聚硅氮烷以其高比表面積、優(yōu)異的熱與化學(xué)穩(wěn)定性、可定制的孔道結(jié)構(gòu)，被視為催化劑載體的理想選擇。借助先進(jìn)合成和表面修飾手段，可在分子尺度精細(xì)調(diào)控孔徑分布與表面官能團(tuán)，進(jìn)而提高金屬活性中心的分散度，***提升催化活性、選擇性及循環(huán)壽命。聚硅氮烷骨架中的Si–N鍵兼具電子給予與接受能力，可與過渡金屬離子或納米粒子形成強(qiáng)相互作用，誘導(dǎo)電子轉(zhuǎn)移與界面極化，實(shí)現(xiàn)協(xié)同催化。通過改變硅氮比例、引入雜原子、嫁接有機(jī)配體，或與貴金屬、非貴金屬、單原子活性位組合，可構(gòu)建具有獨(dú)特孔道微環(huán)境與電子結(jié)構(gòu)的多相催化材料，適用于加氫、氧化、C–C偶聯(lián)、CO?轉(zhuǎn)化等關(guān)鍵反應(yīng)，為高效、綠色催化提供新平臺(tái)與新思路。聚硅氮烷對(duì)紫外線具有良好的耐受性，可用于戶外防護(hù)材料。江蘇聚硅氮烷復(fù)合材料

聚硅氮烷中的硅氮鍵具有一定的催化活性，可直接參與某些催化反應(yīng)。例如，在一些縮合反應(yīng)、加成反應(yīng)中，聚硅氮烷可以作為催化劑，通過硅氮鍵與反應(yīng)物分子的相互作用，促進(jìn)反應(yīng)的進(jìn)行。聚硅氮烷可以與金屬離子或金屬納米粒子形成復(fù)合物，發(fā)揮協(xié)同催化作用。金屬離子或納米粒子可以提供特定的催化活性位點(diǎn)，而聚硅氮烷則可以調(diào)節(jié)金屬的電子性質(zhì)和分散狀態(tài)，從而提高催化劑的性能。如聚硅氮烷與鈀、鉑等金屬形成的復(fù)合物，在有機(jī)合成反應(yīng)中表現(xiàn)出優(yōu)異的催化活性和選擇性。廣東耐高溫聚硅氮烷應(yīng)用領(lǐng)域聚硅氮烷與其他聚合物共混，可以制備出性能優(yōu)異的復(fù)合材料。

聚硅氮烷在物理特性上展現(xiàn)出多重優(yōu)勢(shì)，使其在工業(yè)加工與功能表面領(lǐng)域備受青睞。***，它對(duì)常用芳烴溶劑（如甲苯、二甲苯）以及部分醚類和酮類均表現(xiàn)出良好相容性，溶液黏度可調(diào)，易通過噴涂、浸漬或旋涂等方式成膜，極大簡(jiǎn)化了涂料、膠黏劑及復(fù)合材料的制備流程。第二，其宏觀狀態(tài)可在液體與固體之間靈活切換：當(dāng)分子量較低、鏈段較短時(shí)，體系呈澄清低黏流體，便于灌注或微流控封裝；若分子量升高、交聯(lián)度增大，則轉(zhuǎn)變?yōu)椴ＡB(tài)或彈性固體，具備優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度與尺寸穩(wěn)定性，可直接作為結(jié)構(gòu)件使用。第三，聚硅氮烷的表面能遠(yuǎn)低于常見聚合物，經(jīng)固化后形成致密且疏水的陶瓷-有機(jī)雜化層，能***降低基材摩擦系數(shù)并抑制液體鋪展，從而賦予表面抗污、易清潔及防冰防粘功能，在微電子封裝、廚房器具以及戶外建筑防護(hù)等方面均顯示出廣闊的應(yīng)用前景。

隨著材料科學(xué)的不斷發(fā)展，聚硅氮烷的制備工藝和性能將不斷得到改進(jìn)和提升。例如，通過納米技術(shù)改性聚硅氮烷，可開發(fā)出具有特定功能的新型復(fù)合材料；利用智能材料與傳感器技術(shù)，可研制出具有自修復(fù)、自感知等智能特性的聚硅氮烷材料，進(jìn)一步拓展其在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用范圍。航空航天產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)高性能材料的需求日益增加。聚硅氮烷作為一種新型高性能材料，能夠滿足航空航天領(lǐng)域?qū)Σ牧系妮p量化、耐高溫、耐腐蝕等要求，因此在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。各國(guó)對(duì)航空航天產(chǎn)業(yè)的扶持政策以及對(duì)環(huán)保的要求不斷提高，將推動(dòng)聚硅氮烷等環(huán)保型高性能材料的研發(fā)與應(yīng)用。例如，研發(fā)更加環(huán)保、低能耗的聚硅氮烷生產(chǎn)工藝，符合可持續(xù)發(fā)展的理念，將有助于聚硅氮烷在航空航天領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。聚硅氮烷在光學(xué)領(lǐng)域也有重要應(yīng)用，可用于制造光學(xué)涂層。

在儲(chǔ)能器件里，聚硅氮烷像一位多面手。把它包覆在鋰或鈉負(fù)極表面，可形成柔韌的陶瓷-聚合物混合殼層：充放電時(shí)體積膨脹被均勻分散，裂紋難以穿透；同時(shí)殼層阻擋電解液與活性材料的直接接觸，副反應(yīng)被抑制，循環(huán)壽命***延長(zhǎng)。若將聚硅氮烷進(jìn)一步交聯(lián)并與鋰鹽或鈉鹽復(fù)合，可得到室溫離子電導(dǎo)率達(dá)10?3 S cm?1量級(jí)、電化學(xué)窗口超過5 V的固態(tài)電解質(zhì)，既抑制枝晶又提升安全等級(jí)。對(duì)于超級(jí)電容器，聚硅氮烷自身的高比表面積和可調(diào)控導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)可直接作為活性骨架；與碳納米管或石墨烯復(fù)合后，比電容可再提高20%–50%，且循環(huán)10萬次后容量保持率仍在90%以上。更巧妙的是，*需在電極外層再沉積一層超薄聚硅氮烷膜，就可降低界面張力、改善電解液浸潤(rùn)，使電荷轉(zhuǎn)移阻抗下降，充放電效率與功率密度同步提升。聚硅氮烷的合成方法多樣，常見的有硅鹵化物與氨或胺的反應(yīng)。浙江聚硅氮烷鹽霧

聚硅氮烷分子中含有硅、氮原子以及與之相連的有機(jī)基團(tuán)。江蘇聚硅氮烷復(fù)合材料

在微米乃至納米尺度上構(gòu)建集成電路，對(duì)材料的純度、穩(wěn)定性與可加工性提出了極限級(jí)要求，而聚硅氮烷恰好以多重身份滿足了這些苛刻條件。首先，在光刻環(huán)節(jié)，它被引入光致抗蝕劑配方中，利用其優(yōu)異的化學(xué)惰性和對(duì)曝光波長(zhǎng)的精細(xì)響應(yīng)，可在硅片表面生成邊緣陡直、線寬均一的微納圖形，為后續(xù)刻蝕或離子注入奠定高保真模板。其次，在器件封裝階段，聚硅氮烷通過低溫等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）即可轉(zhuǎn)化為含氮氧化硅薄膜，充當(dāng)芯片的絕緣層與鈍化層：這層薄膜致密無***，能有效阻擋水汽、鈉離子及機(jī)械劃傷對(duì)晶體管陣列的侵蝕，從而***降低漏電流并提升長(zhǎng)期可靠性。隨著摩爾定律繼續(xù)向3 nm以下節(jié)點(diǎn)挺進(jìn)，傳統(tǒng)材料逐漸逼近物理極限，而聚硅氮烷因可調(diào)的Si–N–O骨架、低介電常數(shù)以及良好的填縫能力，正被視為下一代極紫外（EUV）光刻膠、高k介電層及柔性電子封裝的**候選，其應(yīng)用版圖有望在先進(jìn)制程中進(jìn)一步擴(kuò)展。江蘇聚硅氮烷復(fù)合材料