AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲(chǔ)器在系統(tǒng)內(nèi)編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要性能1、與MCS-51單片機(jī)產(chǎn)品兼容;2、8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲(chǔ)器;3、1000次擦寫周期;4、全靜態(tài)操作:0Hz-33MHz;5、三級(jí)加密程序存儲(chǔ)器;6、32個(gè)可編程I/O口線;7、三個(gè)16位定時(shí)器/計(jì)數(shù)器;8、6個(gè)中斷源;9、全雙工UART串行通道;10、低功耗空閑和掉電模式;11、掉電后中斷可喚醒;12、看門狗定時(shí)器;13、雙數(shù)據(jù)指針;14、掉電標(biāo)識(shí)符。14、掉電標(biāo)識(shí)符。專業(yè)存儲(chǔ)器代理經(jīng)銷，提供全系列進(jìn)口存儲(chǔ)器芯片IC-千百路工業(yè)科技。無(wú)錫存儲(chǔ)器組成

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）里面所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時(shí)，SRAM儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)還是會(huì)消失（被稱為volatilememory），這與在斷電后還能儲(chǔ)存資料的ROM或閃存是不同的。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM（DynamicRandomAccessMemory)每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點(diǎn)，即它的集成度較低，功耗較DRAM大[1]，相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。肇慶動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器專賣深圳進(jìn)口芯片，深圳原裝IC，原廠現(xiàn)貨經(jīng)銷。

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。特點(diǎn)：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下，數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對(duì)而言，傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)（易失性）。另外，相比于同樣是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作電壓與邏輯電壓一致（1.1V），而不像eFlash那樣需要高電壓（8-12V），且其寫入過(guò)程不需要先進(jìn)行擦寫操作。2.速度快、耐久力強(qiáng)：相較eFlash微秒級(jí)的擦寫速度，eMRAM可達(dá)到納秒量級(jí)，接近eSRAM。耐久力強(qiáng)，指的是eMRAM可反復(fù)擦寫的次數(shù)幾乎接近于無(wú)限次,高于eFlash。

目前，國(guó)內(nèi)外企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等對(duì)于相變存儲(chǔ)器的研發(fā)正加速推進(jìn)，其商業(yè)化的布局已經(jīng)展開。近年來(lái)，我國(guó)在相變存儲(chǔ)器領(lǐng)域的研究穩(wěn)步進(jìn)行，結(jié)合芯片制造與集成工藝的設(shè)計(jì)，形成自身的研究特色。存儲(chǔ)器新技術(shù)的快速發(fā)展將給我們帶來(lái)彎道超車的機(jī)會(huì)，未來(lái)相變存儲(chǔ)技術(shù)的突破將加速我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)自主化進(jìn)程。PCM器件的典型結(jié)構(gòu)由頂部電極、晶態(tài)GST、α/晶態(tài)GST[、熱絕緣體、電阻（加熱器）、底部電極組成。相變存儲(chǔ)器主要可以用來(lái)替代計(jì)算機(jī)主存、硬盤和閃存：①相變存儲(chǔ)器訪問相應(yīng)時(shí)間短，并且具有字節(jié)可尋址特性，其寫延遲約為DRAM的10倍，使他在設(shè)計(jì)參考中固件代碼的直接執(zhí)行上顯現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)，并研究用來(lái)作為DRAM的替代品，傳統(tǒng)使用的DRAM的方法是在計(jì)算機(jī)斷電后主存的數(shù)據(jù)全部丟失，計(jì)算機(jī)重啟需要重新從外存讀取操作系統(tǒng)數(shù)據(jù)，消耗較多時(shí)間。深圳存儲(chǔ)器代理商，深圳進(jìn)口芯片經(jīng)銷商。

內(nèi)存的正式名字叫做“存儲(chǔ)器”，是半導(dǎo)體行業(yè)三大支柱之一。2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為3400億美金，存儲(chǔ)器就占了768億美元。對(duì)于你身邊的手機(jī)、平板、PC、筆記本等所有電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，存儲(chǔ)器就類似于鋼鐵之于現(xiàn)代工業(yè)，是名副其實(shí)的電子行業(yè)“原材料”。存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息就流失了，例如DRAM，主要用來(lái)做PC機(jī)內(nèi)存(如DDR)和手機(jī)內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后，存儲(chǔ)器內(nèi)的信息仍然存在，主要是閃存（NandFLASH和NORFLASH），NOR主要應(yīng)用于代碼存儲(chǔ)介質(zhì)中，而NAND則用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。尋找存儲(chǔ)器芯片就找「千百路」，提供樣板，幫助選型，用心選擇。廣州高速緩沖存儲(chǔ)器原廠授權(quán)分銷商

存儲(chǔ)器芯片庫(kù)存報(bào)價(jià)。無(wú)錫存儲(chǔ)器組成

近年來(lái)，我國(guó)智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、智能可穿戴設(shè)備、服務(wù)器等消費(fèi)電子產(chǎn)品迅速增長(zhǎng)，應(yīng)用場(chǎng)景更加廣，對(duì)存儲(chǔ)器需求進(jìn)一步提升。應(yīng)用場(chǎng)景包括在所有類型的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、移動(dòng)電話等移動(dòng)裝置、數(shù)據(jù)記錄設(shè)備、打印機(jī)、控制系統(tǒng)、智能終端、物聯(lián)網(wǎng)、安防監(jiān)控、工業(yè)控制、汽車電子以及個(gè)人移動(dòng)存儲(chǔ)等領(lǐng)域。車規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器并進(jìn)入了部分汽車行業(yè)客戶的供應(yīng)鏈體系。消費(fèi)電子也是存儲(chǔ)器芯片的應(yīng)用場(chǎng)景之一。工規(guī)級(jí)存儲(chǔ)器屬于嵌入式存儲(chǔ)芯片系列，也是重點(diǎn)發(fā)展的方向。無(wú)錫存儲(chǔ)器組成

深圳市千百路工業(yè)科技有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才，集企業(yè)奇思，創(chuàng)經(jīng)濟(jì)奇跡，一群有夢(mèng)想有朝氣的團(tuán)隊(duì)不斷在前進(jìn)的道路上開創(chuàng)新天地，繪畫新藍(lán)圖，在廣東省等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽(yù)，信奉著“爭(zhēng)取每一個(gè)客戶不容易，失去每一個(gè)用戶很簡(jiǎn)單”的理念，市場(chǎng)是企業(yè)的方向，質(zhì)量是企業(yè)的生命，在公司有效方針的領(lǐng)導(dǎo)下，全體上下，團(tuán)結(jié)一致，共同進(jìn)退，**協(xié)力把各方面工作做得更好，努力開創(chuàng)工作的新局面，公司的新高度，未來(lái)深圳市千百路工業(yè)科技供應(yīng)和您一起奔向更美好的未來(lái)，即使現(xiàn)在有一點(diǎn)小小的成績(jī)，也不足以驕傲，過(guò)去的種種都已成為昨日我們只有總結(jié)經(jīng)驗(yàn)，才能繼續(xù)上路，讓我們一起點(diǎn)燃新的希望，放飛新的夢(mèng)想！