這個問題被稱為閃存的”縮放限制”，無論芯片上其余的CMOS能夠縮小多少,閃存都無法跟上步伐。必須要有新的嵌入式存儲器技術能搭配這些先進工藝制造的ASIC和MCU。嵌入式NOR閃存并不是獨一受到工藝演進影響的。嵌入式SRAM也面臨著相似的問題。隨著工藝縮小到幾十納米或更小,SRAM存儲單元(MemoryCell)的大小無法跟上。與NOR閃存不同,SRAM的問題在于其存儲單元的尺寸不會與工藝成比例地縮小。當工藝縮小50％時,它可能只縮小25％。這限縮了嵌入式NOR和嵌入式SRAM的發(fā)展,我們需要新存儲單元技術能繼續(xù)與流程成比例地縮小。幸運的是這些技術已經存在,并且已經開發(fā)很多年了。另一個問題為轉向新的存儲器技術提供了強有力的論據(jù),那就是存儲器消耗太多電力。物聯(lián)網(IoT)和移動裝置使用電池電力運行,其存儲器必須謹慎選擇,因為它們消耗大部分的電池電力,降低電池使用時間,而新的嵌入式存儲器技術可以降低功耗,因應這方面的需求。下一代移動架構將為人工智能及邊緣計算導入更高的計算能力需求,同時要求更低的功耗以滿足消費者的期望以及在嚴峻的市場競爭中獲勝。當然這些必須以低成本實現(xiàn),而這就是現(xiàn)有存儲器技術的挑戰(zhàn)。專業(yè)存儲芯片，需要存儲器芯片IC選千百路科技，提供樣品，技術服務。西安非易失性存儲器技術服務

因此DRAM不適合作為啟動、應用程序、操作系統(tǒng)等等代碼(Code)存儲使用,系統(tǒng)須搭配其他非易失性存儲器來執(zhí)行代碼存儲功能。另外,由于其多路尋址技術,DRAM也相對較慢。DRAM行地址選擇和列行地址選擇讓隨機讀取需花費25到300奈秒(ns)的時間,而這個延長的時間導致更高的總能量消耗。閃存存儲的數(shù)據(jù)不會衰減,斷電后可以保持其內容多年,但NOR閃存比DRAM貴很多,而NAND閃存是順序讀取而且無法存取至特定的字節(jié)。這與計算機運算隨機尋址讀取的需求并不匹配。所以NAND閃存必須與DRAM配對才能用于代碼存儲使用。與DRAM一樣,NAND閃存也具有某些特性導致其消耗的功率超出預期。首先,它需要使用片上(On-Chip)電荷泵產生高內部電壓。其次NAND閃存的寫入速度也很慢。麻煩的是,NAND閃存在寫入時不能直接覆蓋舊數(shù)據(jù),在將新數(shù)據(jù)寫入閃存之前須先擦除(Erase)原有存儲的數(shù)據(jù),并且必須一次寫入整個頁面(Page,通常為8,096字節(jié)),無法只寫入單一特定的字節(jié)。閃存技術不使用相同的機制來編程或擦除內容,不能只擦除單位(bit)、字節(jié)(byte)或頁面,而是必須整塊(Block),個塊通常包含數(shù)十萬個頁面。頁面寫入是一個緩慢且耗能的過程,通常需要300微秒(μs)時間并消耗80微焦耳(與讀取時的2微焦耳相比)能量。佛山只讀存儲器原廠授權分銷商國產存儲器品類和質量都在不斷提高，越來越多的電子產品選型國產存儲器。

MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復寫入。特點：1.非易失性、能耗低：非易失性指的是在關閉電源的情況下，數(shù)據(jù)也能得以保存而不丟失。相對而言，傳統(tǒng)半導體存儲器如eSRAM需要依賴持續(xù)供電以保存數(shù)據(jù)（易失性）。另外，相比于同樣是非易失性的eFlash，eMRAM能耗要小的多，其所需工作電壓與邏輯電壓一致（1.1V），而不像eFlash那樣需要高電壓（8-12V），且其寫入過程不需要先進行擦寫操作。2.速度快、耐久力強：相較eFlash微秒級的擦寫速度，eMRAM可達到納秒量級，接近eSRAM。耐久力強，指的是eMRAM可反復擦寫的次數(shù)幾乎接近于無限次,高于eFlash。

當今大多數(shù)電池供電的移動裝置和其他各種應用使用的MCU均采用CMOS工藝制造,CMOS工藝支持兩種存儲器技術：NOR閃存和SRAM。雖然這些技術在CMOS邏輯工藝中很容易嵌入,但它們消耗的功率通常超過預期。當需要更大的存儲器時,設計人員通常會添加外部存儲器芯片,如NOR閃存、NAND閃存、DRAM或這些存儲器的組合。然而這些外部存儲器對功耗的影響更大。以上二個現(xiàn)有存儲器的問題迫使設計人員開始評估新型的存儲器技術,試圖徹底解決這些問題。大系統(tǒng)中的功率問題在物聯(lián)網的另一端,在云端數(shù)據(jù)中心服務器的存儲器和數(shù)據(jù)存儲架構也非常重要,因為功耗通常是數(shù)據(jù)中心成本高的元素之一,尤其是納入冷卻系統(tǒng)時。DRAM和NAND閃存是當今用于計算系統(tǒng),從智能手機到數(shù)據(jù)處理設備,的主流存儲技術。然而對計算系統(tǒng)設計而言,這兩種存儲器類型都無法單獨存在,因為,雖然DRAM支持快速讀取和寫入,但DRAM存儲單元之電容的電荷在幾毫秒內就會衰減消失,所以需要不斷進行刷新,而刷新會消耗大量功率。即使系統(tǒng)是閑置的,DRAM也需不斷地使用電源進行刷新。8GbDRAM芯片消耗的大約20％的功率用于刷新,在芯片總功耗140毫瓦中占了25毫瓦。如果斷電,DRAM的內容就會消失(易失性存儲器),即使復電也不會回復。選擇存儲器就選千百路科技，提供原裝進口品牌存儲器芯片。

    MCU具有什么功能?MCU即微控制器，又稱單片機，把CPU的頻率與規(guī)格縮減，將內存、計數(shù)器、USB、A/D轉換、UART、PLC、DMA等整合在一個芯片上，形成芯片級的計算機。MCU應用廣。很常見的是消費類電子、工業(yè)領域、汽車電子。MCU的分類：按用途分，可分為通用型和特用型。按總線寬度分：可分為1、4、8、16、32、64位。按照存儲器類型：可分為無片內ROM型、帶片內ROM型。按存儲器結構分：哈佛結構、馮諾依曼結構。一款好的MCU具有的特點：抗干擾能力強，指令總數(shù)少，速度快，有的可在線編程。程序存儲器使用效率高，可靠性高。不發(fā)生多字節(jié)指令系統(tǒng)錯誤。國產單片機MCU系列代理，為用戶提供原廠產品和技術支持。應用于保健器材、小家電、安防、通信、燈飾、玩具、工控等領域。 千百路科技是一家專注于存儲器系列芯片的深圳代理公司。南京非易失性存儲器技術服務

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怎樣對存儲器進行分類：一、按存儲介質分：1、磁表面存儲器：用磁性材料制作而成的存儲器。2、半導體存儲器：即是用半導體元器件組成的存儲器。二、按存儲方式分：1、順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間與存儲單元的物理位置有關。2、隨機存儲器：任何存儲單元的內容，都可被隨機存取，且存取時間與存儲單元的物理位置無關。三、按存儲器的讀寫功能分：1、隨機讀寫存儲器(RAM)：既能讀出又能寫入，屬半導體存儲器。2、只讀存儲器(ROM)：存儲內容固定不變，只能讀出而不能寫入，屬半導體存儲器。原裝系列存儲器現(xiàn)貨西安非易失性存儲器技術服務

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