干法刻蝕使用氣體作為主要刻蝕材料，不需要液體化學(xué)品沖洗。干法刻蝕主要分為等離子刻蝕，離子濺射刻蝕，反應(yīng)離子刻蝕三種，運(yùn)用在不同的工藝步驟中。等離子體刻蝕是將刻蝕氣體電離，產(chǎn)生帶電離子，分子，電子以及化學(xué)活性很強(qiáng)的原子（分子）團(tuán)，然后原子（分子）團(tuán)會與待刻蝕材料反應(yīng)，生成具有揮發(fā)性的物質(zhì)，并被真空設(shè)備抽氣排出。根據(jù)產(chǎn)生等離子體方法的不同，干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離子體刻蝕。電容性等離子體刻蝕主要處理較硬的介質(zhì)材料，刻蝕高深寬比的通孔，接觸孔，溝道等微觀結(jié)構(gòu)。電感性等離子體刻蝕，主要處理較軟和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。深硅刻蝕設(shè)備的應(yīng)用案例是指深硅刻蝕設(shè)備在不同領(lǐng)域和場景中成功地制造出具有特定功能和性能硅結(jié)構(gòu)的實(shí)例。東莞金屬刻蝕材料刻蝕版廠家

深硅刻蝕設(shè)備在微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS）領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用，主要用于制作微流體器件、圖像傳感器、微針、微模具等。MEMS是一種利用微納米技術(shù)制造出具有機(jī)械、電子、光學(xué)、熱學(xué)、化學(xué)等功能的微型器件，它可以實(shí)現(xiàn)傳感、控制、驅(qū)動、處理等多種功能，廣泛應(yīng)用于醫(yī)療、生物、環(huán)境、通信、能源等領(lǐng)域。MEMS的制作需要使用深硅刻蝕設(shè)備，在硅片上開出深度和高方面比的溝槽或孔，形成MEMS的結(jié)構(gòu)層，然后通過鍵合或釋放等工藝，完成MEMS的封裝或懸浮。MEMS結(jié)構(gòu)對深硅刻蝕設(shè)備提出了較高的刻蝕精度和均勻性的要求，同時(shí)也需要考慮刻蝕剖面和形狀的可控性和多樣性。遼寧MEMS材料刻蝕工藝Bosch工藝作為深硅刻蝕的基本工藝，采用SF6和C4F8循環(huán)刻蝕實(shí)現(xiàn)高深寬比的硅刻蝕。

現(xiàn)代離子束刻蝕裝備融合等離子體物理與精密工程技術(shù)，其多極磁場約束系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)束流精度質(zhì)的飛躍。在300mm晶圓量產(chǎn)中，創(chuàng)新七柵離子光學(xué)結(jié)構(gòu)與自適應(yīng)控制算法完美配合，將刻蝕均勻性推至亞納米級別。突破性突破在于發(fā)展出晶圓溫度實(shí)時(shí)補(bǔ)償系統(tǒng)，消除熱形變導(dǎo)致的圖形畸變，支撐半導(dǎo)體制造進(jìn)入原子精度時(shí)代。離子束刻蝕在高級光學(xué)制造領(lǐng)域開創(chuàng)非接觸加工新范式，其納米級選擇性去除技術(shù)實(shí)現(xiàn)亞埃級面形精度。在極紫外光刻物鏡制造中，該技術(shù)成功應(yīng)用駐留時(shí)間控制算法，將300mm非球面鏡的面形誤差控制在0.1nm以下。突破性在于建立大氣環(huán)境與真空環(huán)境的精度轉(zhuǎn)換模型，使光學(xué)系統(tǒng)波像差達(dá)到0.5nm極限，支撐3nm芯片制造的光學(xué)系統(tǒng)量產(chǎn)。

大功率激光系統(tǒng)通過離子束刻蝕實(shí)現(xiàn)衍射光學(xué)元件的性能變化，其多自由度束流控制技術(shù)達(dá)成波長級加工精度。在國家點(diǎn)火裝置中，該技術(shù)成功制造500mm口徑的復(fù)雜光柵結(jié)構(gòu)，利用創(chuàng)新性的三軸聯(lián)動算法優(yōu)化激光波前相位。突破性進(jìn)展在于建立加工形貌實(shí)時(shí)反饋系統(tǒng)，使高能激光的聚焦精度達(dá)到微米量級，為慣性約束聚變提供關(guān)鍵光學(xué)組件。離子束刻蝕在量子計(jì)算領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)里程碑突破，其低溫協(xié)同工藝完美平衡加工精度與量子相干性保護(hù)。在超導(dǎo)量子芯片制造中，該技術(shù)創(chuàng)新融合束流調(diào)控與超真空技術(shù)，在150K環(huán)境實(shí)現(xiàn)約瑟夫森結(jié)的原子級界面加工。突破性在于建立量子比特頻率在線監(jiān)測系統(tǒng)，將量子門保真度提升至99.99%實(shí)用水平，為1024位量子處理器工程化掃除關(guān)鍵障礙。隨著生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域?qū)璧牟粩嗵岣?，深硅刻蝕設(shè)備也需要不斷地進(jìn)行創(chuàng)新和改進(jìn)。

微流體器件是指用于實(shí)現(xiàn)微小液體或氣體的輸送、控制和分析的器件，如微閥門、微混合器、微反應(yīng)器等。深硅刻蝕設(shè)備在這些微流體器件中主要用于形成微通道、微孔洞、微隔膜等。光學(xué)開關(guān)是指用于實(shí)現(xiàn)光信號的開關(guān)或路由的器件，如數(shù)字光處理（DLP）芯片、液晶顯示（LCD）屏幕等。深硅刻蝕設(shè)備在這些光學(xué)開關(guān)中主要用于形成微鏡陣列、液晶單元等。深硅刻蝕設(shè)備在光電子領(lǐng)域也有著重要的應(yīng)用，主要用于制造光纖通信、光存儲和光計(jì)算等方面的器件，如光波導(dǎo)、光調(diào)制器、光探測器等。離子束刻蝕為大功率激光系統(tǒng)提供達(dá)到波長級精度的衍射光學(xué)元件。河北Si材料刻蝕平臺

深硅刻蝕設(shè)備的主要組成部分有反應(yīng)室， 真空系統(tǒng)，控制系統(tǒng)。東莞金屬刻蝕材料刻蝕版廠家

磁存儲芯片制造中，離子束刻蝕的變革性價(jià)值在于解決磁隧道結(jié)側(cè)壁氧化的世界難題。通過開發(fā)動態(tài)傾角刻蝕工藝，在磁性多層膜加工中建立自保護(hù)界面機(jī)制，使關(guān)鍵的垂直磁各向異性保持完整。該技術(shù)創(chuàng)新性地利用離子束與材料表面的物理交互特性，在原子尺度維持鐵磁層電子自旋特性，為1Tb/in2超高密度存儲器掃清技術(shù)障礙，推動存算一體架構(gòu)進(jìn)入商業(yè)化階段。離子束刻蝕重新定義紅外光學(xué)器件的性能極限，其多材料協(xié)同加工能力成功實(shí)現(xiàn)復(fù)雜膜系的微結(jié)構(gòu)控制。在導(dǎo)彈紅外導(dǎo)引頭制造中，該技術(shù)同步加工鍺硅交替層的光學(xué)結(jié)構(gòu)，通過能帶工程原理優(yōu)化紅外波段的透射與反射特性。其突破性在于建立真空環(huán)境下的原子遷移模型，在直徑125mm的光學(xué)窗口上實(shí)現(xiàn)99%寬帶透射率，使導(dǎo)引頭在沙漠與極地的極端溫差環(huán)境中保持鎖定精度。東莞金屬刻蝕材料刻蝕版廠家