè)試）服務(wù)。測(cè)試數(shù)據(jù)通過(guò)自主開(kāi)發(fā)的分析平臺(tái)進(jìn)行失效模式分類，生成詳細(xì)的良率分析報(bào)告，幫助客戶精確定位設(shè)計(jì)缺陷。其與第三方失效分析實(shí)驗(yàn)室的合作網(wǎng)絡(luò)，還可提供切片分析、SEM 成像等深度分析服務(wù)。

流片過(guò)程的復(fù)雜性往往讓設(shè)計(jì)企業(yè)望而生畏，中清航科通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)化流程再造，將流片環(huán)節(jié)拆解為 12 個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，每個(gè)節(jié)點(diǎn)都配備專屬技術(shù)人員負(fù)責(zé)。在項(xiàng)目啟動(dòng)階段，其 DFM 工程師會(huì)對(duì)客戶的 GDSII 文件進(jìn)行多方面審查，重點(diǎn)檢查光刻層對(duì)齊、金屬線寬等可制造性問(wèn)題，平均能提前發(fā)現(xiàn) 80% 的潛在生產(chǎn)隱患。進(jìn)入晶圓廠生產(chǎn)階段，項(xiàng)目經(jīng)理會(huì)建立每日進(jìn)度通報(bào)機(jī)制，通過(guò)可視化平臺(tái)實(shí)時(shí)展示晶圓生產(chǎn)狀態(tài)，包括清洗、光刻、蝕刻等各工序的完成情況。針對(duì)突發(fā)狀況，中清航科建立了三級(jí)應(yīng)急響應(yīng)體系，普通問(wèn)題 4 小時(shí)內(nèi)給出解決方案，重大問(wèn)題 24 小時(shí)內(nèi)協(xié)調(diào)晶圓廠技術(shù)團(tuán)隊(duì)共同處理，去年流片項(xiàng)目的按時(shí)交付率達(dá)到 98.7%，遠(yuǎn)超行業(yè)平均水平。中清航科支持10片工程批流片，快速驗(yàn)證設(shè)計(jì)修正。

未來(lái)流片技術(shù)將向更先進(jìn)制程、更高集成度發(fā)展，中清航科持續(xù)投入研發(fā)，構(gòu)建前瞻性的流片代理能力。在 3D IC 領(lǐng)域，與晶圓廠合作開(kāi)發(fā) TSV 與混合鍵合流片方案，支持芯片堆疊的高精度對(duì)準(zhǔn)，已成功代理多個(gè) 3D 堆疊芯片的流片項(xiàng)目，鍵合良率達(dá)到 99% 以上。針對(duì)量子芯片等前沿領(lǐng)域，組建專項(xiàng)技術(shù)團(tuán)隊(duì)，研究適合量子比特的特殊流片工藝，與科研機(jī)構(gòu)合作推進(jìn)量子芯片的流片驗(yàn)證。在智能制造方面，開(kāi)發(fā) AI 驅(qū)動(dòng)的流片參數(shù)優(yōu)化系統(tǒng)，通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)工藝參數(shù)對(duì)芯片性能的影響，實(shí)現(xiàn)流片參數(shù)的自動(dòng)優(yōu)化，目前該系統(tǒng)在成熟制程的測(cè)試中，可使良率提升 8% - 12%。通過(guò)持續(xù)創(chuàng)新，中清航科致力于為客戶提供面向未來(lái)的流片代理服務(wù)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破與創(chuàng)新發(fā)展。中清航科多項(xiàng)目晶圓服務(wù)，支持5家設(shè)計(jì)公司共享光罩。中芯國(guó)際 40nm流片代理供應(yīng)商家

流片合同法律審查中清航科服務(wù)，規(guī)避13項(xiàng)條款風(fēng)險(xiǎn)。MPW流片代理廠家

流片后的數(shù)據(jù)分析與反饋對(duì)產(chǎn)品優(yōu)化至關(guān)重要，中清航科為此開(kāi)發(fā)了專業(yè)的流片數(shù)據(jù)分析平臺(tái)。該平臺(tái)可對(duì)接晶圓廠的測(cè)試數(shù)據(jù)系統(tǒng)，自動(dòng)導(dǎo)入 CP 測(cè)試、FT 測(cè)試的原始數(shù)據(jù)，通過(guò)數(shù)據(jù)挖掘算法進(jìn)行多維度分析，包括良率分布、參數(shù)分布、失效模式等，生成直觀的可視化報(bào)告。針對(duì)低良率項(xiàng)目，技術(shù)團(tuán)隊(duì)會(huì)進(jìn)行根因分析，區(qū)分設(shè)計(jì)問(wèn)題與工藝問(wèn)題，提供具體的優(yōu)化建議，如調(diào)整光刻參數(shù)、優(yōu)化版圖設(shè)計(jì)等。平臺(tái)還支持多批次數(shù)據(jù)對(duì)比，幫助客戶跟蹤良率變化趨勢(shì)，識(shí)別持續(xù)改進(jìn)點(diǎn)。某客戶的射頻芯片流片后良率只為 65%，中清航科通過(guò)數(shù)據(jù)分析發(fā)現(xiàn)是金屬層刻蝕不均導(dǎo)致，提出優(yōu)化刻蝕時(shí)間與功率的建議，二次流片良率提升至 89%。MPW流片代理廠家