實(shí)際的電源完整性是相當(dāng)復(fù)雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號(hào)的切換頻率和PCB耗電網(wǎng)絡(luò)。對(duì)于PCB設(shè)計(jì)來(lái)說(shuō)，目標(biāo)阻抗的去耦設(shè)計(jì)是相對(duì)來(lái)說(shuō)比較簡(jiǎn)單的，也是比較實(shí)際的解決方案。在DDR的設(shè)計(jì)上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細(xì)在JEDEC里有敘述。通過(guò)電源層的平面電容和用的一定數(shù)量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個(gè)左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴(yán)格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過(guò)一兩個(gè)去耦電容就可以達(dá)到目標(biāo)阻抗的要求。由于Vref相當(dāng)重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對(duì)VTT的布線是具有相當(dāng)大的挑戰(zhàn)性，因?yàn)樗恢灰袊?yán)格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過(guò)此電流的大小可以很容易的就計(jì)算出來(lái)。終，可以通過(guò)增加去耦電容來(lái)實(shí)現(xiàn)它的目標(biāo)阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢(shì)，所以，去耦電容的數(shù)量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細(xì)的計(jì)算和仿真可以通過(guò)EDA工具來(lái)實(shí)現(xiàn)。DDR測(cè)試USB眼圖測(cè)試設(shè)備？天津DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對(duì)于一塊受PCB層數(shù)約束的基板（如4層板）來(lái)說(shuō)，其所有的信號(hào)線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當(dāng)使用6層來(lái)走線時(shí)，設(shè)計(jì)一種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)變得更加容易，同時(shí)由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性?；ヂ?lián)通道的另一參數(shù)阻抗，在DDR2的設(shè)計(jì)時(shí)必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號(hào)上，且做到阻抗匹配，而對(duì)于差分信號(hào)，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號(hào)終端，比如CLOCK和DQS信號(hào)。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設(shè)置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設(shè)計(jì)時(shí)，單端信號(hào)的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設(shè)計(jì)到ADDR/CMD/CNTRL信號(hào)線上，這已經(jīng)被證明有很多的優(yōu)點(diǎn)。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據(jù)SI仿真的結(jié)果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號(hào)的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。浙江DDR測(cè)試聯(lián)系人DDR測(cè)試系統(tǒng)和DDR測(cè)試方法與流程；

DDR測(cè)試

DDRSDRAM即我們通常所說(shuō)的DDR內(nèi)存，DDR內(nèi)存的發(fā)展已經(jīng)經(jīng)歷了五代，目前DDR4已經(jīng)成為市場(chǎng)的主流，DDR5也開(kāi)始進(jìn)入市場(chǎng)。對(duì)于DDR總線來(lái)說(shuō)，我們通常說(shuō)的速率是指其數(shù)據(jù)線上信號(hào)的快跳變速率。比如3200MT/s,對(duì)應(yīng)的工作時(shí)鐘速率是1600MHz。3200MT/s只是指理想情況下每根數(shù)據(jù)線上比較高傳輸速率，由于在DDR總線上會(huì)有讀寫(xiě)間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換時(shí)間、高阻態(tài)時(shí)間、總線刷新時(shí)間等，因此其實(shí)際的總線傳輸速率達(dá)不到這個(gè)理想值。

克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室

地址：深圳市南山區(qū)南頭街道中祥路8號(hào)君翔達(dá)大廈A棟2樓H區(qū)

這里有三種方案進(jìn)行對(duì)比考慮：一種是，通過(guò)過(guò)孔互聯(lián)的這個(gè)過(guò)孔附近沒(méi)有任何地過(guò)孔，那么，其返回路徑只能通過(guò)離此過(guò)孔250mils的PCB邊緣來(lái)提供；第二種是，一根長(zhǎng)達(dá)362mils的微帶線；第三種是，在一個(gè)信號(hào)線的四周有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞著。圖6顯示了帶有60Ohm的常規(guī)線的S-Parameters，從圖中可以看出，帶有四個(gè)地過(guò)孔環(huán)繞的信號(hào)過(guò)孔的S-Parameters就像一根連續(xù)的微帶線，從而提高了S21特性。

由此可知，在信號(hào)過(guò)孔附近缺少返回路徑的情況下，則此信號(hào)過(guò)孔會(huì)增高其阻抗。當(dāng)今的高速系統(tǒng)里，在時(shí)延方面顯得尤為重要。 DDR規(guī)范里關(guān)于信號(hào)建立保持是的定義；

   克勞德高速數(shù)字信號(hào)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室致敬信息論創(chuàng)始人克勞德·艾爾伍德·香農(nóng)，以成為高數(shù)信號(hào)傳輸測(cè)試界的帶頭者為奮斗目標(biāo)。

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什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？天津DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠

什麼是DDR內(nèi)存？如何測(cè)試？

近幾年來(lái)，CPU的速度呈指數(shù)倍增長(zhǎng)。然而，計(jì)算機(jī)內(nèi)存的速度增長(zhǎng)確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內(nèi)存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內(nèi)存作為PC工業(yè)的內(nèi)存解決方案。在內(nèi)存技術(shù)不斷發(fā)展的時(shí)代，每一種新技術(shù)的出現(xiàn)，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內(nèi)存峰值帶寬定義為：內(nèi)存總線寬度/8位X數(shù)據(jù)速率。該參數(shù)的提高會(huì)在實(shí)際使用過(guò)程中得到充分體現(xiàn)：3維游戲的速度更快，MP3音樂(lè)的播放更加柔和，MPEG視頻運(yùn)動(dòng)圖像質(zhì)量更好。今年，一種新型內(nèi)存：DDR內(nèi)存面世了。對(duì)大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，DDR仍然是一個(gè)陌生的名詞，然而，它確是數(shù)以百計(jì)前列內(nèi)存和系統(tǒng)設(shè)計(jì)師3年來(lái)通力合作的結(jié)晶。DDR的出現(xiàn)預(yù)示著內(nèi)存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內(nèi)存相比更重要的一點(diǎn)是DDR的價(jià)格更低。 天津DDR測(cè)試價(jià)格優(yōu)惠