場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類(lèi)型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡(jiǎn)稱(chēng)MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱(chēng)為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)者。場(chǎng)效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它*靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱(chēng)單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫(xiě)成FET。晶體管?：含雙極結(jié)型晶體管（BJT）、MOSFET、IGBT等，兼具開(kāi)關(guān)與控制功能；紹興新型功率器件MOS產(chǎn)品選型歡迎選購(gòu)

關(guān)于選擇功率mosfet管的步驟:

1、找出應(yīng)用的所有參數(shù)，例如最大電壓、最大電流和工作溫度。

2、找出電路的總負(fù)載。

3、計(jì)算 MOSFET 所需的峰值電流和峰值負(fù)載。

4、找出系統(tǒng)的效率。

5、計(jì)算有損耗的負(fù)載。

6、增加安全系數(shù)（視操作溫度而定）。

7、檢查設(shè)備是否將作為雙向設(shè)備運(yùn)行。

關(guān)于MOSFET管的選型參數(shù)，這里只是簡(jiǎn)單的帶過(guò)一下，如果想要了解更為詳細(xì)的參數(shù)，歡迎聯(lián)系我們無(wú)錫商甲半導(dǎo)體有限公司，有專(zhuān)業(yè)人員為您提供專(zhuān)業(yè)選型服務(wù)及送樣。 蘇州新型功率器件MOS產(chǎn)品選型代理品牌由于這些明顯的優(yōu)點(diǎn)，功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管在電機(jī)調(diào)速，開(kāi)關(guān)電源等各種領(lǐng)域應(yīng)用的非常多。

功率MOSFET屬于電壓型控制器件。它依靠多數(shù)載流子工作,因而具有許多優(yōu)點(diǎn):能與集成電路直接相連；開(kāi)關(guān)頻率可在數(shù)兆赫以上（可達(dá)100MHz），比雙極型功率晶體管(GTR)至少高10倍；導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù),器件不易發(fā)生二次擊穿,易于并聯(lián)工作。與GTR相比，功率MOSFET的導(dǎo)通電阻較大，電流密度不易提高，在100kHz以下頻率工作時(shí),其功率損耗高于GTR。此外，由于導(dǎo)電溝道很窄（微米級(jí)）,單元尺寸精細(xì)，其制作也較GTR困難。在80年代中期,功率MOSFET的容量還不大（有100A/60V，75A/100V，5A/1000V等幾種）。

選擇mos管的重要參數(shù)

選擇MOS時(shí)至關(guān)重要的2個(gè)參數(shù)是導(dǎo)通電阻Rds(on) 和柵極電荷 Qg。決定 MOSFET 性能的其他一些重要參數(shù)是擊穿電壓、BVDSS 和體漏極二極管，當(dāng)器件用作功率二極管時(shí)必須考慮這些參數(shù)，例如在同步續(xù)流操作模式下，以及可能影響開(kāi)關(guān)時(shí)間和電壓尖峰的固有電容。

1、導(dǎo)通電阻，RDS(on)表示 MOS管 處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)漏極和源極端子之間的電阻。傳導(dǎo)損耗取決于它，RDS(on) 的值越低，傳導(dǎo)損耗越低。

2、總柵極電荷，QG表示柵極驅(qū)動(dòng)器打開(kāi)/關(guān)閉器件所需的電荷。

3、品質(zhì)因數(shù)，F(xiàn)oM是 RDS(on) 和 QG 的乘積，說(shuō)明了 MOSFET 的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。因此，MOS管 的效率取決于 RDS(on) 和 QG。

4、擊穿電壓，BVDSS 功率器件是電力電子領(lǐng)域的重要組件，處理高壓大電流，廣泛應(yīng)用于新能源、汽車(chē)電子和工業(yè)控制。

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體MOS 管封裝形式及散熱性能分析

TO-247 封裝

TO-247 封裝與 TO-220 封裝類(lèi)似，同樣屬于直插式封裝，但體積更大，引腳更粗。其散熱片面積也相應(yīng)增大，散熱能力更強(qiáng)，在自然對(duì)流條件下，熱阻約為 40 - 60℃/W 。TO-247 封裝能夠承受更高的功率，常用于功率在 50 - 150W 的大功率電路中，如工業(yè)電源、電動(dòng)汽車(chē)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路等。不過(guò)，由于其體積較大，在一些對(duì)空間要求嚴(yán)格的電路板上使用會(huì)受到限制。

SOT-23 封裝

SOT-23 封裝是一種表面貼裝封裝（SMT），具有體積小、占用電路板面積少的優(yōu)勢(shì)。它的引腳數(shù)量較少，一般為 3 - 5 個(gè)，采用塑料材質(zhì)封裝。但受限于較小的體積，SOT-23 封裝的散熱能力相對(duì)較弱，熱阻通常在 150 - 200℃/W 左右，適用于小功率電路，如消費(fèi)電子產(chǎn)品中的電源管理芯片、信號(hào)放大電路等。在這些場(chǎng)景中，MOS 管的功率消耗較小，產(chǎn)生的熱量有限，SOT-23 封裝能夠滿(mǎn)足基本的散熱需求。 MOSFET具有較高的開(kāi)啟電壓，即是閾值電壓.廣州應(yīng)用場(chǎng)景功率器件MOS產(chǎn)品選型哪里有

功率器件屬于分立器件，單獨(dú)封裝且功能不可拆分；功率IC則通過(guò)集成多個(gè)分立器件與外圍電路形成功能模塊。紹興新型功率器件MOS產(chǎn)品選型歡迎選購(gòu)

超結(jié)MOS的特點(diǎn):

1、低導(dǎo)通電阻通過(guò)在縱向結(jié)構(gòu)中引入多個(gè)P型和N型層的超結(jié)設(shè)計(jì)，極大地降低了功率器件的導(dǎo)通電阻，在高電壓應(yīng)用中尤為明顯。

2、高耐壓性傳統(tǒng)MOSFET在提高耐壓的同時(shí)會(huì)增加導(dǎo)通電阻，而超結(jié)結(jié)構(gòu)通過(guò)優(yōu)化電場(chǎng)分布，使其在保持高耐壓的同時(shí)仍能保持較低的導(dǎo)通電阻。

3、高效率超結(jié)MOS具有較快的開(kāi)關(guān)速度和低損耗特性，適用于高頻率、高效率的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

4、較低的功耗由于導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的降低，超結(jié)MOS在工作時(shí)的能量損耗也明顯減少，有助于提高系統(tǒng)的整體能效。 紹興新型功率器件MOS產(chǎn)品選型歡迎選購(gòu)