事實表明，無論是電力、機械、礦冶、交通、石油、能源、化工、輕紡等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，還是通信、激光、機器人、環(huán)保、原子能、航天等高技術(shù)產(chǎn)業(yè)，都迫切需要高質(zhì)量、高效率的電能。而電力電子正是將各種一次能源高效率地變?yōu)槿藗兯璧碾娔?，實現(xiàn)節(jié)能環(huán)保和提高人民生活質(zhì)量的重要手段，它已經(jīng)成為弱電控制與強電運行之間、信息技術(shù)與先進制造技術(shù)之間、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)自動化、智能化改造和興建高科技產(chǎn)業(yè)之間不可缺少的重要橋梁。而新型電力電子器件的出現(xiàn)，總是帶來一場電力電子技術(shù)的**。電力電子器件就好像現(xiàn)代電力電子裝置的心臟，它對裝置的總價值，尺寸、重量、動態(tài)性能，過載能力，耐用性及可靠性等，起著十分重要的作用 [3]。功率半導體器件主要包括三大類：功率模組、功率集成電路（即PowerIC，簡稱PIC，也稱功率IC）以及分立器件。南通500V至900V SJ超結(jié)MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET（Shielded Gate Trench MOSFET），是一種半新型的功率半導體器件。它基于傳統(tǒng)溝槽MOSFET技術(shù)，并通過結(jié)構(gòu)上的改進來提升性能，特別是在降低導通電阻和開關(guān)損耗方面表現(xiàn)出色。接下來，我們將詳細介紹SGT MOSFET的特點、優(yōu)勢以及應用領域。

SGT MOS的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)創(chuàng)新是將傳統(tǒng)MOSFET的單柵極拆分為兩個柵極：

控制柵（Control Gate）：位于溝槽頂部，直接控制溝道的開啟與關(guān)閉，與傳統(tǒng)MOSFET柵極功能類似。

屏蔽柵（Shield Gate）：位于溝槽側(cè)壁或底部，通常與源極連接（而非漏極），通過電場屏蔽效應優(yōu)化器件內(nèi)部的電場分布。垂直溝槽結(jié)構(gòu)：電流路徑垂直于芯片表面，縮短漂移區(qū)長度（Drift Region），降低導通電阻（Rds(on)）。 宿遷功率器件MOS產(chǎn)品選型價格比較TO-247 大功率表面貼裝封裝，3/4引腳設計，適配高功率MOSFET/IGBT（如電動汽車OBC）。

平面結(jié)構(gòu)晶體管的缺點是如果提高額定電壓，漂移層會變厚，因此導通電阻會增加。MOSFET的額定電壓取決于垂直方向的漂移區(qū)的寬度和摻雜參數(shù)。為了提高額定電壓等級，通常增加漂移區(qū)的寬度同時降低摻雜的濃度，但會造成MOSFET的導通電阻大幅增加。同時，也是為了克服平面MOSFET的局限性，超結(jié)MOSFET應運而生。超結(jié)MOSFET利用了一種創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設計，明顯降低了導通電阻，同時維持了高擊穿電壓。那么，接下來要重點討論超結(jié)MOSFET（super junction mosfet）。

超結(jié)MOS（Super Junction Metal-Oxide-Semiconductor，簡稱SJ-MOS）是電力電子領域中廣泛應用的一類功率器件，其主要特征是在傳統(tǒng)MOSFET基礎上引入了超結(jié)結(jié)構(gòu)，使其在高電壓、大電流條件下具備更優(yōu)越的性能。超結(jié)MOS器件相較于傳統(tǒng)的MOSFET有著更低的導通電阻和更高的耐壓性能，廣泛應用于高效能電力轉(zhuǎn)換領域，如開關(guān)電源、逆變器、電動汽車、光伏發(fā)電等。

超結(jié)MOSFET的優(yōu)勢

1、導通電阻大幅降低超結(jié)結(jié)構(gòu)***降低了高電壓應用中的導通電阻，減少了功率損耗，提高了能效。

2、耐壓性能優(yōu)異通過優(yōu)化電場分布，超結(jié)MOS在提高耐壓的同時避免了導通電阻的急劇增加，使其在高電壓應用中更具優(yōu)勢。

3、高頻開關(guān)性能優(yōu)越得益于超結(jié)結(jié)構(gòu)的設計，超結(jié)MOS具備出色的開關(guān)速度，適用于高頻開關(guān)電源和逆變器等應用。

4、工藝成熟，生產(chǎn)成本逐步降低隨著工藝的不斷成熟和批量生產(chǎn)能力的提升，超結(jié)MOS的生產(chǎn)成本逐步降低，推動了其在更多領域的廣泛應用。超結(jié)MOS的工藝雖然復雜，但其***的性能提升使其在電力電子領域成為不可或缺的器件，特別是在需要高效率、高功率密度和低能耗的應用場景中。 功率器件屬于分立器件，單獨封裝且功能不可拆分（如IGBT單管）；

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TO-3P/247TO247是一種常見的小外形封裝，屬于表面貼封裝類型，其中的“247”是封裝標準的編號。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。

TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開關(guān)管使用時，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點包括耐壓高、抗擊穿能力強等，特別適用于中壓大電流場合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場合。 SOT-89 帶散熱片的表面貼裝，適用于較高功率的小信號MOSFET?；窗补夥孀児β势骷﨧OS產(chǎn)品選型

功率器件廣泛應用于需高效電能轉(zhuǎn)換的場景。南通500V至900V SJ超結(jié)MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型

晶體管外形封裝（TO）

TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設計。這種封裝形式以其高耐壓和強抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應用中，TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。

雙列直插式封裝（DIP）

DIP封裝以其兩排引腳設計而聞名，被設計為插入到具有相應DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座中。DIP封裝還有其緊縮版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封裝類型多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP等，其優(yōu)勢在于與主板的兼容性較好。然而，DIP封裝由于其較大的封裝面積和厚度，可靠性相對較低。

外形晶體管封裝（SOT）

SOT是一種貼片型小功率晶體管封裝，其常見類型包括SOT23、SOT89等。這種封裝以小巧體積和良好可焊性見稱，廣泛應用于低功率場效應管中。

小外形封裝（SOP）

SOP（Small Out-Line Package）是一種表面貼裝型封裝方式，其引腳以L字形從封裝兩側(cè)引出。SOP封裝常用于MOSFET的封裝，其以塑料材質(zhì)輕便簡潔的封裝形式贏得廣泛應用。為了適應更高性能要求，又發(fā)展了諸如TSOP等新型封裝。

四邊無引線扁平封裝（QFN）

QFN是一種四邊配置有電極接點的封裝方式，其特點是無引線和具備優(yōu)異的熱性能。其應用主要集中在微處理器等領域，提供更優(yōu)的散熱能力。 南通500V至900V SJ超結(jié)MOSFET功率器件MOS產(chǎn)品選型

無錫商甲半導體有限公司在同行業(yè)領域中，一直處在一個不斷銳意進取，不斷制造創(chuàng)新的市場高度，多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價值理念的產(chǎn)品標準，在江蘇省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的商業(yè)口碑，成績讓我們喜悅，但不會讓我們止步，殘酷的市場磨煉了我們堅強不屈的意志，無錫商甲半導體供應攜手大家一起走向共同輝煌的未來，回首過去，我們不會因為取得了一點點成績而沾沾自喜，相反的是面對競爭越來越激烈的市場氛圍，我們做好迎接新挑戰(zhàn)的準備，要不畏困難，激流勇進，以一個更嶄新的精神面貌迎接大家，共同走向輝煌回來！