目前認為濺射現(xiàn)象是彈性碰撞的直接結(jié)果，濺射完全是動能的交換過程。當正離子轟擊陰極靶，入射離子撞擊靶表面上的原子時，產(chǎn)生彈性碰撞，它直接將其動能傳遞給靶表面上的某個原子或分子，該表面原子獲得動能再向靶內(nèi)部原子傳遞，經(jīng)過一系列的級聯(lián)碰撞過程，當其中某一個原子或分子獲得指向靶表面外的動量，并且具有了克服表面勢壘(結(jié)合能)的能量，它就可以脫離附近其它原子或分子的束縛，逸出靶面而成為濺射原子。ITO薄膜的磁控濺射靶主要分為InSn合金靶、In2O3-SnO2陶瓷靶兩類。在用合金靶制備ITO薄膜時,由于濺射過程中作為反應(yīng)氣體的氧會和靶發(fā)生很強的電化學反應(yīng),靶面覆蓋一層化合物,使濺射蝕損區(qū)域縮得很小(俗稱“靶中毒”),以至很難用直流濺射的方法穩(wěn)定地制備出高質(zhì)的ITO膜。陶瓷靶因能抑制濺射過程中氧的選擇性濺射,能穩(wěn)定地將金屬銦和錫與氧的反應(yīng)物按所需的化學配比穩(wěn)定地成膜,故無中毒現(xiàn)象,工藝窗口寬,穩(wěn)定性好。反應(yīng)氣體過量就會導致靶中毒。深圳UV光固化真空鍍膜

LPCVD的制程主要包括以下幾個步驟：預處理：在LPCVD之前，需要對襯底進行清潔和預熱，以去除表面的雜質(zhì)和水分，防止薄膜沉積過程中產(chǎn)生缺陷或不均勻。預處理的方法有濕法清潔、干法清潔、氫退火等。裝載：將經(jīng)過預處理的襯底放入LPCVD反應(yīng)器中，一般采用批量裝載的方式，可以同時處理多片襯底，提高生產(chǎn)效率。裝載時需要注意襯底之間的間距和排列方式，以保證沉積均勻性。抽真空：在LPCVD反應(yīng)器中抽真空，將反應(yīng)器內(nèi)的壓力降低到所需的工作壓力，一般在0.1-10托爾之間。抽真空的目的是減少氣體分子之間的碰撞，增加氣體分子與襯底表面的碰撞概率，從而提高沉積速率和均勻性。河南LPCVD真空鍍膜鍍膜技術(shù)可用于制造精密儀器部件。

LPCVD設(shè)備的工藝參數(shù)主要包括以下幾個方面：（1）氣體前驅(qū)體的種類和比例，影響了薄膜的組成和性能；（2）氣體前驅(qū)體的流量和壓力，影響了薄膜的沉積速率和均勻性；（3）反應(yīng)溫度和時間，影響了薄膜的結(jié)構(gòu)和質(zhì)量；（4）襯底材料和表面處理，影響了薄膜的附著力和界面特性。不同類型的薄膜材料需要使用不同的工藝參數(shù)。例如，多晶硅的沉積需要使用硅烷作為氣體前驅(qū)體，流量為50-200sccm，壓力為0.1-1Torr，溫度為525-650℃，時間為10-60min；氮化硅的沉積需要使用硅烷和氨作為氣體前驅(qū)體，比例為1:3-1:10，流量為100-500sccm，壓力為0.2-0.8Torr，溫度為700-900℃，時間為10-30min。

電子束蒸發(fā)蒸鍍?nèi)珂u(W）、鉬（Mo）等高熔點材料，需要在坩堝的結(jié)構(gòu)上做一定的改進。高熔點的材料采用錠或者顆粒狀放在坩堝當中，因為水冷坩堝導熱過快，材料難以達到其蒸發(fā)的溫度。經(jīng)過實驗的驗證，蒸發(fā)高熔點的材料可以用薄片來蒸鍍，將1mm材料薄片架空于碳坩堝上沿，薄片只能通過坩堝邊沿來導熱，散熱速率慢，有利于達到蒸發(fā)的熔點。采用此方法可滿足蒸鍍50nm以下的材料薄膜。PVD(氣相沉積)鍍膜技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應(yīng)于PVD技術(shù)的三個分類，相應(yīng)的真空鍍膜設(shè)備也就有真空蒸發(fā)鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。近十多年來，真空離子鍍膜技術(shù)的發(fā)展是快的，它已經(jīng)成為當今先進的表面處理方式之一。我們通常所說的PVD鍍膜，指的就是真空離子鍍膜；通常所說的PVD鍍膜機，指的也就是真空離子鍍膜機。真空鍍膜過程中需嚴格控制鍍膜時間。

LPCVD設(shè)備中重要的工藝參數(shù)之一是反應(yīng)溫度，因為它直接影響了反應(yīng)速率、反應(yīng)機理、反應(yīng)產(chǎn)物、反應(yīng)選擇性等方面。一般來說，反應(yīng)溫度越高，反應(yīng)速率越快，沉積速率越高；反應(yīng)溫度越低，反應(yīng)速率越慢，沉積速率越低。但是，并不是反應(yīng)溫度越高越好，因為過高的反應(yīng)溫度也會帶來一些不利的影響。例如，過高的反應(yīng)溫度會導致氣體前驅(qū)體過早分解或聚合，從而降低沉積效率或增加副產(chǎn)物；過高的反應(yīng)溫度會導致襯底材料發(fā)生熱損傷或熱擴散，從而降低襯底質(zhì)量或改變襯底特性；過高的反應(yīng)溫度會導致薄膜材料發(fā)生結(jié)晶或相變，從而改變薄膜結(jié)構(gòu)或性能。真空鍍膜過程中需精確控制氣體流量。宜賓真空鍍膜廠

薄膜中存在的各種缺陷是產(chǎn)生本征應(yīng)力的主要原因，這些缺陷一般都是非平衡缺陷，但需要外界給予活化能。深圳UV光固化真空鍍膜

電子束蒸發(fā)法是真空蒸發(fā)鍍膜中一種常用的方法，是在高真空條件下利用電子束激發(fā)進行直接加熱蒸發(fā)材料，是使蒸發(fā)材料由固體轉(zhuǎn)變?yōu)闅饣⑾蛞r底輸運，在基底上凝結(jié)形成薄膜的方法。在電子束加熱裝置中，被加熱的材料放置于底部有循環(huán)水冷的坩堝當中，可避免電子束擊穿坩堝導致儀器損壞，而且可避免蒸發(fā)材料與坩堝壁發(fā)生反應(yīng)影響薄膜的質(zhì)量，因此，電子束蒸發(fā)沉積法可以制備高純薄膜。在微電子與光電子集成中，薄膜的形成方法主要有兩大類，及沉積和外延生長。沉積技術(shù)分為物理沉積、化學沉積和混合方法沉積。蒸發(fā)沉積（熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)）和濺射沉積是典型的物理方法；化學氣相沉積是典型的化學方法；等離子體增強化學氣相沉積是物理與化學方法相結(jié)合的混合方法。薄膜沉積過程，通常生成的是非晶膜和多晶膜，沉積部位和晶態(tài)結(jié)構(gòu)都是隨機的，而沒有固定的晶態(tài)結(jié)構(gòu)。深圳UV光固化真空鍍膜