某分析化學(xué)實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極，傳感器的檢測限達 1nM，較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案，可在 24 小時內(nèi)完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測（POCT）設(shè)備，使現(xiàn)場水質(zhì)監(jiān)測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘，相關(guān)設(shè)備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。無掩模技術(shù)優(yōu)勢：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實時調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟性突出。黑龍江桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化

在制備用于柔性顯示的納米壓印模板時，Polos 光刻機的亞微米級定位精度（±50nm）確保了圖案的均勻復(fù)制。某光電實驗室使用該設(shè)備，在石英基底上刻制出周期 100nm 的柱透鏡陣列，模板的圖案保真度達 99.8%，邊緣缺陷率低于 0.1%?；诖四０迳a(chǎn)的柔性 OLED 背光模組，亮度均勻性提升至 98%，厚度減至 50μm，成功應(yīng)用于下一代折疊屏手機，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給三家面板制造商。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。天津德國桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM 光刻機：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)。

某能源研究團隊采用 Polos 光刻機制造了壓電式微型能量收集器。其激光直寫技術(shù)在 PZT 薄膜上刻制出 50μm 的叉指電極，器件的能量轉(zhuǎn)換效率達 35%，在 10Hz 振動下可輸出 50μW/cm2 的功率。通過自定義電極間距和厚度，該收集器可適配不同頻率的環(huán)境振動，在智能穿戴設(shè)備中實現(xiàn)了運動能量的實時采集與存儲。其輕量化設(shè)計（體積 < 1mm3）還被用于物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點，使傳感器續(xù)航時間從 3 個月延長至 2 年。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某人工智能芯片公司利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于阻變存儲器（RRAM）的存算一體架構(gòu)。其激光直寫技術(shù)在 10nm 厚度的 HfO?介質(zhì)層上實現(xiàn)了 5nm 的電極邊緣控制，器件的電導(dǎo)均勻性提升至 95%，計算能效比達 10TOPS/W，較傳統(tǒng) GPU 提升兩個數(shù)量級?；谠摷夹g(shù)的邊緣 AI 芯片，在圖像識別任務(wù)中能耗降低 80%，推理速度提升 3 倍，已應(yīng)用于智能攝像頭和無人機避障系統(tǒng)，相關(guān)芯片出貨量突破百萬片。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。多材料兼容性：同步加工陶瓷 / PDMS / 金屬，微流控芯片集成電極與通道一步成型。

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會?？鐚W(xué)科應(yīng)用：覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領(lǐng)域。河南PSP光刻機基材厚度可達到0.1毫米至8毫米

多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。黑龍江桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化

Polos系列通過無掩模技術(shù)減少化學(xué)廢料產(chǎn)生，同時低能耗設(shè)計（如固態(tài)激光光源）符合綠色實驗室標準。例如，其光源系統(tǒng)較傳統(tǒng)DUV光刻機能耗降低30%，助力科研機構(gòu)實現(xiàn)碳中和目標。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。黑龍江桌面無掩模光刻機讓你隨意進行納米圖案化