電子產(chǎn)業(yè)的存儲(chǔ)器芯片檢測(cè)中，電激勵(lì)的鎖相熱成像系統(tǒng)發(fā)揮著獨(dú)特作用，為保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)安全提供了有力支持。存儲(chǔ)器芯片如 DRAM、NAND Flash 等，是電子設(shè)備中用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的關(guān)鍵部件，其存儲(chǔ)單元的質(zhì)量直接決定了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性。存儲(chǔ)單元若存在缺陷，如氧化層擊穿、接觸不良等，會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失、讀寫錯(cuò)誤等問題。通過對(duì)存儲(chǔ)器芯片施加電激勵(lì)，進(jìn)行讀寫操作，缺陷存儲(chǔ)單元會(huì)因電荷存儲(chǔ)異常而產(chǎn)生異常溫度。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠定位這些缺陷單元的位置，幫助制造商在生產(chǎn)過程中篩選出合格的存儲(chǔ)器芯片，提高產(chǎn)品的合格率。例如，在檢測(cè)固態(tài)硬盤中的 NAND Flash 芯片時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)存在壞塊的存儲(chǔ)單元區(qū)域，這些區(qū)域在讀寫操作時(shí)溫度明顯升高。通過標(biāo)記這些壞塊并進(jìn)行屏蔽處理，能夠有效保障數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的安全，推動(dòng)電子產(chǎn)業(yè)存儲(chǔ)領(lǐng)域的健康發(fā)展。利用周期性調(diào)制的熱激勵(lì)源對(duì)待測(cè)物體加熱，物體內(nèi)部缺陷會(huì)導(dǎo)致表面溫度分布產(chǎn)生周期性變化。RTTLIT鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制

致晟光電的一體化檢測(cè)設(shè)備，不僅是技術(shù)的集成，更是對(duì)半導(dǎo)體失效分析邏輯的重構(gòu)。它讓 “微觀觀測(cè)” 與 “微弱信號(hào)檢測(cè)” 不再是選擇題，而是能同時(shí)實(shí)現(xiàn)的標(biāo)準(zhǔn)配置。在國(guó)產(chǎn)替代加速推進(jìn)的背景下，這類自主研發(fā)的失效分析檢測(cè)設(shè)備，正逐步打破國(guó)外品牌在半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域的技術(shù)壟斷，為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展提供堅(jiān)實(shí)的設(shè)備支撐。未來隨著第三代半導(dǎo)體、Micro LED 等新興領(lǐng)域的崛起，對(duì)失效分析的要求將進(jìn)一步提升，而致晟光電的技術(shù)探索，無疑為行業(yè)提供了可借鑒的創(chuàng)新路徑。工業(yè)檢測(cè)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)廠家鎖相熱成像系統(tǒng)提升電激勵(lì)檢測(cè)的抗干擾能力。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測(cè)手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號(hào)。它將紅外探測(cè)與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達(dá)微米級(jí)，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點(diǎn)、電子器件熱分布等。非接觸式測(cè)量是其一大優(yōu)勢(shì)，無需與被測(cè)物體直接接觸，避免了對(duì)樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測(cè)。實(shí)時(shí)成像功能可追蹤動(dòng)態(tài)熱變化，如材料相變、化學(xué)反應(yīng)熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學(xué)科實(shí)驗(yàn)；在企業(yè)，為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量檢測(cè)提供支持，推動(dòng)各領(lǐng)域創(chuàng)新突破。鎖相熱成像系統(tǒng)的同步控制模塊需與電激勵(lì)源保持高度協(xié)同，極小的同步誤差都可能導(dǎo)致檢測(cè)圖像出現(xiàn)相位偏移。

鎖相熱成像系統(tǒng)與電激勵(lì)結(jié)合，為電子產(chǎn)業(yè)的傳感器芯片檢測(cè)提供了可靠保障，確保傳感器芯片能夠滿足各領(lǐng)域?qū)Ω呔葯z測(cè)的需求。傳感器芯片是獲取外界信息的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療診斷、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域，其精度和可靠性至關(guān)重要。傳感器芯片內(nèi)部的敏感元件、信號(hào)處理電路等若存在缺陷，如敏感元件的零點(diǎn)漂移、電路的噪聲過大等，會(huì)嚴(yán)重影響傳感器的檢測(cè)精度。通過對(duì)傳感器芯片施加電激勵(lì)，使其處于工作狀態(tài)，系統(tǒng)能夠檢測(cè)芯片表面的溫度變化，發(fā)現(xiàn)敏感區(qū)域的缺陷。例如，在檢測(cè)紅外溫度傳感器芯片時(shí)，系統(tǒng)可以發(fā)現(xiàn)因敏感元件材料不均導(dǎo)致的溫度檢測(cè)偏差；在檢測(cè)壓力傳感器芯片時(shí)，能夠識(shí)別出因應(yīng)變片粘貼不良導(dǎo)致的信號(hào)失真。通過篩選出無缺陷的傳感器芯片，提升了電子產(chǎn)業(yè)傳感器產(chǎn)品的質(zhì)量，滿足了各領(lǐng)域?qū)鞲衅鞯母呔刃枨蟆ｋ娂?lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，推動(dòng)無損檢測(cè)發(fā)展。國(guó)產(chǎn)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)用途

高靈敏度紅外相機(jī)（ mK 級(jí)），需滿足高幀率（至少為激勵(lì)頻率的 2 倍，遵循采樣定理）以捕捉周期性溫度變化。RTTLIT鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制

鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對(duì)于鎖相紅外熱成像系統(tǒng)來說，較高的頻率往往會(huì)降低待檢測(cè)的熱發(fā)射。這是許多 LIT系統(tǒng)的限制。RTTLIT系統(tǒng)通過提供一個(gè)獨(dú)特的系統(tǒng)架構(gòu)克服了這一限制，在該架構(gòu)中，可以在"無限"的時(shí)間內(nèi)累積更高頻率的 LIT 數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集持續(xù)延長(zhǎng)，數(shù)據(jù)分辨率提高。系統(tǒng)采集數(shù)據(jù)的時(shí)間越長(zhǎng)，靈敏度越高。當(dāng)試圖以極低的功率級(jí)采集數(shù)據(jù)或必須從弱故障模式中采集數(shù)據(jù)時(shí)，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統(tǒng)的這一特點(diǎn)尤其有價(jià)值。RTTLIT鎖相紅外熱成像系統(tǒng)批量定制