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電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜，集成電路。另有一種厚膜集成電路，是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。從1949年到1957年，維爾納·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、...

估測溫度系數(shù)αt 先在室溫t1下測得電阻值Rt1，再用電烙鐵作熱源，靠近熱敏電阻Rt，測出電阻值RT2，同時用溫度計測出此時熱敏電阻RT表面的平均溫度t2再進行計算。7 壓敏電阻的檢測。用萬用表的R×1k擋測量壓敏電阻兩引腳之間的正、反向絕緣電阻，均為無窮大，...

計算機系統(tǒng)和大規(guī)模集成電路的使用，徹底改變了人們設(shè)計思想，對設(shè)計人員提出了很高的要求，更重要的是測試儀器可以直接采用***的計算機成果，使儀器的更新?lián)Q代速度與計算機保持同步。國內(nèi)測試儀器的總體技術(shù)水平：通用臺式儀器：微波毫米波儀器門類基本齊全，寬帶...

大功率電源轉(zhuǎn)換交流電和直流電的相互轉(zhuǎn)換對于電器的使用十分重要，是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉(zhuǎn)換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高，禁帶寬度寬，熱導(dǎo)性高，因此SiC半導(dǎo)體器件十分適合應(yīng)用在功率密度和開關(guān)頻率高的場合，電源轉(zhuǎn)換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高...

檢測電位器的活動臂與電阻片的接觸是否良好。用萬用表的歐姆檔測“1”、“2”(或“2”、“3”)兩端，將電位器的轉(zhuǎn)軸按逆時針方向旋至接近“關(guān)”的位置，這時電阻值越小越好。再順時針慢慢旋轉(zhuǎn)軸柄，電阻值應(yīng)逐漸增大，表頭中的指針應(yīng)平穩(wěn)移動。當(dāng)軸柄旋至極端位置“3”時，...

公司規(guī)模雖不大，但擁有專業(yè)的團隊和先進的技術(shù)，能夠為客戶提供高質(zhì)量的產(chǎn)品和服務(wù)。無錫微原電子科技有限公司在行業(yè)內(nèi)具有一定的**度和影響力。隨著科技的飛速發(fā)展，無錫微原電子科技有限公司將繼續(xù)加大在技術(shù)研發(fā)方面的投入，致力于開發(fā)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的**技術(shù)和產(chǎn)品，特...

將一光源對準(zhǔn)光敏電阻的透光窗口，此時萬用表的指針應(yīng)有較大幅度的擺動，阻值明顯減些 此值越小說明光敏電阻性能越好。若此值很大甚至無窮大，表明光敏電阻內(nèi)部開路損壞，也不能再繼續(xù)使用。C 將光敏電阻透光窗口對準(zhǔn)入射光線，用小黑紙片在光敏電阻的遮光窗上部晃動，使其間斷...

雙極型晶體管它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成，其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)，另一個稱為集電結(jié)。兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時，發(fā)射結(jié)處于正向偏置，集電極處于反向偏...

集成電路技術(shù)的進步，主要是更小的特征和更大的芯片，使得集成電路中晶體管的數(shù)量每兩年翻一番，這種趨勢被稱為摩爾定律。這種增加的容量已被用于降低成本和增加功能。一般來說，隨著特征尺寸的縮小，集成電路操作的幾乎每個方面都得到改善。每個晶體管的成本和每個晶體管的開...

糾纏量子光源2023年4月，德國和荷蘭科學(xué)家組成的國際科研團隊***將能發(fā)射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 。原子級薄晶體管2023年，美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團隊開發(fā)出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二...

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導(dǎo)體晶片或介質(zhì)基片上，然后封裝在一個管殼內(nèi)。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術(shù)制成...

中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。 五個部分意義如下： ***部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導(dǎo)體/集成電路領(lǐng)域的服務(wù)商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導(dǎo)體器件、電子測量儀器、電子元器件等相...

在2005年，一個制造廠（通常稱為半導(dǎo)體工廠，常簡稱fab，指fabrication facility）建設(shè)費用要超過10億美元，因為大部分操作是自動化的。 [1]制造過程芯片制作完整過程包括芯片設(shè)計、晶片制作、封裝制作、測試等幾個環(huán)節(jié)，其中晶片制作過程尤為的...

分類： 集成電路的分類方法很多，依照電路屬模擬或數(shù)字，可以分為：模擬集成電路、數(shù)字集成電路和混合信號集成電路（模擬和數(shù)字在一個芯片上）。數(shù)字集成電路可以包含任何東西，在幾平方毫米上有從幾千到百萬的邏輯門、觸發(fā)器、多任務(wù)器和其他電路。這些電路的小尺寸使...

糾纏量子光源2023年4月，德國和荷蘭科學(xué)家組成的國際科研團隊***將能發(fā)射糾纏光子的量子光源完全集成在一塊芯片上 。原子級薄晶體管2023年，美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團隊開發(fā)出一種低溫生長工藝，可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維（2D）過渡金屬二...

電路制造在半導(dǎo)體芯片表面上的集成電路又稱薄膜，集成電路。另有一種厚膜集成電路，是由**半導(dǎo)體設(shè)備和被動組件，集成到襯底或線路板所構(gòu)成的小型化電路。從1949年到1957年，維爾納·雅各比（WernerJacobi）、杰弗里·杜默（JeffreyDummer）、...

在通信和雷達等***裝備中，主要靠高靈敏度、低噪聲的半導(dǎo)體接收器件接收微弱信號。隨著微波通信技術(shù)的迅速發(fā)展，微波半導(dǎo)件低噪聲器件發(fā)展很快，工作頻率不斷提高，而噪聲系數(shù)不斷下降。微波半導(dǎo)體器件由于性能優(yōu)異、體積小、重量輕和功耗低等特性，在防空反導(dǎo)...

芯片是一種集成電路，由大量的晶體管構(gòu)成。不同的芯片有不同的集成規(guī)模，大到幾億；小到幾十、幾百個晶體管。晶體管有兩種狀態(tài)，開和關(guān)，用1、0來表示。多個晶體管產(chǎn)生的多個1與0的信號，這些信號被設(shè)定成特定的功能（即指令和數(shù)據(jù)），來表示或處理字母、數(shù)字、顏色和圖形等。...

半導(dǎo)體的分類，按照其制造技術(shù)可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導(dǎo)體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應(yīng)用領(lǐng)域、設(shè)計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分...

測量儀器是將被測量轉(zhuǎn)換成可供直接觀察的指示值儀器，包括各類指示儀器，比較儀器，記錄儀器，傳感儀器和變送器等。直接測量在測量過程中，能夠直接將被測量與同類標(biāo)準(zhǔn)量進行比較，或能夠直接用事先刻度好的測量儀器對被測量進行測量，直接獲得數(shù)值的測量稱為直接測量。間接測量當(dāng)...

電源變壓器的檢測A 通過觀察變壓器的外貌來檢查其是否有明顯異?，F(xiàn)象。如線圈引線是否斷裂，脫焊，絕緣材料是否有燒焦痕跡，鐵心緊固螺桿是否有松動，硅鋼片有無銹蝕，繞組線圈是否有外露等。B 絕緣性測試。用萬用表R×10k擋分別測量鐵心與初級，初級與各次級、鐵心與各次...

對于正、負極標(biāo)志不明的電解電容器，可利用上述測量漏電阻的方法加以判別。即先任意測一下漏電阻，記住其大小，然后交換表筆再測出一個阻值。兩次測量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表筆接的是正極，紅表筆接的是負極。D 使用萬用表電阻擋，采用給電解電容進行正、反向充電...

---中國國產(chǎn)化加速在美國多次擾亂全球芯片供應(yīng)鏈之后，芯片供不應(yīng)求的局面正在不斷蔓延。在大眾、通用等多家汽車制造商因芯片短缺而被迫宣布減產(chǎn)之后，近期美國科技巨頭蘋果似乎也因為芯片供應(yīng)不足，而將停止生產(chǎn)iPhone 12 mini。 雪上加霜的是，在全球芯片供...

在使用自動測試設(shè)備（ATE）包裝前，每個設(shè)備都要進行測試。測試過程稱為晶圓測試或晶圓探通。晶圓被切割成矩形塊，每個被稱為晶片（“die”）。每個好的die被焊在“pads”上的鋁線或金線，連接到封裝內(nèi)，pads通常在die的邊上。封裝之后，設(shè)備在晶圓探通中使用...

光電探測器光電探測器的功能是把微弱的光信號轉(zhuǎn)換成電信號，然后經(jīng)過放大器將電信號放大，從而達到檢測光信號的目的。光敏電阻是**早發(fā)展的一種光電探測器。它利用了半導(dǎo)體受光照后電阻變小的效應(yīng)。此外，光電二極管、光電池都可以用作光電探測元件。十分微...

基爾比之后半年，仙童半導(dǎo)體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實用。諾伊斯的設(shè)計由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結(jié)，這也是集成電路背后的關(guān)鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數(shù)字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號...

1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關(guān)。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)展史上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶...

發(fā)展歷史 1965-1978年 創(chuàng)業(yè)期1965年，***批國內(nèi)研制的晶體管和數(shù)字電路在河北半導(dǎo)體研究所鑒定成功。1968年，上海無線電十四廠**制成PMOS（P型金屬-氧化物-半導(dǎo)體）集成電路。 1970年，北京878廠、上海無線電十九廠建成投...