無(wú)錫商家半導(dǎo)體

TO-3P/247TO247是一種常見(jiàn)的小外形封裝，屬于表面貼封裝類(lèi)型，其中的“247”是封裝標(biāo)準(zhǔn)的編號(hào)。值得注意的是，TO-247封裝與TO-3P封裝都采用3引腳輸出，且內(nèi)部的裸芯片（即電路圖）可以完全相同，因此它們的功能和性能也基本一致，只是在散熱和穩(wěn)定性方面可能略有差異。

TO247通常是非絕緣封裝，這種封裝的管子常用于大功率的POWFR中。作為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)，它能夠承受較大的耐壓和電流，因此是中高壓大電流MOS管常用的封裝形式。該產(chǎn)品特點(diǎn)包括耐壓高、抗擊穿能力強(qiáng)等，特別適用于中壓大電流場(chǎng)合（電流10A以上，耐壓值在100V以下），以及120A以上、耐壓值200V以上的更高要求場(chǎng)合。 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（VF）又稱(chēng)VMOS場(chǎng)效應(yīng)管。在實(shí)際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)管更好的特性。鹽城工程功率器件MOS產(chǎn)品選型

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析

DPAK 封裝

DPAK 封裝也稱(chēng)為 TO-252 封裝，屬于表面貼裝封裝形式，兼具一定的散熱能力和較小的體積。它的底部有一個(gè)較大的金屬焊盤(pán)，可直接焊接在電路板上，增加了與電路板的接觸面積，有利于熱量傳導(dǎo)。DPAK 封裝的熱阻一般在 50 - 80℃/W，適用于功率在 10 - 30W 的電路，在汽車(chē)電子、電源適配器等領(lǐng)域應(yīng)用***。例如，在汽車(chē)的車(chē)燈控制電路中，DPAK 封裝的 MOS 管既能滿足功率需求，又能適應(yīng)汽車(chē)電路板緊湊的布局要求。

 D2PAK 封裝   

 D2PAK 封裝是 DPAK 封裝的升級(jí)版，也被稱(chēng)為 TO-263 封裝。它在 DPAK 封裝的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步增大了底部金屬焊盤(pán)的面積，散熱性能得到明顯提升，熱阻可降低至 30 - 50℃/W 。D2PAK 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 30 - 100W 的電路，如服務(wù)器電源、光伏逆變器等。其表面貼裝的形式也便于自動(dòng)化生產(chǎn)，提高了生產(chǎn)效率。 南京功率器件MOS產(chǎn)品選型大概價(jià)格多少功率器件廣泛應(yīng)用于需高效電能轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。

功率器件常見(jiàn)類(lèi)型：

功率二極管：**簡(jiǎn)單的功率器件，單向?qū)ǎㄍǔ３惺芨叻磯海?

功率 MOSFET：通過(guò)電壓控制的高速開(kāi)關(guān)管，在中低壓、中高頻應(yīng)用中效率高。

絕緣柵雙極晶體管：結(jié)合了MOSFET的高速開(kāi)關(guān)特性和BJT的大電流承載能力，是目前中高功率應(yīng)用（如變頻器、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)電源）的主力器件。

晶閘管：主要是可控硅整流器和門(mén)極可關(guān)斷晶閘管。前者常用于可控整流、交流調(diào)壓，后者在大功率領(lǐng)域仍有應(yīng)用。

寬禁帶半導(dǎo)體器件：如 SiC 功率器件（碳化硅） 和 GaN功率器件（氮化鎵）。這些是新一代高性能功率器件，具有更高的開(kāi)關(guān)頻率、更高的工作溫度、更低的損耗和更小的體積，正在迅速發(fā)展和應(yīng)用。

即是在大功率范圍應(yīng)用的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它也稱(chēng)作功率MOSFET，其優(yōu)點(diǎn)表現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：1. 具有較高的開(kāi)關(guān)速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會(huì)產(chǎn)生熱點(diǎn)，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進(jìn)行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強(qiáng)的過(guò)載能力。短時(shí)過(guò)載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓，可達(dá)2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時(shí)，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時(shí)，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓。給電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動(dòng)功率很小，對(duì)驅(qū)動(dòng)電路要求較低。由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電機(jī)調(diào)速，開(kāi)關(guān)電源等各種領(lǐng)域應(yīng)用的非常多。它屬于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的一種，具有驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)速度快、工作頻率高等特點(diǎn)。

單個(gè)電力電子器件能承受的正、反向電壓是一定的，能通過(guò)的電流大小也是一定的。因此，由單個(gè)電力電子器件組成的電力電子裝置容量受到限制。所以，在實(shí)用中多用幾個(gè)電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)形成組件，其耐壓和通流的能力可以成倍地提高，從而可極大地增加電力電子裝置的容量。器件串聯(lián)時(shí)，希望各元件能承受同樣的正、反向電壓；并聯(lián)時(shí)則希望各元件能分擔(dān)同樣的電流。但由于器件的個(gè)異性，串、并聯(lián)時(shí)，各器件并不能完全均勻地分擔(dān)電壓和電流。所以，在電力電子器件串聯(lián)時(shí)，要采取均壓措施；在并聯(lián)時(shí)，要采取均流措施。汽車(chē)電子?：電動(dòng)汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)、車(chē)載充電模塊（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器；揚(yáng)州焊機(jī)功率器件MOS產(chǎn)品選型

MOSFET具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓.鹽城工程功率器件MOS產(chǎn)品選型

功率MOSFET是70年代末開(kāi)始應(yīng)用的新型電力電子器件，適合于數(shù)千瓦以下的電力電子裝置，能***縮小裝置的體積并提高其性能，預(yù)期將逐步取代同容量的 GTR。功率MOSFET的發(fā)展趨勢(shì)是提高容量，普及應(yīng)用，與其他器件結(jié)合構(gòu)成復(fù)合管，將多個(gè)元件制成組件和模塊，進(jìn)而與控制線路集成在一個(gè)模塊中（這將會(huì)更新電力電子線路的概念）。此外，隨著頻率的進(jìn)一步提高，將出現(xiàn)能工作在微波領(lǐng)域的大容量功率MOSFET。這些參數(shù)反映了功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在開(kāi)關(guān)工作狀態(tài)下的瞬間響應(yīng)特性，在功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管用于電機(jī)控制等用途時(shí)特別有用。鹽城工程功率器件MOS產(chǎn)品選型