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廣東負(fù)性光刻膠感光膠

來源： 發(fā)布時(shí)間：2025-06-10

關(guān)鍵工藝流程

 涂布：

? 在晶圓/基板表面旋涂光刻膠，厚度控制在0.1-5μm（依制程精度調(diào)整），需均勻無氣泡（旋涂轉(zhuǎn)速500-5000rpm）。

 前烘（Soft Bake）：

? 加熱（80-120℃）去除溶劑，固化膠膜，增強(qiáng)附著力（避免顯影時(shí)邊緣剝離）。

 曝光：

? 光源匹配：

? G/I線膠：汞燈（適用于≥1μm線寬，如PCB、LCD）。

? DUV膠（248nm/193nm）：KrF/ArF準(zhǔn)分子激光（用于28nm-14nm制程，如存儲(chǔ)芯片）。

? EUV膠（13.5nm）：極紫外光源（用于7nm以下制程，需控制納米級(jí)缺陷）。

? 曝光能量：需精確控制（如ArF膠約50mJ/cm2），避免過曝或欠曝導(dǎo)致圖案失真。

 顯影：

? 采用堿性溶液（如0.262N四甲基氫氧化銨，TMAH），曝光區(qū)域膠膜溶解，未曝光區(qū)域保留，形成三維立體圖案。

 后烘（Post-Exposure Bake, PEB）：

? 化學(xué)增幅型膠需此步驟，通過加熱（90-130℃）激發(fā)光酸催化反應(yīng)，提高分辨率和耐蝕刻性。
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光刻膠（如液晶平板顯示器光刻膠）

  • 液晶平板顯示器制造：在液晶平板顯示器（LCD）的生產(chǎn)過程中，光刻膠用于制作液晶盒內(nèi)的各種精細(xì)圖案，包括像素電極、公共電極、取向?qū)訄D案等。這些圖案的精度和質(zhì)量直接影響液晶顯示器的顯示效果，如分辨率、對(duì)比度、視角等。
  • 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器（OLED）制造：OLED 顯示器的制造同樣需要光刻膠來制作電極、像素定義層等關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。OLED 顯示器具有自發(fā)光、響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，而光刻膠能保障其精細(xì)的像素結(jié)構(gòu)制作，提升顯示器的發(fā)光效率和顯示質(zhì)量 。


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 研發(fā)投入
? 擁有自己實(shí)驗(yàn)室和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，研發(fā)費(fèi)用占比超15%，聚焦EUV光刻膠前驅(qū)體、低缺陷納米壓印膠等前沿領(lǐng)域，與中山大學(xué)、華南理工大學(xué)建立產(chǎn)學(xué)研合作。

? 專項(xiàng)布局：累計(jì)申請(qǐng)光刻膠相關(guān)的項(xiàng)目30余項(xiàng)，涵蓋樹脂合成、配方優(yōu)化、涂布工藝等細(xì)致環(huán)節(jié)。

 生產(chǎn)體系

? 全自動(dòng)化產(chǎn)線：采用德國曼茨（Manz）涂布設(shè)備、日本島津（Shimadzu）檢測(cè)儀器，年產(chǎn)能超500噸（光刻膠），支持小批量定制（小訂單100g）和大規(guī)模量產(chǎn)。

? 潔凈環(huán)境：生產(chǎn)車間達(dá)萬級(jí)潔凈標(biāo)準(zhǔn)（ISO 8級(jí)），避免顆粒污染，確保光刻膠缺陷密度<5個(gè)/cm2。

LCD顯示

? 彩色濾光片（CF）：

? 黑色矩陣（BM）光刻膠：隔離像素，線寬精度±2μm，透光率<0.1%。

? RGB色阻光刻膠：形成紅/綠/藍(lán)像素，需高色純度（NTSC≥95%）和耐光性。

? 陣列基板（Array）：

? 柵極絕緣層光刻膠：用于TFT-LCD的柵極圖案化，分辨率≤3μm。

 OLED顯示（柔性/剛性）

? 像素定義層（PDL）光刻膠：在基板上形成有機(jī)發(fā)光材料的 confinement 結(jié)構(gòu)，線寬精度±1μm，需耐溶劑侵蝕（適應(yīng)蒸鍍工藝）。

? 觸控電極（如ITO/PET）：通過光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)透明導(dǎo)電線路，線寬≤5μm。

 Mini/Micro LED

? 巨量轉(zhuǎn)移前的芯片制備：使用高分辨率光刻膠（分辨率≤5μm）定義微米級(jí)LED陣列，良率要求>99.99%。
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 上游原材料：

? 樹脂：彤程新材、鼎龍股份實(shí)現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成，金屬雜質(zhì)含量<5ppb（國際標(biāo)準(zhǔn)<10ppb）。

? 光引發(fā)劑：久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑，累計(jì)形成噸級(jí)訂單；威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線。

? 溶劑：怡達(dá)股份電子級(jí)PM溶劑全球市占率超40%，與南大光電合作開發(fā)配套溶劑，技術(shù)指標(biāo)達(dá)SEMI G5標(biāo)準(zhǔn)。

設(shè)備與驗(yàn)證：

? 上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機(jī)適配參數(shù)，驗(yàn)證周期較國際廠商縮短6個(gè)月；徐州博康實(shí)現(xiàn)“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產(chǎn)化，適配ASML Twinscan NXT系列光刻機(jī)。

? 國內(nèi)企業(yè)通過18-24個(gè)月的晶圓廠驗(yàn)證周期（如中芯國際、長江存儲(chǔ)），一旦導(dǎo)入不易被替代。
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應(yīng)用場(chǎng)景

 半導(dǎo)體集成電路（IC）制造：

? 邏輯芯片（CPU/GPU）：在28nm以下制程中，正性DUV/EUV膠用于晶體管、互連布線的精細(xì)圖案化（如10nm節(jié)點(diǎn)線寬只有100nm）。

? 存儲(chǔ)芯片（DRAM/NAND）：3D堆疊結(jié)構(gòu)中，正性膠用于層間接觸孔（Contact）和柵極（Gate）的高深寬比圖形（深寬比＞10:1）。

 平板顯示（LCD/OLED）：

? 彩色濾光片（CF）：制作黑矩陣（BM）和彩色層（R/G/B），要求高透光率和邊緣銳利度（線寬5-10μm）。

? OLED電極：在柔性基板上形成微米級(jí)透明電極，需低應(yīng)力膠膜防止基板彎曲變形。

 印刷電路板（PCB）：

? 高密度互連（HDI）：用于細(xì)線路（線寬/線距≤50μm），如智能手機(jī)主板，相比負(fù)性膠，正性膠可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路邊緣。

 微納加工與科研：

? MEMS傳感器：制作微米級(jí)懸臂梁、齒輪等結(jié)構(gòu)，需耐干法蝕刻的正性膠（如含硅樹脂膠）。

? 納米光刻：電子束光刻膠（正性為主）用于研發(fā)級(jí)納米圖案（分辨率＜10nm）。
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標(biāo)簽： 錫膏 光刻膠 錫片