9.DIMM之前介紹的大部分規(guī)則都適合于在PCB上含有一個或更多的DIMM，獨有例外的是在DIMM里所要考慮到去耦因素同在DIMM組里有所區(qū)別。在DIMM組里，對于ADDR/CMD/CNTRL所采用的拓撲結構里，帶有少的短線菊花鏈拓撲結構和樹形拓撲結構是適用的。

10.案例上面所介紹的相關規(guī)則，在DDR2PCB、DDR3PCB和DDR3-DIMMPCB里，都已經得到普遍的應用。在下面的案例中，我們采用MOSAID公司的控制器，它提供了對DDR2和DDR3的操作功能。在SI仿真方面，采用了IBIS模型，其存儲器的模型來自MICRONTechnolgy，Inc。對于DDR3SDRAM的模型提供1333Mbps的速率。在這里，數據是操作是在1600Mbps下的。對于不帶緩存（unbufferedDIMM（MT_DDR3_0542cc）EBD模型是來自MicronTechnology，下面所有的波形都是采用通常的測試方法，且是在SDRAMdie級進行計算和仿真的。 DDR壓力測試的內容方案；校準DDR測試檢修

DDR測試

DDR4/5的協(xié)議測試除了信號質量測試以外，有些用戶還會關心DDR總線上真實讀/寫的數據是否正確，以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等，這時就需要進行相關的協(xié)議測試。DDR的總線寬度很寬，即使數據線只有16位，加上地址、時鐘、控制信號等也有30多根線，更寬位數的總線甚至會用到上百根線。為了能夠對這么多根線上的數據進行同時捕獲并進行協(xié)議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測試的基本方法是通過相應的探頭把被測信號引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運行解碼軟件進行協(xié)議驗證和分析。 校準DDR測試執(zhí)行標準DDR3信號質量自動測試軟件報告；

3.互聯(lián)拓撲對于DDR2和DDR3，其中信號DQ、DM和DQS都是點對點的互聯(lián)方式，所以不需要任何的拓撲結構，然而例外的是，在multi-rankDIMMs（DualInLineMemoryModules）的設計中并不是這樣的。在點對點的方式時，可以很容易的通過ODT的阻抗設置來做到阻抗匹配，從而實現(xiàn)其波形完整性。而對于ADDR/CMD/CNTRL和一些時鐘信號，它們都是需要多點互聯(lián)的，所以需要選擇一個合適的拓撲結構，圖2列出了一些相關的拓撲結構，其中Fly-By拓撲結構是一種特殊的菊花鏈，它不需要很長的連線，甚至有時不需要短線（Stub）。對于DDR3，這些所有的拓撲結構都是適用的，然而前提條件是走線要盡可能的短。Fly-By拓撲結構在處理噪聲方面，具有很好的波形完整性，然而在一個4層板上很難實現(xiàn)，需要6層板以上，而菊花鏈式拓撲結構在一個4層板上是容易實現(xiàn)的。另外，樹形拓撲結構要求AB的長度和AC的長度非常接近（如圖2）?？紤]到波形的完整性，以及盡可能的提高分支的走線長度，同時又要滿足板層的約束要求，在基于4層板的DDR3設計中，合理的拓撲結構就是帶有少短線（Stub）的菊花鏈式拓撲結構。

如何測試DDR？

DDR測試有具有不同要求的兩個方面：芯片級測試DDR芯片測試既在初期晶片階段也在封裝階段進行。采用的測試儀通常是內存自動測試設備，其價值一般在數百萬美元以上。測試儀的部分是一臺可編程的高分辨信號發(fā)生器。測試工程師通過編程來模擬實際工作環(huán)境；另外，他也可以對計時脈沖邊沿前后進行微調來尋找平衡點。自動測試儀（ATE）系統(tǒng)也存在缺陷。它產生的任意波形數量受制于其本身的后備映象隨機內存和算法生成程序。由于映象隨機內存深度的局限性，使波形只能在自己的循環(huán)內重復。因為DDR帶寬和速度是普通SDR的二倍，所以波形變化也應是其二倍。因此，測試儀的映象隨機內存容量會很快被消耗殆盡。為此，要保證一定的測試分辨率，就必須增大測試儀的內存。建立測試頭也是一個棘手的問題。因為DDR內存的數據讀取窗口有1—2ns，所以管腳驅動器的上升和下降時間非常關鍵。為保證在數據眼中心進行信號轉換，需要較好的管腳驅動器轉向速度。在頻率為266MHz時，開始出現(xiàn)傳輸線反射。設計工程師發(fā)現(xiàn)在設計測試平臺時必須遵循直線律。為保證信號的統(tǒng)一性，必須對測試頭布局進行傳輸線模擬。管腳驅動器強度必須能比較大限度降低高頻信號反射。 DDR在信號測試中解決的問題有那些；

DDR測試按照存儲信息方式的不同，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器SRAM(StaticRAM)和動態(tài)隨機存儲器DRAM(DynamicRAM)。SRAM運行速度較快、時延小、控制簡單，但是SRAM每比特的數據存儲需要多個晶體管，不容易實現(xiàn)大的存儲容量，主要用于一些對時延和速度有要求但又不需要太大容量的場合，如一些CPU芯片內置的緩存等。DRAM的時延比SRAM大，而且需要定期的刷新，控制電路相對復雜。但是由于DRAM每比特數據存儲只需要一個晶體管，因此具有集成度高、功耗低、容量大、成本低等特點，目前已經成為大容量RAM的主流，典型的如現(xiàn)在的PC、服務器、嵌入式系統(tǒng)上用的大容量內存都是DRAM。不同種類的DDR協(xié)議測試探頭；校準DDR測試執(zhí)行標準

用DDR的BGA探頭引出測試信號；校準DDR測試檢修

DDR測試

測試頭設計模擬針對測試的設計（DFT）當然收人歡迎，但卻不現(xiàn)實。因為自動測試儀的所需的測試時間與花費正比于內存芯片的存儲容量。顯然測試大容量的DDR芯片花費是相當可觀的。新型DDR芯片的通用DFT功能一直倍受重視，所以人們不斷試圖集結能有效控制和觀察的內部節(jié)點。DFT技術，如JEDEC提出的采用并行測試模式進行多陣列同時測試。不幸的是由于過于要求芯片電路尺寸，該方案沒有被采納。DDR作為一種商品，必須比較大限度減小芯片尺寸來保持具有競爭力的價位。 校準DDR測試檢修