ATMEL非易失性存儲器：ATMEL是非易失性存儲器NVM(掉電時數(shù)據(jù)仍然保持而不丟失)的先驅(qū)。非易失的特性使得這些存儲器非常適合于小體積的便攜產(chǎn)品以及電池供電的設(shè)備，因為它們不需要耗電的轉(zhuǎn)動式磁盤或CDROM。ATMEL具有廣闊的NVM產(chǎn)品線:EEPROM，一次更新一個字，適合做數(shù)據(jù)存儲;高密度FLASH存儲器，一次更新一個存儲塊，適合于存儲程序或者是象圖形一類的大數(shù)據(jù)對象。此外，ATMEL還提供各種不同的配置和接口方式以匹配各種應用的確切需要。ATMEL是世界上串行和并行FLASH存儲器的先導者，其產(chǎn)品可以滿足計算、汽車、電信、消費產(chǎn)品應用市場的程序和數(shù)據(jù)存儲的需要。ATMEL近期另一個創(chuàng)新的產(chǎn)品線是融合了FLASH和EEPROM優(yōu)點的DataFlash(r)。它利用片內(nèi)的RAM做緩存，實現(xiàn)了一次只讀/寫一位的特殊功能。而所有這些都只需要很少的連線就可以完成。此外，ATMEL還繼續(xù)生產(chǎn)EPROM以滿足以往項目的需要。深圳采購存儲器芯片IC，選擇千百路科技，一家專注存儲器經(jīng)營的公司。東莞非易失性存儲器組成

存儲器的存儲介質(zhì)是什么：目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中比較小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材料的存儲元，它可存儲一個二進制代碼。由若干個存儲元組成一個存儲單元，然后再由許多存儲單元組成一個存儲器。一個存儲器包含許多存儲單元，每個存儲單元可存放一個字節(jié)（按字節(jié)編址）。每個存儲單元的位置都有一個編號，即地址，一般用十六進制表示。一個存儲器中所有存儲單元可存放數(shù)據(jù)的總和稱為它的存儲容量。假設(shè)一個存儲器的地址碼由20位二進制數(shù)（即5位十六進制數(shù)）組成，則可表示2的20次方，即1M個存儲單元地址。每個存儲單元存放一個字節(jié)，則該存儲器的存儲容量為1MB。天河可讀可寫存儲器技術(shù)服務存儲器芯片代理分銷，千百路科技服務眾多電子科技企業(yè)，提供全系列存儲器芯片IC。

半導體存儲器從使用功能上分，有隨機存儲器（RandomAccessMemory，簡稱RAM），又稱讀寫存儲器；只讀存儲器（ReadOnlyMemory，簡稱為ROM）。一種內(nèi)存儲器1.隨機存儲器（RandomAccessMemory）RAM有以下特點：可以讀出，也可以寫入。讀出時并不損壞原來存儲的內(nèi)容，只有寫入時才修改原來所存儲的內(nèi)容。斷電后，存儲內(nèi)容立即消失，即具有易失性。RAM可分為動態(tài)（DynamicRAM）和靜態(tài)（StaticRAM）兩大類。DRAM的特點是集成度高，主要用于大容量內(nèi)存儲器；SRAM的特點是存取速度快，主要用于高速緩沖存儲器。

SRAM的主要用途---主要用于二級高速緩存（Level2Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比，SRAM的速度快，但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM之間的緩存（cache）.SRAM也有許多種，如AsyncSRAM(AsynchronousSRAM，異步SRAM）、SyncSRAM(SynchronousSRAM，同步SRAM）、PBSRAM(PipelinedBurstSRAM，流水式突發(fā)SRAM），還有INTEL沒有公布細節(jié)的CSRAM等。SRAM一般可分為五大部分：存儲單元陣列（corecellsarray），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(SenseAmplifier），控制電路（controlcircuit），緩沖/驅(qū)動電路（FFIO）。SRAM是靜態(tài)存儲方式，以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元，SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新，而且工作速度較快，但由于存儲單元器件較多，集成度不太高，功耗也較大。選擇存儲器就選千百路科技，提供原裝進口品牌存儲器芯片。

ATMEL的質(zhì)量體系三：分布世界的專業(yè)設(shè)計能力和IPATMEL在全球擁有40個設(shè)計中心，分別專注于產(chǎn)品開發(fā)、工程支持以及深度應用開發(fā)。為了開發(fā)復雜的SoC產(chǎn)品，ATMEL設(shè)立了先進的基于平臺的設(shè)計流程，在投片之前大量使用仿真平臺進行軟硬件驗證。這種方法大幅度減少了設(shè)計周期并消除了許多錯誤。為了支持這些高附加值的產(chǎn)品，ATMEL建立了一個豐富的IP庫。庫里包括先進的RISC微控制器和外設(shè)，DSP核，嵌入式存儲器，工業(yè)標準的接口，高精度、高速度的模擬轉(zhuǎn)換器，RF電路和電源管理宏單元。ASIC、ASSP和標準產(chǎn)品之間的IP重用可以減少開發(fā)時間和成本，并提高硅片一次成功的可能性。進口芯片廠家，原廠存儲器芯片現(xiàn)貨，深圳代理經(jīng)銷商提供一站式服務。天河可讀可寫存儲器技術(shù)服務

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當需要把數(shù)據(jù)寫入芯片時，行列地址先后將RAS和CAS鎖存在芯片內(nèi)部，然后，WE有效，加上要寫入的數(shù)據(jù)，則將該數(shù)據(jù)寫入選中的存貯單元。由于電容不可能長期保持電荷不變，必須定時對動態(tài)存儲電路的各存儲單元執(zhí)行重讀操作，以保持電荷穩(wěn)定，這個過程稱為動態(tài)存儲器刷新。PC/XT機中DRAM的刷新是利用DMA實現(xiàn)的。首先應用可編程定時器8253的計數(shù)器1，每隔1⒌12μs產(chǎn)生一次DMA請求，該請求加在DMA控制器的0通道上。當DMA控制器0通道的請求得到響應時，DMA控制器送出到刷新地址信號，對動態(tài)存儲器執(zhí)行讀操作，每讀一次刷新一行。東莞非易失性存儲器組成

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