先進(jìn)的封裝應(yīng)用、復(fù)雜的互連方案和更高性能的功率器件的快速增長給故障定位和分析帶來了前所未有的挑戰(zhàn)。有缺陷或性能不佳的半導(dǎo)體器件通常表現(xiàn)出局部功率損耗的異常分布，導(dǎo)致局部溫度升高。RTTLIT系統(tǒng)利用鎖相紅外熱成像進(jìn)行半導(dǎo)體器件故障定位，可以準(zhǔn)確有效地定位這些目標(biāo)區(qū)域。LIT是一種動態(tài)紅外熱成像形式，與穩(wěn)態(tài)熱成像相比，其可提供更好的信噪比、更高的靈敏度和更高的特征分辨率。LIT可在IC半導(dǎo)體失效分析中用于定位線路短路、ESD缺陷、氧化損壞、缺陷晶體管和二極管以及器件閂鎖。LIT可在自然環(huán)境中進(jìn)行，無需光屏蔽箱。電激勵模塊是通過源表向被測物體施加周期性方波電信號，通過焦耳效應(yīng)使物體產(chǎn)生周期性的溫度波動。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統(tǒng)工作原理

鎖相熱成像系統(tǒng)的電激勵方式在電子產(chǎn)業(yè)的多層電路板檢測中優(yōu)勢明顯，為多層電路板的生產(chǎn)質(zhì)量控制提供了高效解決方案。多層電路板由多個導(dǎo)電層和絕緣層交替疊加而成，層間通過過孔實(shí)現(xiàn)電氣連接，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，在生產(chǎn)過程中容易出現(xiàn)層間短路、盲孔堵塞、絕緣層破損等缺陷。這些缺陷會導(dǎo)致電路板的電氣性能下降，甚至引發(fā)短路故障。電激勵能夠通過不同層的線路施加電流，使電流在各層之間流動，缺陷處會因電流分布異常而產(chǎn)生溫度變化。鎖相熱成像系統(tǒng)可以通過檢測層間的溫度變化，精細(xì)定位缺陷的位置和類型。例如，檢測層間短路時，系統(tǒng)會發(fā)現(xiàn)短路點(diǎn)處的溫度明顯高于周圍區(qū)域；檢測盲孔堵塞時，會發(fā)現(xiàn)對應(yīng)位置的溫度分布異常。與傳統(tǒng)的 X 射線檢測相比，該系統(tǒng)的檢測速度更快，成本更低，而且能夠直觀地顯示缺陷的位置，助力多層電路板生產(chǎn)企業(yè)提高質(zhì)量控制水平。長波鎖相紅外熱成像系統(tǒng)功能系統(tǒng)的邏輯是通過 “周期性激勵 - 熱響應(yīng) - 鎖相提取 - 特征分析” 的流程，將內(nèi)部結(jié)構(gòu)差異轉(zhuǎn)化為熱圖像特征。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。

電子產(chǎn)業(yè)的功率器件檢測中，電激勵的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，為功率器件的安全可靠運(yùn)行提供了有力保障。功率器件如 IGBT、MOSFET 等，在工作過程中需要承受大電流、高電壓，功耗較大，容易因內(nèi)部缺陷而產(chǎn)生過熱現(xiàn)象，進(jìn)而導(dǎo)致器件損壞，甚至引發(fā)整個電子系統(tǒng)的故障。通過施加接近實(shí)際工況的電激勵，鎖相熱成像系統(tǒng)能夠模擬功率器件的真實(shí)工作狀態(tài)，實(shí)時檢測器件表面的溫度分布。系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)芯片內(nèi)部的熱斑、柵極缺陷、導(dǎo)通電阻異常等問題，這些問題往往是功率器件失效的前兆。檢測獲得的溫度分布數(shù)據(jù)還能為功率器件的設(shè)計和生產(chǎn)提供重要參考，幫助工程師優(yōu)化器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝，提高產(chǎn)品的可靠性。例如，在新能源汽車的電機(jī)控制器功率器件檢測中，該系統(tǒng)能夠檢測出器件內(nèi)部的微小熱斑，提前預(yù)警潛在故障，保障新能源汽車的行駛安全。鎖相熱紅外電激勵成像主動加熱，適用于定量和深層缺陷檢測，被動式檢測物體自身溫度變化，用于定性檢測。

當(dāng)電子設(shè)備中的某個元件發(fā)生故障或異常時，常常伴隨局部溫度升高。熱紅外顯微鏡通過高靈敏度的紅外探測器，能夠捕捉到極其微弱的熱輻射信號。這些探測器通常采用量子級聯(lián)激光器等先進(jìn)技術(shù)，或其他高性能紅外傳感方案，具備寬溫區(qū)、高分辨率的成像能力。通過對熱輻射信號的精細(xì)探測與分析，熱紅外顯微鏡能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備表面的溫度分布以高對比度的熱圖像形式呈現(xiàn)，直觀展現(xiàn)熱點(diǎn)區(qū)域的位置、尺寸及溫度變化趨勢，從而幫助工程師快速鎖定潛在的故障點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)高效可靠的故障排查。紅外熱成像模塊功能是實(shí)時采集被測物體表面的紅外輻射信號，轉(zhuǎn)化為隨時間變化的溫度分布圖像序列。國產(chǎn)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)訂制價格

電激勵與鎖相熱成像系統(tǒng)，推動無損檢測發(fā)展。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統(tǒng)工作原理

致晟光電的一體化檢測設(shè)備，不僅是技術(shù)的集成，更是對半導(dǎo)體失效分析邏輯的重構(gòu)。它讓 “微觀觀測” 與 “微弱信號檢測” 不再是選擇題，而是能同時實(shí)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)配置。在國產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，這類自主研發(fā)的失效分析檢測設(shè)備，正逐步打破國外品牌在半導(dǎo)體檢測領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅實(shí)的設(shè)備支撐。未來隨著第三代半導(dǎo)體、Micro LED 等新興領(lǐng)域的崛起，對失效分析的要求將進(jìn)一步提升，而致晟光電的技術(shù)探索，無疑為行業(yè)提供了可借鑒的創(chuàng)新路徑。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統(tǒng)工作原理