1. 電阻檔測量將萬用表打到電阻檔，選擇適當?shù)牧砍蹋ǜ鶕?jù)被測二極管的型號和實際參數(shù)選擇），然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下，二極管的正向電阻應(yīng)該在幾十到幾百歐姆之間。如果測得電阻為零或者無窮大，則說明該二極管已經(jīng)短路或者斷路，存在故障。
2. 電壓檔測量將萬用表打到電壓檔，選擇適當?shù)牧砍蹋ǜ鶕?jù)被測二極管的型號和實際參數(shù)選擇），然后將紅黑表筆分別接觸二極管的兩端。正常情況下，二極管的正向電壓應(yīng)該為零或者接近于零，而反向電壓應(yīng)該為無窮大或者接近于無窮大。如果測得正向電壓過高或者反向電壓過低，則說明該二極管存在故障。 超快恢復二極管模塊可減少EMI噪聲，優(yōu)化電機驅(qū)動和逆變器的電磁兼容性。賽米控二極管價格多少錢

變?nèi)荻O管是一種利用PN結(jié)電容隨反向電壓變化的特性制成的特殊二極管。又稱壓控變?nèi)荻O管或可變電容二極管。其電容值可通過施加的反向電壓調(diào)節(jié)，常用于調(diào)諧電路，如收音機、電視機的頻道選擇，以及手機的天線匹配電路。在壓控振蕩器（VCO）和鎖相環(huán)（PLL）等高頻電路中，變?nèi)荻O管可替代機械可變電容，實現(xiàn)電子調(diào)諧，提高系統(tǒng)的可靠性和響應(yīng)速度。這種二極管在無線通信、射頻識別（RFID）及衛(wèi)星接收設(shè)備中具有重要應(yīng)用。 點觸型二極管批發(fā)開關(guān)電源的輸出端并聯(lián)肖特基二極管模塊，可實現(xiàn)多路輸出的自動均流。

光電二極管又稱光敏二極管。它的管殼上備有一個玻璃窗口，以便于接受光照。其特點是，當光線照射于它的PN結(jié)時，可以成對地產(chǎn)生自由電子和空穴，使半導體中少數(shù)載流子的濃度提高，在一定的反向偏置電壓作用下，使反向電流增加。因此它的反向電流隨光照強度的增加而線性增加。
當無光照時，光電二極管的伏安特性與普通二極管一樣。光電二極管作為光控元件可用于各種物體檢測、光電控制、自動報警等方面。當制成大面積的光電二極管時，可當作一種能源而稱為光電池。此時它不需要外加電源，能夠直接把光能變成電能。

P型和N型半導體P型半導體是在本征半導體（一種完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。
因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補這個空位，使硼原子成了不能移動的負離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導體仍呈中性。這種P型半導體中以空穴導電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。
N型半導體形成的原理和P型原理相似。在本征半導體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。
因此，在本征半導體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導體和P型半導體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴散，它們的擴散使原來交界處的電中性被破壞 賽米控快速恢復二極管模塊可降低開關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率，是光伏逆變器和UPS電源的理想選擇。

SiC肖特基二極管模塊利用寬禁帶材料（Eg=3.26eV）的特性實現(xiàn)超快開關(guān)。其金屬-半導體接觸形成的肖特基勢壘高度（ΦB≈1.2eV）決定了正向壓降（Vf≈1.5V@25℃）。與硅器件相比，SiC模塊的漂移區(qū)電阻降低90%（因臨界擊穿電場達3MV/cm），故1200V模塊的比導通電阻2mΩ·cm2。獨特的JBS（結(jié)勢壘肖特基）結(jié)構(gòu)在PN結(jié)和肖特基結(jié)并聯(lián)，使模塊在高溫下漏電流仍<1μA（175℃時）。羅姆的SiC模塊實測顯示，其反向恢復電荷（Qrr）為硅FRD的1/5，可使逆變器開關(guān)頻率提升至100kHz以上。 反向恢復電荷（Qrr）影響二極管模塊的開關(guān)損耗，高頻應(yīng)用需優(yōu)先選擇 Qrr 低的型號。IXYS二極管

根據(jù)封裝形式（如 TO-247、D2PAK），二極管模塊可適配不同散熱片安裝需求。賽米控二極管價格多少錢

二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)外加正向電壓V，在這個外加電場的作用下，PN結(jié)的平衡狀態(tài)被打破，P區(qū)中的空穴和N區(qū)的電子都往PN結(jié)方向移動，空穴和PN結(jié)P區(qū)的負離子中和，電子和PN結(jié)N區(qū)的正離子中和，這樣就使PN結(jié)變窄。隨著外加電場的增加，擴散運動進一步增強，漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓，PN結(jié)相當于一個阻值很小的電阻，也就是PN結(jié)導通。賽米控二極管價格多少錢