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威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-08-13

    晶閘管軟起動(dòng)的起動(dòng)方式1、全壓起動(dòng)在這種狀態(tài)下(圖1),軟起動(dòng)裝置相當(dāng)一個(gè)固態(tài)接觸器,電機(jī)和直接起動(dòng)一樣,承受全部的電流沖擊和轉(zhuǎn)矩沖擊,一般情況下晶閘管全開(kāi)時(shí)間控制在:圖1全壓起動(dòng)2、電壓斜坡起動(dòng)該模式是比較長(zhǎng)用的起動(dòng)模式。它通過(guò)減少起動(dòng)力矩的沖擊,實(shí)現(xiàn)對(duì)電機(jī)平滑、連續(xù)無(wú)級(jí)加速的起動(dòng),從而使齒輪、連軸結(jié)和皮帶的摩擦減小到比較低。用戶可以調(diào)節(jié)電機(jī)的初始轉(zhuǎn)矩,在加速斜坡時(shí)間內(nèi),電機(jī)的輸入電壓從設(shè)置的初始轉(zhuǎn)矩對(duì)應(yīng)的電壓線性上升,把傳統(tǒng)的降壓起動(dòng)變有級(jí)為無(wú)級(jí),從而可以使電機(jī)平滑的起動(dòng),減少了機(jī)械方面的沖擊。圖2電壓斜坡起動(dòng)3、限流起動(dòng)限流起動(dòng),顧名思義,就是在電動(dòng)機(jī)起動(dòng)過(guò)程中把起動(dòng)電流限制到某一設(shè)定電流值以下。主要用在相對(duì)較輕負(fù)載起動(dòng),并且對(duì)電網(wǎng)沖擊有一定要求的工況下,其輸入電壓從零開(kāi)始迅速增長(zhǎng),直到其電流達(dá)到預(yù)先設(shè)定的電流限值,然后在保證輸出電流不大于電流限值的情況下,改變晶閘管的導(dǎo)通角,逐漸升高電壓,直到額定電壓。與此同時(shí),電動(dòng)機(jī)的轉(zhuǎn)速也在逐漸上升,到達(dá)額定轉(zhuǎn)速。這種起動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)是起動(dòng)電流較小,可以把電動(dòng)機(jī)起動(dòng)對(duì)電網(wǎng)的沖擊降到最小,并可按照需要進(jìn)行設(shè)定限流值。正高電氣嚴(yán)格控制原材料的選取與生產(chǎn)工藝的每個(gè)環(huán)節(jié),保證產(chǎn)品質(zhì)量不出問(wèn)題。威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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晶閘管智能控制模塊均采用本公司獨(dú)立開(kāi)發(fā)的全數(shù)字移相觸發(fā)集成電路,實(shí)現(xiàn)了控制電路與晶閘管主電路集成一體化,使模塊具備了弱電控制強(qiáng)電的電力調(diào)控功能。 晶閘管智能模塊采用進(jìn)口方形芯片、高級(jí)芯片支撐板,模塊壓降小、功耗低,效率高,節(jié)電效果好。晶閘管智能模塊采用進(jìn)口貼片元件,保證了觸發(fā)控制電路的可靠性。 晶閘管智能模塊采用(DBC)陶瓷覆銅板,經(jīng)獨(dú)特處理方法和特殊焊接工藝,保證焊接層無(wú)空洞,導(dǎo)熱性能好。熱循環(huán)負(fù)載次數(shù)高于國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)近10倍。 5 (5)晶閘管智能模塊采用高級(jí)導(dǎo)熱絕緣封裝材料,絕緣、防潮性能優(yōu)良。 晶閘管模塊采用觸發(fā)控制電路、主電路與導(dǎo)熱底板相互隔離,導(dǎo)熱底板不帶電.絕緣強(qiáng)度≥2500V (RMS),保證人身安全。晶閘管智能調(diào)壓器又稱之為可控硅整流元件,它是由三個(gè)P內(nèi)結(jié)構(gòu)組合而成的一種大功率半導(dǎo)體器件。從性能上來(lái)說(shuō),晶閘管智能調(diào)壓器具有單向?qū)щ娦院涂煽匦詢煞N優(yōu)勢(shì),但它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家正高電氣產(chǎn)品適用范圍廣,產(chǎn)品規(guī)格齊全,歡迎咨詢。

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傳統(tǒng)的電加熱行業(yè)使用的功率器件一般采用分離晶閘管+晶閘管觸發(fā)板的方式來(lái)完成對(duì)變壓器初級(jí)或次級(jí)的調(diào)壓;加熱行業(yè)往往工作環(huán)境很惡劣,粉塵飛揚(yáng),溫度變化較大,濕度較高,長(zhǎng)時(shí)間工作后會(huì)出現(xiàn)觸發(fā)板工作失常,造成晶閘管擊穿,導(dǎo)致設(shè)備停產(chǎn),產(chǎn)品報(bào)廢等,給生產(chǎn)造成嚴(yán)重?fù)p失。并且普通電工無(wú)法完成維修工作,必須專業(yè)人員進(jìn)行操作。為了避免出現(xiàn)上述問(wèn)題,比較好采用密封性好,工作環(huán)境適應(yīng)能力強(qiáng),安裝維修方便的晶閘管智能模塊來(lái)替代傳統(tǒng)的方式。晶閘管智能模塊是把晶閘管主電路與移向觸發(fā)系統(tǒng)(即觸發(fā)板)集成共同封裝在一個(gè)塑料外殼內(nèi),從而省去了觸發(fā)板與晶閘管之間的連接線、晶閘管與晶閘管之間的連接線,減小了接線錯(cuò)誤的幾率,維護(hù)方便,普通電工即可完成操作,省去人員成本。把觸發(fā)板封裝到模塊內(nèi),環(huán)境中的粉塵、濕氣等都不會(huì)對(duì)其產(chǎn)生影響,增加了可靠性。

    光敏電阻光控?zé)綦娐穲D(一):光控?zé)粽彰麟娐?20V交流電壓經(jīng)電容C1降壓,整流橋堆UR進(jìn)行全波整流,電容C2濾波,穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓后變成直流電壓。光敏電阻RG白天電阻很小,向電容C3充電的脈沖信號(hào)很小,無(wú)法觸發(fā)晶閘管導(dǎo)通,燈泡EL回路不通,燈泡EL不亮:夜幕降臨時(shí),光敏電阻的暗阻很大,向電容C3充電脈沖信號(hào)很大,可以觸發(fā)晶閘管的門(mén)極,使晶閘管導(dǎo)通,這時(shí)繼電器線圈得電,串在燈泡EL回路的繼電器常開(kāi)觸點(diǎn)接通,則燈泡EL點(diǎn)亮。調(diào)節(jié)電位器RP可以調(diào)節(jié)給門(mén)極的觸發(fā)信號(hào)的大小,就調(diào)節(jié)了晶閘管的導(dǎo)通角,從而控制了燈泡的亮度。光敏電阻光控?zé)綦娐穲D(二):光敏電阻延時(shí)節(jié)電開(kāi)關(guān)電路圖延時(shí)節(jié)電開(kāi)關(guān)是一種樓道照明燈或其它用電設(shè)備的自動(dòng)延時(shí)開(kāi)關(guān)裝置。它采用電子器件、脈沖技術(shù)及無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)技術(shù)。如樓道每個(gè)單元只裝一臺(tái),用三根導(dǎo)線連接樓道各層位的按扭開(kāi)關(guān)和照明燈,當(dāng)行人夜間上下樓時(shí),只需就近按下按扭開(kāi)關(guān),各層照明燈都點(diǎn)亮,經(jīng)數(shù)秒或數(shù)分鐘后,各層照明燈自動(dòng)熄滅,并且本裝置也自動(dòng)停電,平時(shí)不耗電能。在白天光線射到光敏電阻RG之上時(shí),其阻值變得很小,使VT2截止,VT3也截止,C4正極電位為零(或很低),無(wú)觸發(fā)電壓加到晶閘管VTH的門(mén)極上,晶閘管不導(dǎo)通。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

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    電壓很容易對(duì)晶閘管模塊造成損壞,那么,我們就要了解過(guò)電壓保護(hù),保護(hù)晶閘管模塊,不讓其受過(guò)電壓損壞。要保護(hù)晶閘管,就要知道過(guò)電壓是怎么產(chǎn)生的?從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況:晶閘管模塊對(duì)過(guò)電壓很敏感,當(dāng)正向電壓超過(guò)其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時(shí)晶閘管就會(huì)誤導(dǎo)通,引發(fā)電路故障;當(dāng)外加反向電壓超過(guò)其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時(shí),晶閘管模塊就會(huì)立即損壞。因此,必須研究過(guò)電壓的產(chǎn)生原因及過(guò)電壓的方法。過(guò)電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲(chǔ)能發(fā)生了激烈的變化,使得系統(tǒng)來(lái)不及轉(zhuǎn)換,或者系統(tǒng)中原來(lái)積聚的電磁能量來(lái)不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來(lái)沖擊引起的過(guò)電壓和開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動(dòng)作等產(chǎn)生的過(guò)電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)晶閘管模塊是很危險(xiǎn)的。由開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類:(1)交流電源接通、斷開(kāi)產(chǎn)生的過(guò)電壓例如,交流開(kāi)關(guān)的開(kāi)閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過(guò)電壓,這些過(guò)電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過(guò)電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地,開(kāi)閉速度越快過(guò)電壓越高。正高電氣累積點(diǎn)滴改進(jìn),邁向優(yōu)良品質(zhì)!威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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    晶閘管(可控硅)兩端為什么并聯(lián)電阻和電容在實(shí)際晶閘管(可控硅)電路中,常在其兩端并聯(lián)RC串聯(lián)網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)常稱為RC阻容吸收電路。我們知道,晶閘管(可控硅)有一個(gè)重要特性參數(shù)-斷態(tài)電壓臨界上升率dlv/dlt。它表明晶閘管(可控硅)在額定結(jié)溫和門(mén)極斷路條件下,使晶閘管(可控硅)從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)的比較低電壓上升率。若電壓上升率過(guò)大,超過(guò)了晶閘管(可控硅)的電壓上升率的值,則會(huì)在無(wú)門(mén)極信號(hào)的情況下開(kāi)通。即使此時(shí)加于晶閘管(可控硅)的正向電壓低于其陽(yáng)極峰值電壓,也可能發(fā)生這種情況。因?yàn)榫чl管(可控硅)可以看作是由三個(gè)PN結(jié)組成。在晶閘管(可控硅)處于阻斷狀態(tài)下,因各層相距很近,其J2結(jié)結(jié)面相當(dāng)于一個(gè)電容C0。當(dāng)晶閘管(可控硅)陽(yáng)極電壓變化時(shí),便會(huì)有充電電流流過(guò)電容C0,并通過(guò)J3結(jié),這個(gè)電流起了門(mén)極觸發(fā)電流作用。如果晶閘管(可控硅)在關(guān)斷時(shí),陽(yáng)極電壓上升速度太快,則C0的充電電流越大,就有可能造成門(mén)極在沒(méi)有觸發(fā)信號(hào)的情況下,晶閘管(可控硅)誤導(dǎo)通現(xiàn)象,即常說(shuō)的硬開(kāi)通,這是不允許的。因此,對(duì)加到晶閘管(可控硅)上的陽(yáng)極電壓上升率應(yīng)有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過(guò)大,確保晶閘管(可控硅)安全運(yùn)行,常在晶閘管(可控硅)兩端并聯(lián)RC阻容吸收網(wǎng)絡(luò)。威海MTAC75晶閘管智能模塊生產(chǎn)廠家

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