雙光子灰度光刻技術(shù)3Dprintingby2GL®是?種基于2PP的全新三維微加工技術(shù)。該技術(shù)將2PP的高精度和資質(zhì)體素調(diào)節(jié)技術(shù)相結(jié)合，極大減少了打印層數(shù)，使2GL成為基于2PP原理的快速的為尺度3D打印技術(shù)。該技術(shù)在兼顧優(yōu)越形狀精度和打印質(zhì)量的同時可實(shí)現(xiàn)?速打印?；叶裙饪?D打印技術(shù)作為對準(zhǔn)雙光子光刻技術(shù)的重要補(bǔ)充，可實(shí)現(xiàn)直接在光纖末端和光子芯片上打印自由形狀的微光學(xué)元件，并實(shí)現(xiàn)自動納米級對準(zhǔn)。歡迎您的隨時咨詢，我們?yōu)槟峁I(yè)的方案~

想要了解Quantum X 雙光子灰度光刻微納打印設(shè)備。北京2GL灰度光刻技術(shù)

微納3D打印其實(shí)和與灰度光刻有點(diǎn)相似，但是原理不同，我們常見的微納3D打印技術(shù)是雙光子聚合和微納金屬3D打印技術(shù)，利用該技術(shù)我們理論上可以獲得任意想要的結(jié)構(gòu)，不光是微透鏡陣列結(jié)構(gòu)（如下圖5所示），該方法的優(yōu)勢是可以完全按照設(shè)計(jì)獲得想要的結(jié)構(gòu)，對于雙光子聚合的微結(jié)構(gòu)，我們需要通過LIGA工藝獲得金屬模具，但是對于微納金屬3D打印獲得的微納米結(jié)構(gòu)可以直接進(jìn)行后續(xù)的復(fù)制工作，并通過納米壓印技術(shù)進(jìn)行復(fù)制?；叶裙饪痰木褪抢没叶裙饪萄谀ぐ妫ㄑ谀そ佑|式光刻）或者計(jì)算機(jī)控制激光束或者電子束劑量從而達(dá)到在某些區(qū)域完全曝透，而某些區(qū)域光刻膠部分曝光，從而在襯底上留下3D輪廓形態(tài)的光刻膠結(jié)構(gòu)（如下圖4所示，八邊金字塔結(jié)構(gòu)）。微透鏡陣列也是類似，可以通過劑量分布的控制來控制其輪廓形態(tài)。需要注意，灰度光刻方法獲得的微透鏡陣列的表面粗糙度相比于熱回流和噴墨法獲得的透鏡要大的多，約為Ra=100nm，前兩者可以會的Ra=50nm的球面。江蘇進(jìn)口灰度光刻設(shè)備Nanoscribe中國分公司-納糯三維科技（上海）有限公司為您講解雙光子灰度光刻技術(shù)的應(yīng)用。

納米紋理在納米技術(shù)中起著越來越重要的作用。近期的研究表明，可以通過空間調(diào)節(jié)其納米級像素的高度來進(jìn)一步增強(qiáng)其功能。但是，實(shí)現(xiàn)該概念非常具有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樗枰獙{米像素進(jìn)行“灰度”打印，其中，納米像素高度的精度需要控制在幾納米之內(nèi)。只有少數(shù)幾種方法（例如，灰度光刻或掃描束光刻）可以滿足這種嚴(yán)格的要求，但通常其成本較高，并且它們中的大多數(shù)需要化學(xué)開發(fā)過程。因此，具有高垂直和水平分辨率的可重構(gòu)灰度納米像素打印技術(shù)受到高度追捧。

QuantumX新型超高速無掩模光刻技術(shù)的重要部分是Nanoscribe獨(dú)有專項(xiàng)的雙光子灰度光刻技術(shù)（2GL®）。該技術(shù)將灰度光刻的出色性能與雙光子聚合的精確性和靈活性完美結(jié)合，使其同時具備高速打印，完全設(shè)計(jì)自由度和超高精度的特點(diǎn)。從而滿足了高級復(fù)雜增材制造對于優(yōu)異形狀精度和光滑表面的極高要求。這種具有創(chuàng)新性的增材制造工藝很大程度縮短了企業(yè)的設(shè)計(jì)迭代，打印樣品結(jié)構(gòu)既可以用作技術(shù)驗(yàn)證原型，也可以用作工業(yè)生產(chǎn)上的加工模具。Nanoscribe雙光子灰度光刻微納打印系統(tǒng)技術(shù)要點(diǎn)在于：這項(xiàng)技術(shù)的關(guān)鍵是在高速掃描下使激光功率調(diào)制和動態(tài)聚焦定位達(dá)到精細(xì)同步，這種智能方法能夠輕松控制每個掃描平面的體素大小，并在不影響速度的情況下，使得樣品精密部件能具有出色的形狀精度和超光滑表面。Quantum X是全球頭一臺灰度光刻激光直寫系統(tǒng)。

微納3D打印其實(shí)和與灰度光刻有點(diǎn)相似，但是原理不同，我們常見的微納3D打印技術(shù)是雙光子聚合和微納金屬3D打印技術(shù)，利用該技術(shù)我們理論上可以獲得任意想要的結(jié)構(gòu)，不光是微透鏡陣列結(jié)構(gòu)（如下圖5所示），該方法的優(yōu)勢是可以完全按照設(shè)計(jì)獲得想要的結(jié)構(gòu)，對于雙光子聚合的微結(jié)構(gòu)，我們需要通過LIGA工藝獲得金屬模具，但是對于微納金屬3D打印獲得的微納米結(jié)構(gòu)可以直接進(jìn)行后續(xù)的復(fù)制工作，并通過納米壓印技術(shù)進(jìn)行復(fù)制?；叶裙饪痰木褪抢没叶裙饪萄谀ぐ妫ㄑ谀そ佑|式光刻）或者計(jì)算機(jī)控制激光束或者電子束劑量從而達(dá)到在某些區(qū)域完全曝透，而某些區(qū)域光刻膠部分曝光，從而在襯底上留下3D輪廓形態(tài)的光刻膠結(jié)構(gòu)（如下圖4所示，八邊金字塔結(jié)構(gòu)）。微透鏡陣列也是類似，可以通過劑量分布的控制來控制其輪廓形態(tài)?；叶裙饪碳夹g(shù)可以應(yīng)用于微電子、光電子、生物醫(yī)學(xué)等多個領(lǐng)域。江蘇進(jìn)口灰度光刻設(shè)備

灰度光刻技術(shù)的精度受到灰度值的影響。北京2GL灰度光刻技術(shù)

近年來，實(shí)現(xiàn)微納尺度下的3D灰度光刻結(jié)構(gòu)在包括微機(jī)電（MEMS）、微納光學(xué)及微流控研究領(lǐng)域內(nèi)備受關(guān)注，良好的線性側(cè)壁灰度結(jié)構(gòu)可以很大程度上提高維納器件的靜電力學(xué)特性，信號通訊性能及微流通道的混合效率等。相比一些獲取灰度結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)手段，如超快激光刻蝕工藝、電化學(xué)腐蝕或反應(yīng)離子刻蝕等，灰度直寫圖形曝光結(jié)合干法刻蝕可以更加方便地制作任意圖形的3D微納結(jié)構(gòu)。該方法中，利用微鏡矩陣（DMD）開合控制的激光灰度直寫曝光表現(xiàn)出更大的操作便捷性、易于設(shè)計(jì)等特點(diǎn)，不需要特定的灰度色調(diào)掩膜版，結(jié)合軟件的圖形化設(shè)計(jì)可以直觀地獲得灰度結(jié)構(gòu)。北京2GL灰度光刻技術(shù)