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普通晶閘管哪種好

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-17

普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫(huà)出它的波形(c)及(d),只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí),負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來(lái)得早,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早;Ug到來(lái)得晚,晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間,就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,常把交流電的半個(gè)周期定為180°,稱(chēng)為電角度。這樣,在U2的每個(gè)正半周,從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱(chēng)為控制角α;在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ。很明顯,α和θ都是用來(lái)表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?,改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,實(shí)現(xiàn)了可控整流。 通過(guò)門(mén)極觸發(fā)信號(hào),晶閘管模塊可實(shí)現(xiàn)對(duì)交流電的整流、逆變及調(diào)壓功能。普通晶閘管哪種好

晶閘管

可控硅(SiliconControlledRectifier)簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,是一種大功率電器元件,也稱(chēng)晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋F渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用。 單管模塊晶閘管電子元器件雙向晶閘管模塊可在交流電路的正負(fù)半周均導(dǎo)通,簡(jiǎn)化了交流調(diào)壓設(shè)計(jì)。

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雙向晶閘管的觸發(fā)特性與模式選擇

雙向晶閘管的觸發(fā)特性是其應(yīng)用的**,觸發(fā)模式的選擇直接影響電路性能。四種觸發(fā)模式中,模式 Ⅰ+(T2 正、G 正)觸發(fā)靈敏度*高,所需門(mén)極電流**小,適用于低功耗控制電路;模式 Ⅲ-(T2 負(fù)、G 負(fù))靈敏度*低,需較大門(mén)極電流,通常較少使用。實(shí)際應(yīng)用中,需根據(jù)負(fù)載類(lèi)型和電源特性選擇觸發(fā)模式。例如,對(duì)于感性負(fù)載(如電機(jī)),由于電流滯后于電壓,可能在電壓過(guò)零后仍有電流,此時(shí)應(yīng)選用模式 Ⅰ+ 和 Ⅲ+ 組合觸發(fā),以確保正負(fù)半周均能可靠導(dǎo)通。觸發(fā)電路設(shè)計(jì)時(shí),需考慮門(mén)極觸發(fā)電流(IGT)、觸發(fā)電壓(VGT)和維持電流(IH)等參數(shù)。IGT 過(guò)小可能導(dǎo)致觸發(fā)不可靠,過(guò)大則增加驅(qū)動(dòng)電路功耗。通過(guò) RC 移相網(wǎng)絡(luò)或光耦隔離觸發(fā)電路,可實(shí)現(xiàn)對(duì)雙向晶閘管觸發(fā)角的精確控制,滿(mǎn)足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

晶閘管的di/dt保護(hù)、dv/dt保護(hù)

晶閘管在實(shí)際應(yīng)用中面臨過(guò)壓、過(guò)流、di/dt 和 dv/dt 等應(yīng)力,必須設(shè)計(jì)完善的保護(hù)電路以確保其安全可靠運(yùn)行。
di/dt保護(hù)是防止晶閘管在導(dǎo)通瞬間因電流上升率過(guò)大而損壞的關(guān)鍵。過(guò)大的di/dt會(huì)導(dǎo)致結(jié)溫局部過(guò)高,甚至引發(fā)器件長(zhǎng)久性損壞。通常在晶閘管陽(yáng)極串聯(lián)電感(如空心電抗器)或采用飽和電抗器,限制di/dt在允許范圍內(nèi)(一般為幾十A/μs至幾百A/μs)。
dv/dt保護(hù)用于防止晶閘管在阻斷狀態(tài)下因電壓上升率過(guò)大而誤觸發(fā)。過(guò)高的dv/dt會(huì)使結(jié)電容充電電流增大,當(dāng)該電流超過(guò)門(mén)極觸發(fā)電流時(shí),晶閘管將誤導(dǎo)通。常用的dv/dt保護(hù)措施是在晶閘管兩端并聯(lián)RC緩沖電路,降低電壓上升率。 SCR(單向晶閘管)只能單向?qū)?,常用于整流電路?/p>

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晶閘管特點(diǎn)

可控硅(Silicon Controlled Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)SCR),是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱(chēng)為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。

“一觸即發(fā)”。但是,如果陽(yáng)極或控制極外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通??刂茦O的作用是通過(guò)外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。那么,用什么方法才能使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷呢?使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開(kāi)陽(yáng)極電源或使陽(yáng)極電流小于維持導(dǎo)通的最小值(稱(chēng)為維持電流)。如果晶閘管陽(yáng)極和陰極之間外加的是交流電壓或脈動(dòng)直流電壓,那么,在電壓過(guò)零時(shí),晶閘管會(huì)自行關(guān)斷。 逆導(dǎo)晶閘管(RCT)內(nèi)部集成二極管,適用于逆變電路。云南晶閘管哪里有賣(mài)

晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電壓(VGT)需滿(mǎn)足規(guī)格要求。普通晶閘管哪種好

單向晶閘管的參數(shù)選擇指南

在選擇單向晶閘管時(shí),需要綜合考慮多個(gè)參數(shù),以確保器件能夠滿(mǎn)足實(shí)際應(yīng)用的要求。額定通態(tài)平均電流是指晶閘管在正弦半波導(dǎo)通時(shí),允許通過(guò)的**平均電流。選擇時(shí),應(yīng)根據(jù)負(fù)載電流的大小,留出一定的余量,一般取額定電流為實(shí)際工作電流的 1.5-2 倍。額定電壓是指晶閘管能夠承受的**正向和反向電壓。選擇時(shí),額定電壓應(yīng)高于實(shí)際工作電壓的峰值,一般取額定電壓為工作電壓峰值的 2-3 倍。維持電流是指晶閘管維持導(dǎo)通狀態(tài)所需的**小電流。如果負(fù)載電流小于維持電流,晶閘管可能會(huì)自行關(guān)斷。此外,還需要考慮晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電流、觸發(fā)電壓、開(kāi)關(guān)時(shí)間等參數(shù)。在高頻應(yīng)用中,應(yīng)選擇開(kāi)關(guān)速度快的晶閘管,以減少開(kāi)關(guān)損耗。 普通晶閘管哪種好