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二、晶閘管模塊的應(yīng)用領(lǐng)域晶閘管模塊的應(yīng)用范圍較為廣闊，涵蓋了幾乎所有需要電力電子轉(zhuǎn)換和控制的領(lǐng)域。在電力行業(yè)，晶閘管模塊被廣泛應(yīng)用于高壓直流輸電（HVDC）和柔**流輸電系統(tǒng)（FACTS）中。作為換流閥的關(guān)鍵部件，晶閘管模塊能夠?qū)崿F(xiàn)大功率電能的遠(yuǎn)距離傳輸，同時(shí)...

(2) 在風(fēng)機(jī)吊裝完后，吊裝變壓器直接就位于基礎(chǔ)上，利用千斤頂進(jìn)行找平、找正。(3) 按廠家規(guī)定的固定方式（螺接或焊接）進(jìn)行變壓器與基礎(chǔ)之間的連接。(4) 若為分體到貨，在變壓器安裝找正后，進(jìn)行外殼的安裝。(5) 懸掛標(biāo)志牌，清掃變壓器箱體內(nèi)部。(6) 在下一...

4、故障解除：當(dāng)整流器故障時(shí)，發(fā)出燈光報(bào)警信號(hào)并停機(jī)，操作人員應(yīng)在排除故障以后可 合閘，否則將擴(kuò)大故障范圍，造成更大損失，故障排除后，可將 K 主令開關(guān)置一下，除去電 笛聲，排除故障后，然后按正常運(yùn)行程序開機(jī)。5、起動(dòng)后，直流輸出電壓或電流達(dá)不到額定值則丟脈沖...

一、結(jié)構(gòu)與工作原理結(jié)構(gòu)：晶閘管是由四層半導(dǎo)體材料（P-N-P-N）組成的三端器件，具有三個(gè)電極：陽(yáng)極（A）、陰極（K）和控制極或稱為門極（G）。工作原理：當(dāng)陽(yáng)極接正向電壓，而控制極無觸發(fā)電壓或觸發(fā)電壓不足以使內(nèi)部的三極管導(dǎo)通時(shí)，晶閘管處于阻斷狀態(tài)，電流不能流過...

功率半導(dǎo)體模塊就是按一定功能、模式的組合體，功率半導(dǎo)體模塊是大功率電子電力器件按一定的功能組合再灌封成一體。功率半導(dǎo)體模塊可根據(jù)封裝的元器件的不同實(shí)現(xiàn)不同功能，功率半導(dǎo)體模塊配用風(fēng)冷散熱可作風(fēng)冷模塊，配用水冷散熱可作水冷模塊等。功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半...

TCR的響應(yīng)迅速，典型的響應(yīng)時(shí)間為1．5～3個(gè)周期。實(shí)際的響應(yīng)時(shí)間是測(cè)量延遲、TCR控制器的參數(shù)和系統(tǒng)強(qiáng)度的函數(shù)。如果對(duì)TCR采用電壓控制的正常運(yùn)行區(qū)域就被壓縮到一條特性曲線上。這種特性曲線體現(xiàn)了補(bǔ)償器的硬電壓控制特性，它將系統(tǒng)電壓精確地穩(wěn)定在電壓設(shè)定值%上。...

1、智能功率模塊（ipms） 智能功率模塊的特點(diǎn)在于除了功率半導(dǎo)體器件外，還有驅(qū)動(dòng)電路。許多ipm模塊也配備了溫度傳感器和電流平衡電路或用于電流測(cè)量的分流電阻。通常智能功率模塊也集成了額外保護(hù)和監(jiān)測(cè)功能，如過電流和短路保護(hù)，驅(qū)動(dòng)器電源電壓控制和直流母線電壓測(cè)...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅...

(2) 認(rèn)真核對(duì)變壓器基礎(chǔ)橫、縱軸線尺寸及預(yù)埋管位置，并與圖紙所給尺寸核對(duì)，無誤后方可進(jìn)行下一步工作。2.2 變壓器開箱檢查(1) 變壓器到貨后開箱檢查時(shí)，應(yīng)會(huì)同業(yè)主、監(jiān)理及廠家的有關(guān)人員一同檢查。(2) 在卸車前測(cè)量和記錄沖擊記錄器的沖擊值，這個(gè)數(shù)值應(yīng)小于3...

該電子為p+n-p晶體管的少數(shù)載流子，從集電極襯底p+層開始流入空穴，進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制（雙極工作），所以可以降低集電極－發(fā)射極間飽和電壓。在發(fā)射極電極側(cè)形成n+pn－寄生晶體管。若n+pn－寄生晶體管工作，又變成p+n－ pn+晶閘管。電流繼續(xù)流動(dòng)，直到輸出側(cè)停...

普通晶閘管是一種半可控大功率半導(dǎo)體器件，出現(xiàn)于70年代。pnpn四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陽(yáng)極、陰極和門極。 晶閘管具有硅整流器件的特性，能在高電壓、大電流條件下工作，它的出現(xiàn)使半導(dǎo)體器件由弱電領(lǐng)域擴(kuò)展到強(qiáng)電領(lǐng)域。普通晶閘管t在工作過程中，它的陽(yáng)極a和陰極k與...

四、直流輸電用這類整流變壓器的電壓一般在110kV以上，容量在數(shù)萬千伏安。需特別注意對(duì)地絕緣的交、直流疊加問題。 此外還有電鍍用或電加工用直流電源，勵(lì)磁用直流電源，充電用及靜電除塵用直流電源等。應(yīng)用整流變**多的化學(xué)行業(yè)中，大功率整流裝置也是二次電壓低，電流...

光控晶閘管：通過光照度觸發(fā)導(dǎo)通，具有很強(qiáng)的抗干擾能力和良好的高壓絕緣性能。特點(diǎn)：體積小、效率高、壽命長(zhǎng)。能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備。反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷。無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音。但靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差，容易受干擾而誤導(dǎo)通。三、主要參數(shù)...

右圖給出自耦式12脈沖變壓整流器，變壓器用于產(chǎn)生滿足整流器要求的兩組三相電壓，兩組三相電壓（Va''，Vb''，Vc''）與(Va'，Vb'，Vc')分別超前與滯后于輸入三相電壓15°，兩組三相電壓輸出分別連接到整流橋1和整流橋2，整流橋輸出通過平衡電抗器并聯(lián)...

（2）可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求（1）工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍...

電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。電壓測(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先，可以把從陰極向上數(shù)的***、二、三層...

1、柵極上的噪聲電平在有電噪聲的環(huán)境中，如果柵極上的噪聲電壓超過VGT，并有足夠的柵電流激發(fā)可控硅(晶閘管)內(nèi)部的正反饋，則也會(huì)被觸發(fā)導(dǎo)通。應(yīng)用安裝時(shí)，首先要使柵極外的連線盡可能短。當(dāng)連線不能很短時(shí)，可用絞線或屏蔽線來減小干擾的侵入。在然后G與MT1之間加一個(gè)...

（3）器身：器身絕緣墊塊均采用**度的層壓木和層壓紙板支撐，使繞組的端部的支撐面積達(dá)到95%以上，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品抗短路能力，提高產(chǎn)品的運(yùn)行可靠性。器身與箱蓋的連接采用了呆板帶緩沖結(jié)構(gòu)，克服了器身“懸空”和“頂蓋”現(xiàn)象。絕緣材料均采用**度、高密度電纜紙包繞，...

它的缺點(diǎn)是對(duì)電網(wǎng)無功沖擊大，從而產(chǎn)生較大的起動(dòng)壓降;它的高次諧波會(huì)影響電網(wǎng)電壓波形，干擾其他用電設(shè)備;它的運(yùn)行功率因數(shù)低等。但整流變壓器采取特殊接線，電樞回路的晶閘管整流器分成兩組串接，采取所謂“順序控制”方法，可以減少無功的需要量，可以消除危害較大的5次和7...

E 節(jié)能照明：隧道照明，路燈照明，攝影照明，舞臺(tái)燈光F 化學(xué)工業(yè)：蒸餾蒸發(fā)，預(yù)熱系統(tǒng)，管道加熱，石油化工，溫度補(bǔ)償G 其它行業(yè)：鹽浴爐，工頻感應(yīng)爐，淬火爐溫控，熱處理爐溫控，金剛石壓機(jī)加熱，大功率充磁/退磁設(shè)備，航空電源調(diào)壓，中央空調(diào)電加熱器溫控，紡織機(jī)械，水...

PNPN四層組成(2)可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。(3)可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷。(4)可控硅的特性主要是:1.陽(yáng)極伏安特性曲線，2.門極伏安特性區(qū)。(5)應(yīng)在額定參數(shù)范圍...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，...

在這r1個(gè)分段TCR中，只有一個(gè)分段TCR的觸發(fā)角是受控的，其他的分段TCR要么是全導(dǎo)通，要么是全關(guān)斷，以吸收制定量的無功功率。由于每個(gè)分段TCR的電感增加了rl倍，因此受控TCR的容量就減小了n倍，受控TCR產(chǎn)生的諧波相對(duì)于額定基波電流也減小了n倍。采用上述...

散熱性能好：模塊設(shè)計(jì)通?？紤]了散熱問題，能夠在高功率下穩(wěn)定工作。在使用晶閘管模塊時(shí)，需要注意其工作環(huán)境、散熱設(shè)計(jì)以及觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，以確保其正常運(yùn)行和延長(zhǎng)使用壽命。晶閘管（Thyristor）是一種半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。它是一種具有四層半導(dǎo)體材料...

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊。由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)...

IGBT是強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。MOSFET由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征，IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET...

一個(gè)有趣的趨勢(shì)是將標(biāo)準(zhǔn)模塊升級(jí)為ipm?？芍苯踊蚴褂脦?qū)動(dòng)電路（通過彈簧連接）的適配器板來進(jìn)行升級(jí)。賽米控的skypertm驅(qū)動(dòng)器是這方面理想的產(chǎn)品。 2、集成子系統(tǒng) 所有這些ipm的共同點(diǎn)是真實(shí)的“智能”，即將設(shè)定點(diǎn)值轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)脈沖序列的控制器不包含在模...

絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IGBT ...