先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。
EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲備奠定基礎(chǔ)。
新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機(jī)晶體管,實現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。
光刻膠廠家推薦吉田半導(dǎo)體。中山阻焊光刻膠國產(chǎn)廠商
廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司多種光刻膠產(chǎn)品,各有特性與優(yōu)勢,適用于不同領(lǐng)域。
厚板光刻膠 JT - 3001:具有優(yōu)異的分辨率和感光度,抗深蝕刻性能良好。符合歐盟 ROHS 標(biāo)準(zhǔn),保質(zhì)期 1 年,適用于對光刻精度和抗蝕刻要求較高的厚板加工場景,如一些特殊的電路板制造。
SU - 3 負(fù)性光刻膠:分辨率優(yōu)異,對比度良好,曝光靈敏度高,光源適應(yīng)。重量為 100g,常用于對曝光精度和光源適應(yīng)性要求較高的微納加工、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域。
液晶平板顯示器負(fù)性光刻膠 JT - 1000:有 1L 和 100g 兩種規(guī)格,具有優(yōu)異的分辨率,準(zhǔn)確性和穩(wěn)定性好。主要應(yīng)用于液晶平板顯示器的制造,能滿足其對光刻膠高精度和穩(wěn)定性的需求。
JT - 2000 UV 納米壓印光刻膠:耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿,耐高溫達(dá) 250°C,長期可靠性高,粘接強(qiáng)度高。重量 100g,適用于需要在特殊化學(xué)和高溫環(huán)境下進(jìn)行納米壓印光刻的工藝,如一些半導(dǎo)體器件的制造。
重慶LCD光刻膠報價正性光刻膠生產(chǎn)原料。
市場拓展
? 短期目標(biāo):2025年前實現(xiàn)LCD光刻膠國內(nèi)市占率10%,半導(dǎo)體負(fù)性膠進(jìn)入中芯國際、華虹供應(yīng)鏈,納米壓印膠完成臺積電驗證。
? 長期愿景:成為全球的半導(dǎo)體材料方案提供商,2030年芯片光刻膠營收占比超40%,布局EUV光刻膠和第三代半導(dǎo)體材料。
. 政策與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同
? 受益于廣東省“強(qiáng)芯工程”和東莞市10億元半導(dǎo)體材料基金,獲設(shè)備采購補(bǔ)貼(30%)和稅收減免,加速KrF/ArF光刻膠研發(fā)。
? 與松山湖材料實驗室、華為終端建立聯(lián)合研發(fā)中心,共同攻關(guān)光刻膠關(guān)鍵技術(shù),縮短客戶驗證周期(目前平均12-18個月)。
. 挑戰(zhàn)與應(yīng)對
? 技術(shù)壁壘:ArF/EUV光刻膠仍依賴進(jìn)口,計劃2026年建成中試線,突破分辨率和靈敏度瓶頸(目標(biāo)曝光劑量<10mJ/cm2)。
? 供應(yīng)鏈風(fēng)險:部分原材料(如樹脂)進(jìn)口占比超60%,正推進(jìn)“國產(chǎn)替代計劃”,與鼎龍股份、久日新材建立戰(zhàn)略合作為原材料供應(yīng)。
光刻膠(Photoresist)是一種對光敏感的高分子材料,主要用于光刻工藝中,通過光化學(xué)反應(yīng)實現(xiàn)圖案的轉(zhuǎn)移,是半導(dǎo)體、集成電路(IC)、印刷電路板(PCB)、液晶顯示(LCD)等制造領(lǐng)域的材料之一。
光刻膠特性與組成
? 光敏性:在特定波長(如紫外光、極紫外光EUV等)照射下,會發(fā)生化學(xué)結(jié)構(gòu)變化(如交聯(lián)或分解),從而改變在顯影液中的溶解性。
? 主要成分:
? 樹脂(成膜劑):形成基礎(chǔ)膜層,決定光刻膠的機(jī)械和化學(xué)性能。
? 光敏劑:吸收光能并引發(fā)化學(xué)反應(yīng)(如光分解、光交聯(lián))。
? 溶劑:調(diào)節(jié)粘度,便于涂覆成膜。
? 添加劑:改善性能(如感光度、分辨率、對比度等)。
光刻膠國產(chǎn)替代的主要難點有哪些?
吉田半導(dǎo)體的自研產(chǎn)品已深度融入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈:
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芯片制造:YK-300 光刻膠服務(wù)中芯國際、長江存儲,支持國產(chǎn) 14nm 芯片量產(chǎn)。
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顯示面板:YK-200 LCD 光刻膠市占率達(dá) 15%,成為京東方、華星光電戰(zhàn)略合作伙伴。
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新能源領(lǐng)域:無鹵無鉛焊片通過 UL 認(rèn)證,批量應(yīng)用于寧德時代儲能系統(tǒng),年供貨量超 500 噸。
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研發(fā)投入:年研發(fā)費用占比超 15%,承擔(dān)國家 02 專項課題,獲 “國家技術(shù)發(fā)明二等獎”。
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產(chǎn)能規(guī)模:光刻膠年產(chǎn)能 5000 噸,納米壓印光刻膠占全球市場份額 15%。
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質(zhì)量體系:通過 ISO9001、IATF 16949 等認(rèn)證,生產(chǎn)過程執(zhí)行 8S 管理,批次穩(wěn)定性達(dá) 99.5%。
吉田半導(dǎo)體將繼續(xù)聚焦光刻膠研發(fā),加速 EUV 光刻膠與木基材料技術(shù)突破,目標(biāo)在 2027 年前實現(xiàn) 7nm 制程材料量產(chǎn)。同時,深化國產(chǎn)供應(yīng)鏈協(xié)同,構(gòu)建 “材料 - 設(shè)備 - 工藝” 一體化生態(tài)圈,為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自主化貢獻(xiàn) “吉田力量”。
從突破國際壟斷到行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),吉田半導(dǎo)體以自研自產(chǎn)為引擎,走出了一條中國半導(dǎo)體材料企業(yè)的崛起之路。未來,公司將以更具競爭力的產(chǎn)品與技術(shù),助力中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向更高臺階。
吉田半導(dǎo)體全系列產(chǎn)品覆蓋,滿足多元化需求。江西光刻膠廠家
吉田半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣。中山阻焊光刻膠國產(chǎn)廠商
上游原材料:
? 樹脂:彤程新材、鼎龍股份實現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成,金屬雜質(zhì)含量<5ppb(國際標(biāo)準(zhǔn)<10ppb)。
? 光引發(fā)劑:久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑,累計形成噸級訂單;威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線。
? 溶劑:怡達(dá)股份電子級PM溶劑全球市占率超40%,與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,技術(shù)指標(biāo)達(dá)SEMI G5標(biāo)準(zhǔn)。
設(shè)備與驗證:
? 上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機(jī)適配參數(shù),驗證周期較國際廠商縮短6個月;徐州博康實現(xiàn)“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產(chǎn)化,適配ASML Twinscan NXT系列光刻機(jī)。
? 國內(nèi)企業(yè)通過18-24個月的晶圓廠驗證周期(如中芯國際、長江存儲),一旦導(dǎo)入不易被替代。
中山阻焊光刻膠國產(chǎn)廠商