動態(tài)隨機存儲器（DynamicRAM），“動態(tài)”兩字指的是每隔一段時間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失。這是因為DRAM的基本單元是一個晶體管加一個電容，并用電容有無電荷來表示數(shù)字信息0和1，電容漏電很快，為防止電容漏電而導(dǎo)致讀取信息出錯，需要周期性地給DRAM的電容充電，故DRAM速度比SRAM慢。另一方面，這種簡單的存儲模式也使得DRAM的集成度遠高于SRAM，一個DRAM存儲單元只需一個晶體管和一個小電容，而每個SRAM單元需要四到六個晶體管和其他零件，故DRAM在高密度（大容量）以及價格方面均比SRAM有優(yōu)勢。SRAM多用于對性能要求極高的地方（如CPU的一級二級緩沖），而DRAM則主要用于計算機的內(nèi)存條等領(lǐng)域?！盖О俾房萍肌?深圳芯片代理經(jīng)銷商，為各大中小型電子廠家提供存儲器芯片IC系列?；ǘ几咚倬彌_存儲器原廠授權(quán)分銷商

AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，是具有8K系統(tǒng)可編程Flash存儲器。使用Atmel公司高密度非易失性存儲器技術(shù)制造，與工業(yè)80C51產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上Flash允許程序存儲器在系統(tǒng)內(nèi)編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，擁有靈巧的8位CPU和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52在眾多嵌入式控制應(yīng)用系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。主要性能1、與MCS-51單片機產(chǎn)品兼容;2、8K字節(jié)在系統(tǒng)可編程Flash存儲器;3、1000次擦寫周期;4、全靜態(tài)操作:0Hz-33MHz;5、三級加密程序存儲器;6、32個可編程I/O口線;7、三個16位定時器/計數(shù)器;8、6個中斷源;9、全雙工UART串行通道;10、低功耗空閑和掉電模式;11、掉電后中斷可喚醒;12、看門狗定時器;13、雙數(shù)據(jù)指針;14、掉電標識符。14、掉電標識符。南沙順序存儲器原廠授權(quán)分銷商深圳存儲器芯片代理分銷，提供全系列存儲器IC，滿足眾多電子廠家生產(chǎn)需求。

存儲器的產(chǎn)業(yè)鏈簡單介紹：存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游主要為材料及設(shè)備供應(yīng)環(huán)節(jié)；中游為存儲器生產(chǎn)供應(yīng)環(huán)節(jié)；下游廣泛應(yīng)用于計算機、消費電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子、智能終端等各個領(lǐng)域。中游存儲芯片可分為掉電易失和掉電非易失兩種，其中易失存儲芯片主要包含靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）和動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），非易失性存儲器主要包括可編程只讀存儲器（PROM），閃存存儲器（Flash）等；下游主要應(yīng)用于消費電子、信息通信、汽車電子、服務(wù)器、工業(yè)電子等領(lǐng)域。上游參與者為硅片、光刻膠、電子特種氣體等原材料供應(yīng)商和光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、檢測設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商。

SRAM的主要規(guī)格--一種是置于cpu與主存間的高速緩存，分兩種規(guī)格：一種是固定在主板上的高速緩存（CacheMemory）；另一種是插在卡槽上的COAST（CacheOnAStick）擴充用的高速緩存，另外在CMOS芯片1468l8的電路里，它的內(nèi)部也有較小容量的128字節(jié)SRAM，存儲我們所設(shè)置的配置數(shù)據(jù)。還有為了加速CPU內(nèi)部數(shù)據(jù)的傳送，自80486CPU起，在CPU的內(nèi)部也設(shè)計有高速緩存，故在PentiumCPU就有所謂的L1Cache（一級高速緩存）和L2Cache（二級高速緩存）的名詞，一般L1Cache是建在CPU的內(nèi)部，L2Cache是設(shè)計在CPU的外部，但是PentiumPro把L1和L2Cache同時設(shè)計在CPU的內(nèi)部，故PentiumPro的體積較大。PentiumⅡ又把L2Cache移至CPU內(nèi)核之外的黑盒子里。SRAM速度快，不需要刷新操作，缺點是價格高，體積大，所以在主板上還不能作為用量較大的主存。芯片存儲器IC現(xiàn)貨在線咨詢-存儲器芯片供應(yīng)商代理商。

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。特點：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在關(guān)閉電源的情況下，數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對而言，傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)（易失性）。另外，相比于同樣是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作電壓與邏輯電壓一致（1.1V），而不像eFlash那樣需要高電壓（8-12V），且其寫入過程不需要先進行擦寫操作。2.速度快、耐久力強：相較eFlash微秒級的擦寫速度，eMRAM可達到納秒量級，接近eSRAM。耐久力強，指的是eMRAM可反復(fù)擦寫的次數(shù)幾乎接近于無限次,高于eFlash。深圳存儲器IC系列，原廠代理，品質(zhì)保證。福建隨機存儲器全型號

存儲器芯片IC系列實時報價-現(xiàn)貨服務(wù)?；ǘ几咚倬彌_存儲器原廠授權(quán)分銷商

只讀存儲器(ReadOnlyMemory)ROM是只讀存儲器。顧名思義，它的特點是只能讀出原有的內(nèi)容，不能由用戶再寫入新內(nèi)容。原來存儲的內(nèi)容是采用掩膜技術(shù)由廠家一次性寫入的，并長久保存下來。它一般用來存放專門用的固定的程序和數(shù)據(jù)。不會因斷電而丟失。CMOS存儲器（ComplementaryMetalOxideSemiconductorMemory，互補金屬氧化物半導(dǎo)體內(nèi)存)COMS內(nèi)存是一種只需要極少電量就能存放數(shù)據(jù)的芯片。由于耗能極低，CMOS內(nèi)存可以由集成到主板上的一個小電池供電，這種電池在計算機通電時還能自動充電。因為CMOS芯片可以持續(xù)獲得電量，所以即使在關(guān)機后，他也能保存有關(guān)計算機系統(tǒng)配置的重要數(shù)據(jù)?；ǘ几咚倬彌_存儲器原廠授權(quán)分銷商

深圳市千百路工業(yè)科技有限公司正式組建于2021-02-08，將通過提供以電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片等服務(wù)于于一體的組合服務(wù)。旗下MICROCHIP,美國微芯,微盟電子,三星,AT愛特梅爾,旺詮,厚聲,三星,TDK,國巨,京瓷在電子元器件行業(yè)擁有一定的地位，品牌價值持續(xù)增長，有望成為行業(yè)中的佼佼者。我們強化內(nèi)部資源整合與業(yè)務(wù)協(xié)同，致力于電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片等實現(xiàn)一體化，建立了成熟的電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片運營及風險管理體系，累積了豐富的電子元器件行業(yè)管理經(jīng)驗，擁有一大批專業(yè)人才。深圳市千百路工業(yè)科技有限公司業(yè)務(wù)范圍涉及電子元器件銷售、零售、批發(fā)，專業(yè)技術(shù)服務(wù)、代客研發(fā)和開發(fā)、定制電子元器件、計算機軟件、單片機、CPU、MCU、存儲器、寄存器、帶電可擦可編程只讀存儲器、連接器系統(tǒng)、繼電器、電路保護設(shè)備、儀器儀表元器件，計算機軟硬件，醫(yī)療設(shè)備芯片、電感、晶閘管、可控硅、MICROCHIP 、美國微芯、ATMEL、愛特梅爾、帶電可擦寫可編程只讀存儲器、場效應(yīng)管、內(nèi)存芯片、ATMEL存儲器、愛特梅爾存儲器、南京微盟、電源管理IC芯片、MICROCHIP /AT 存儲器、主控芯片、IC單片機、存儲器芯片、進口原裝代理、二三極管可控硅阻容感代理經(jīng)銷、存儲器、控制器、存儲服務(wù)器、數(shù)據(jù)管理、內(nèi)存、中Yang處理器、輸出設(shè)備、存儲器分類、內(nèi)存芯片、 FTP等多個環(huán)節(jié)，在國內(nèi)電子元器件行業(yè)擁有綜合優(yōu)勢。在電子元器件，集成電路，IC集成塊，主控芯片等領(lǐng)域完成了眾多可靠項目。