在顯示器件方面,錄象磁頭、高密度錄象帶以及平面顯示裝置的透明導(dǎo)電膜、攝像管光導(dǎo)膜、顯示管熒光屏的鋁襯等也都是采用真空鍍膜法制備。在元件方面,在真空中蒸發(fā)鎳鉻,鉻或金屬陶瓷可以制造電阻,在塑料上蒸發(fā)鋁、一氧化硅、二氧化鈦等可以制造電容器,蒸發(fā)硒可以得到靜電復(fù)印機用的硒鼓、蒸發(fā)鈦酸鋇可以制造磁致伸縮的起聲元件等等。真空蒸發(fā)還可以用于制造超導(dǎo)膜和慣性約束巨變反應(yīng)用的微珠鍍層。此外還可以對珠寶、鐘表外殼表面、紡織品金屬花紋、金絲銀絲線等蒸鍍裝飾用薄膜,以及采用濺射鍍或離子鍍對刀具、模具等制造超硬膜。近兩年內(nèi)所興起的多弧離子鍍制備鈦金制品,如不銹鋼薄板、鏡面板、包柱、扶手、高級床托架、樓梯欄桿等目前正在...
使用等離子體增強氣相沉積法(PECVD)可在低溫(200-350℃)沉積出良好的氧化硅薄膜,已被普遍應(yīng)用于半導(dǎo)體器件工藝當(dāng)中。在LED工藝當(dāng)中,因為PECVD生長出的氧化硅薄膜具有結(jié)構(gòu)致密,介電強度高、硬度大等優(yōu)點,而且氧化硅薄膜對可見光波段吸收系數(shù)很小,所以氧化硅被用于芯片的絕緣層和鈍化層。評價氧化硅薄膜的質(zhì)量,較簡單的方法是采用BOE腐蝕氧化硅薄膜,腐蝕速率越慢,薄膜質(zhì)量越致密,反之,腐蝕速率越快,薄膜質(zhì)量越差。另外,沉積速率的快慢也會影響到薄膜的質(zhì)量,沉積速率過快,會導(dǎo)致氧化硅薄膜速率過快,說明薄膜質(zhì)量比較差。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所。薄膜應(yīng)力的起源是薄膜生長過程中的某種結(jié)構(gòu)不完整性、表...