高精密平面研磨機可以實現(xiàn)鏡面效果,光潔度可以比較高達到，加工范圍很廣，可以對藍寶石襯底，水晶，硅片，光電材料，光學玻璃，手機玻璃，手機觸摸屏，陶瓷片，石英片，石墨密封環(huán)，硅晶圓等非金屬材質進行雙面研磨，還能對銅材，鐵，鋁材，不銹鋼，模具鋼，塑料，鋁合金，鋅合金，鈦合金，鎳合金，錫合金，硬質合金，碳鋼，鎢鋼等各種金屬材質進行雙面研磨加工。高精密平面研磨機采用獨特的安全鎖緊機構,防止意外斷氣、斷電而“掉盤”傷人的意外發(fā)生,主要用于各類型的鋁材面拋光，有平面、斜面、圓面、圓弧面以及凹槽面及其他。根據所加工的要求可以選用適合要求的拋光輪來滿足工件所需要的高速有效的去除掉擠壓痕、自然氧化膜，同時具備拋光的功能,該系列拋光機已被廣的用于各類如LED藍寶石襯底、光學玻璃晶片、石英晶片、硅片、不銹鋼等等各類材料的單面的研磨。海德平面研磨拋光機HD-610屬高精密平面研磨機，研磨機的精密度為平面度可達，粗糙度可達。廣用于藍寶石鐘表玻璃、手機玻璃、光學玻璃晶片、LED藍寶石襯底、陶瓷板、活塞環(huán)、閥片、鋁鐵硼、鐵氧體、鈮酸鋰、鉭酸鋰、PTC熱敏電阻、光盤基片、陶瓷密封環(huán)、硬質合金密封環(huán)、鎢鋼片、等各種材料的單雙面研磨拋光。

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    什么是精密平面研磨拋光加工？原始的定義是指在一塊很平坦的定盤上（如花崗石、鑄鐵…等，都叫LAP），把加工物放在上面，均勻地移動，使它因摩擦而產生一個很好的平面，它就是LAPPING，只是手工隨著機械加工業(yè)的神速進展，就發(fā)展出單面LAPPING機及雙面精磨機，這幾年又配合手機加工行業(yè)蓬勃發(fā)展，又發(fā)展出很多專業(yè)用途的磨精度機器。拋光液的性能直接影響到拋光后工件的表面質量，是平面研磨拋光加工的關鍵要素之一。拋光液一般包括超細的固體磨粒(如納米A120:及Si0:磨粒等)、表面活性劑以及氧化劑和穩(wěn)定劑等幾部分，其中固體磨粒產生切削作用，去除發(fā)生化學變化需要切除的部位，氧化劑產生化學腐蝕溶解作用，溶解切屑。在拋光過程中，拋光液中磨粒的種類、形狀、大小、濃度、化學成分、PH值、粘度、流速和流動的途徑都會對去除速度產生影響。對不同材料的工件進行拋光時，所需要拋光液的成份、PH值也不盡相同同。PH值影響工件的表面質量和去除率表現(xiàn)在對磨料的分解與溶解度、被拋表面刻蝕及氧化膜的形成、懸浮度(膠體穩(wěn)定性)等方面，因此需要嚴格控制拋光液的PH值。 安徽精密加工平面打磨煤直接液化裝置上用的金屬密封球閥,其嚴苛工況對密封面粗糙度和平面度提出更高的要求。

    工件表面出現(xiàn)的原因及解決方法：工件表面出現(xiàn)的現(xiàn)象主要是由于鋼材中有非金屬雜質，硬且脆的氧化物，平面拋光機在進行拋光機拋光后從鋼材表面會被拉除，形成一定的現(xiàn)象，產生這種表面現(xiàn)象的因素有，拋光壓力以及拋光時間;鋼材的純度，雜質的含量，以及所使用的拋光工具和研磨的材料都會產生一定的影響。鋼材和雜質的硬度有所差異，在進行拋光的時候需要去除比雜物大的突出，被拉出后，就會留下，減少微坑出現(xiàn)所采取的方法主要有，將工件表面進行研磨，磨?？梢赃m當粗一級，需要盡可能的在短的時間和小的拋光壓力進行加工。工件表面出現(xiàn)橘皮的原因及解決方法：工件表面不規(guī)則并且粗糙的表面被稱為橘皮表面，產生這種表面原因是由于模具的表面出現(xiàn)過熱過度的現(xiàn)象，出現(xiàn)拋光壓力過大以及進行拋光的時間過長所導致的，產生工件表面拋光過度的現(xiàn)象，其加工的時間會根據工件材質的差異會有所差異。出現(xiàn)工件表面質量問題，常用的方法是施加壓力，增加拋光時間，這種方法經常會使工件表面質量變壞。所采用的有效的方法有，去除有缺陷的表面，可以使用粒度粗一號的磨粒，在精研磨的時候，進行拋光的壓力要比先前的壓力要低很多。在進行拋光錢需要使用細的砂號研磨到滿意的效果。

    磨料對平面拋光效果的影響平面拋光過程中磨料的作用是借助于機械力，將晶片表而經化學反應后形成的鈍化膜去除，從而達到表而平整化的目的。日前常用的磨料有膠體SiO2、Al2O3及CeO2等。磨料的種類決定了磨粒的硬度、尺寸，從而影響拋光效果。拋光鋁實驗中，相對于SiO2、Al2O3磨料能獲得較好的表而平整度，表而刮痕數量少、尺寸小，其原因是膠體SiO2磨粒尺寸小，拋光時磨料嵌入晶片表面的深度較小，并且在推薦其它參數的情況下，也能獲得很高的拋光效率。磨料的濃度會影響拋光效果。拋光鋁實驗中，隨著磨料(膠體SiO2)濃度的提高，單位而積參與磨削的磨粒數日增加，所以拋光效率提高，表而刮痕尺寸緩慢增人或基本保持不變;但磨料濃度過人時，拋光液的粘性增人，流動性降低，影響加工表而氧化層的有效形成，導致拋光效率降低。磨粒的尺寸也會對拋光效果產生影響，磨粒尺寸越小，表而損傷層厚度小。據統(tǒng)計，在硅片的精拋過程中，每次磨削層的厚度為磨粒尺寸的四分之一。為了有效地減小表而粗糙度和損傷層厚度，通常采用小尺寸的膠體硅(15~20nm)來代替粗拋時的膠體硅(50~70rnm);同時通過加強化學反應及提高產物的排除速度來提高拋光效率。 在研磨過程中破碎后仍保持一定的鋒刃，可作為硬質合金材料研磨磨料優(yōu)先。

    選擇正確的研磨運動軌跡，關于研磨運動軌跡的種類與特點，在前面已講過，實踐表明，不同的研磨軌跡對被研表面光潔度的影響亦不同，其中，直線往復式研出的表面光潔度比較低，這是出為運動的方向性強，單純的直線往復運動其研磨紋路足平行的，如使切痕重復加深，則不利于表面光潔度的改善。而其它如擺線式、正弦曲線式及不規(guī)則圓環(huán)線式研磨軌跡的共同特點是，運動的方向在不斷地變化，研磨紋路是縱橫交錯的，在一定的研磨條件下，可研出較理想的表面光潔度來。實踐表明，在所用壓力范圍內工件表面光潔度隨著研磨壓力的增加而降低。從某種意義上說，研磨的切削能力和工件表面光潔度是由研磨壓力來決定的。對于研磨壓力的增加，在同樣研磨條件下磨粒承受的載荷也增加。如果研磨壓力過大，使磨粒切入深度加深，切削作用加快，磨料的粉碎也加快，這時工件所獲得的表面光潔度就較差。為此，要獲得較高的表面光潔度，則需合理地選擇研磨壓力。在選擇研磨壓力時，首先應按工件的精度要求，來選擇合理的研磨速度，被研材料的硬度及潤滑劑的選用等。在平面研主要原因機加工工件時，除了上述影響因素以外，研具的質量。 因研磨過程幾乎無任何切削作用，對工件余量切削微乎其微，適量控制研磨余量尤為重要。東莞精磨平面精密磨

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    國內可以生產多晶鉆石微粉的廠家有北京國瑞升和四川久遠，而國瑞升同時可以自己生產鉆石液，因此在品質與成本上具有較大優(yōu)勢。美國的DiamondInnovation近推出了“類多晶鉆石”，實際是對普通單晶鉆石的一種改良，雖然比較堅固的結構能提供較高的切削力，但是同時也更容易造成較深的刮傷。拋光：多晶鉆石雖然造成的刮傷明顯小于單晶鉆石，但是仍然會在藍寶石表面留下明顯的刮傷，因此還會經過一道CMP拋光，去除所有的刮傷，留下完美的表面。CMP工藝原本是針對矽基板進行平坦化加工的一種工藝，現(xiàn)在對藍寶石基板同樣適用。經過CMP拋光工藝的藍寶石基板在經過層層檢測，達到合格準的產品就可以交給外延廠進行磊晶了。芯片的背部減薄制程磊晶之后的藍寶石基板就成為了外延片，外延片在經過蝕刻、蒸鍍、電極制作、保護層制作等一系列復雜的半導體制程之后，還需要切割成一粒粒的芯片，根據芯片的大小，一片2英寸的外延片可以切割成為數千至上萬個CHIP。前文講到此時外延片的厚度在430um附近，由于藍寶石的硬度以及脆性，普通切割工藝難以對其進行加工。目前普遍的工藝是將外延片從430um減薄至100um附近，然后再使用鐳射進行切割。

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