廣東吉田半導(dǎo)體材料有限公司成立于松山湖經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),是一家專注于半導(dǎo)體材料研發(fā)、生產(chǎn)與銷售的技術(shù)企業(yè)。公司注冊資本 2000 萬元,擁有 23 年行業(yè)經(jīng)驗,產(chǎn)品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD 光刻膠、半導(dǎo)體錫膏、焊片及靶材等,服務(wù)全球市場并與多家世界 500 強(qiáng)企業(yè)建立長期合作關(guān)系。
作為國家技術(shù)企業(yè),吉田半導(dǎo)體以科技創(chuàng)新為驅(qū)動力,擁有多項技術(shù),并通過 ISO9001:2008 質(zhì)量體系認(rèn)證。生產(chǎn)過程嚴(yán)格遵循 8S 現(xiàn)場管理標(biāo)準(zhǔn),原材料均采用美、德、日等國進(jìn)口的材料,確保產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定可靠。公司配備全自動化生產(chǎn)設(shè)備,具備行業(yè)大型的規(guī)模化生產(chǎn)能力,致力于成為 “半導(dǎo)體材料方案提供商”。
其明星產(chǎn)品包括:適用于 LCD 制造的正性光刻膠 YK-200/YK-300,具備高分辨率與優(yōu)異涂布性能;3 微米負(fù)性光刻膠 SU-3,適用于厚膜工藝;耐高溫達(dá) 250℃的納米壓印光刻膠 JT-2000,可滿足高精度微納加工需求。所有產(chǎn)品均符合要求,部分型號通過歐盟 ROHS 認(rèn)證。
KrF/ArF光刻膠是當(dāng)前半導(dǎo)體制造的主流材料,占市場份額超60%。河南油性光刻膠
先進(jìn)制程瓶頸突破
KrF/ArF光刻膠的量產(chǎn)能力提升直接推動7nm及以下制程的國產(chǎn)化進(jìn)程。例如,恒坤新材的KrF光刻膠已批量供應(yīng)12英寸產(chǎn)線,覆蓋7nm工藝,其工藝寬容度較日本同類型產(chǎn)品提升30%。這使得國內(nèi)晶圓廠(如中芯國際)在DUV多重曝光技術(shù)下,能夠以更低成本實現(xiàn)接近EUV的制程效果,緩解了EUV光刻機(jī)禁運(yùn)的壓力。此外,武漢太紫微的T150A光刻膠通過120nm分辨率驗證,為28nm成熟制程的成本優(yōu)化提供了新方案。
EUV光刻膠研發(fā)加速
盡管EUV光刻膠目前完全依賴進(jìn)口,但國內(nèi)企業(yè)已啟動關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。久日新材的光致產(chǎn)酸劑實現(xiàn)噸級訂單,科技部“十四五”專項計劃投入20億元支持EUV光刻膠研發(fā)。華中科技大學(xué)團(tuán)隊開發(fā)的“雙非離子型光酸協(xié)同增強(qiáng)響應(yīng)”技術(shù),將EUV光刻膠的靈敏度提升至0.5mJ/cm2,較傳統(tǒng)材料降低20倍曝光劑量。這些突破為未來3nm以下制程的技術(shù)儲備奠定基礎(chǔ)。
新型光刻技術(shù)融合
復(fù)旦大學(xué)團(tuán)隊開發(fā)的功能型光刻膠,在全畫幅尺寸芯片上集成2700萬個有機(jī)晶體管,實現(xiàn)特大規(guī)模集成(ULSI)水平。這種技術(shù)突破不僅拓展了光刻膠在柔性電子、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域的應(yīng)用,還為碳基芯片、量子計算等顛覆性技術(shù)提供了材料支撐。
湖南進(jìn)口光刻膠報價光刻膠的主要成分包括樹脂、感光劑、溶劑和添加劑,其配比直接影響成像質(zhì)量。
光刻膠的納米級性能要求
超高分辨率:需承受電子束(10keV以上)或EUV(13.5nm波長)的轟擊,避免散射導(dǎo)致的邊緣模糊,目前商用EUV膠分辨率已達(dá)13nm(3nm制程)。
低缺陷率:納米級結(jié)構(gòu)對膠層中的顆?;蚧瘜W(xué)不均性極其敏感,需通過化學(xué)增幅型配方(如酸催化交聯(lián))提升對比度和抗刻蝕性。
多功能性:兼容多種基底(柔性聚合物、陶瓷)和后處理工藝(干法刻蝕、原子層沉積),例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術(shù)挑戰(zhàn)與前沿方向
? EUV光刻膠優(yōu)化:解決曝光后酸擴(kuò)散導(dǎo)致的線寬波動,開發(fā)含氟聚合物或金屬有機(jī)材料以提高靈敏度。
? 無掩膜光刻:結(jié)合機(jī)器學(xué)習(xí)優(yōu)化電子束掃描路徑,直接寫入復(fù)雜納米圖案(如神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)芯片的突觸陣列),縮短制備周期。
? 生物基光刻膠:開發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,用于生物芯片或環(huán)保型納米制造。
感光機(jī)制
? 重氮型(雙液型):需混合光敏劑(如二疊氮二苯乙烯二磺酸鈉),曝光后通過交聯(lián)反應(yīng)固化,適用于精細(xì)圖案(如PCB電路線寬≤0.15mm)。
? SBQ型(單液型):預(yù)混光敏劑,無需調(diào)配,感光度高(曝光時間縮短30%),適合快速制版(如服裝印花)。
? 環(huán)保型:采用無鉻配方(如CN10243143A),通過多元固化體系(熱固化+光固化)實現(xiàn)12-15mJ/cm2快速曝光,分辨率達(dá)2μm,符合歐盟REACH標(biāo)準(zhǔn)。
功能細(xì)分
? 耐溶劑型:如日本村上AD20,耐酒精、甲苯等溶劑,適用于電子油墨印刷。
? 耐水型:如瑞士科特1711,抗水性強(qiáng),適合紡織品水性漿料。
? 厚版型:如德國K?ppen厚版膠,單次涂布可達(dá)50μm,用于立體印刷。
典型應(yīng)用場景:
? PCB制造:使用360目尼龍網(wǎng)+重氮感光膠,配合LED曝光(405nm波長),實現(xiàn)0.15mm線寬,耐酸性蝕刻液。
? 紡織印花:圓網(wǎng)制版采用9806A型感光膠,涂布厚度20μm,耐堿性染料色漿,耐印率超10萬次。
? 包裝印刷:柔版制版選用杜邦賽麗® Lightning LFH版材,UV-LED曝光+無溶劑工藝,碳排放降低40%。
光刻膠在存儲器芯片(DRAM/NAND)中用于高密度存儲單元的刻蝕掩模。
上游原材料:
? 樹脂:彤程新材、鼎龍股份實現(xiàn)KrF/ArF光刻膠樹脂自主合成,金屬雜質(zhì)含量<5ppb(國際標(biāo)準(zhǔn)<10ppb)。
? 光引發(fā)劑:久日新材攻克EUV光刻膠原料光致產(chǎn)酸劑,累計形成噸級訂單;威邁芯材合肥基地建成100噸/年ArF/KrF光刻膠主材料產(chǎn)線。
? 溶劑:怡達(dá)股份電子級PM溶劑全球市占率超40%,與南大光電合作開發(fā)配套溶劑,技術(shù)指標(biāo)達(dá)SEMI G5標(biāo)準(zhǔn)。
設(shè)備與驗證:
? 上海新陽與上海微電子聯(lián)合開發(fā)光刻機(jī)適配參數(shù),驗證周期較國際廠商縮短6個月;徐州博康實現(xiàn)“單體-樹脂-成品膠”全鏈條國產(chǎn)化,適配ASML Twinscan NXT系列光刻機(jī)。
? 國內(nèi)企業(yè)通過18-24個月的晶圓廠驗證周期(如中芯國際、長江存儲),一旦導(dǎo)入不易被替代。
挑戰(zhàn)與未來展望的發(fā)展。
紫外光刻膠感光膠高分辨率光刻膠需滿足亞微米甚至納米級線寬的圖形化需求。河南油性光刻膠
研發(fā)投入的“高門檻”
一款KrF光刻膠的研發(fā)費(fèi)用約2億元,而國際巨頭年研發(fā)投入超10億美元。國內(nèi)企業(yè)如彤程新材2024年半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)營收只5.4億元,研發(fā)投入占比不足15%,難以支撐長期技術(shù)攻關(guān)。
2. 價格競爭的“雙重擠壓”
國內(nèi)PCB光刻膠價格較國際低30%,但半導(dǎo)體光刻膠因性能差距,價格為進(jìn)口產(chǎn)品的70%,而成本卻高出20%。例如,國產(chǎn)ArF光刻膠售價約150萬元/噸,而日本同類產(chǎn)品為120萬元/噸,且性能更優(yōu)。
突破路徑與未來展望
原材料國產(chǎn)化攻堅:聚焦樹脂單體合成、光酸純化等關(guān)鍵環(huán)節(jié),推動八億時空、怡達(dá)股份等企業(yè)實現(xiàn)百噸級量產(chǎn)。
技術(shù)路線創(chuàng)新:探索金屬氧化物基光刻膠、電子束光刻膠等新方向,華中科技大學(xué)團(tuán)隊已實現(xiàn)5nm線寬原型驗證。
產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同創(chuàng)新:借鑒“TSMC-供應(yīng)商”模式,推動晶圓廠與光刻膠企業(yè)共建聯(lián)合實驗室,縮短認(rèn)證周期。
政策與資本雙輪驅(qū)動:依托國家大基金三期,對通過驗證的企業(yè)給予設(shè)備采購補(bǔ)貼(30%),并設(shè)立專項基金支持EUV光刻膠研發(fā)。
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