可控硅模塊在應(yīng)用電路中的作用體現(xiàn)在:
可控整流器:如二極管整流器,交流整流器整流為直流,在交流電壓不變的情況下,可有效控制直流輸出電壓,實(shí)現(xiàn)交流/直流的轉(zhuǎn)換。
無觸點(diǎn)電源靜態(tài)開關(guān)(固態(tài)開關(guān)):晶閘管模塊作為電源開關(guān)元件,可在開關(guān)頻率較高的場(chǎng)合替代接觸器和繼電器。
因此,可控硅模塊普遍應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,如可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。晶閘管模塊廣泛應(yīng)用于家用電器的工業(yè)控制領(lǐng)域,如調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)、熱水器、電視、冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、音響組合、語音控制電路、定時(shí)控制器、感應(yīng)燈、圣誕燈控制器、自動(dòng)門電路、玩具裝置等。電動(dòng)工具產(chǎn)品、無線電遙控電路、攝像機(jī)等領(lǐng)域都大量的使用了可控硅模塊。 淄博正高電氣有限公司不斷完善自我,滿足客戶需求。重慶高壓可控硅模塊配件
雙向可控硅第 一陽極A1與第二陽極A2間,無論所加電壓極性是正向還是反向,只要控制極G和第 一陽極A1間加有正負(fù)極性不同的觸發(fā)電壓,就可觸發(fā)導(dǎo)通呈低阻狀態(tài)。此時(shí)A1、A2間壓降也約為1V。雙向可控硅一旦導(dǎo)通,即使失去觸發(fā)電壓,也能繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)。只有當(dāng)?shù)?一陽極A1、第二陽極A2電流減小,小于維持電流或A1、A2間當(dāng)電壓極性改變且沒有觸發(fā)電壓時(shí),雙向可控硅才截?cái)?,此時(shí)只有重新加觸發(fā)電壓方可導(dǎo)通。
淄博正高電氣有限公司,生產(chǎn)各類規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,真誠期待與各公司和采購人員的合作,提供價(jià)格低廉、質(zhì)量可靠的電子元件。 重慶高壓可控硅模塊配件淄博正高電氣有限公司團(tuán)隊(duì)從用戶需求出發(fā)。
選擇可控硅模塊時(shí)不能只看表面,應(yīng)參考實(shí)際工作條件來選擇,選用可控硅模塊的額定電流時(shí),除了考慮通過元件的平均電流外,還應(yīng)注意正常工作時(shí)導(dǎo)通角的大小、散熱通風(fēng)條件等因素。在工作中還應(yīng)注意管殼溫度不超過相應(yīng)電流下的允許值。
1.可控硅模塊的冷卻及環(huán)境條件:
(1)強(qiáng)迫風(fēng)冷:風(fēng)速≥6m/s,風(fēng)溫≤40℃;
(2)水冷:流量≥4L/mm,壓強(qiáng)0.2±0.03Mpa。水溫≤35℃. 水電阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;
(3)自冷和負(fù)冷環(huán)境溫度—40℃—40℃.水冷以環(huán)境溫度5℃—40℃;
(4)空氣相對(duì)濕度≤85%;
(5)空氣中無腐蝕性氣體和破壞絕緣的塵埃;
(6)氣壓86—106Kpa;
(7)無劇烈震動(dòng)或沖擊;
(8)若有特殊場(chǎng)合,應(yīng)進(jìn)行相應(yīng)的試驗(yàn),證明工作可靠方可使用。
選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。
所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量,其額定峰值電壓和額定電流(通態(tài)平均電流)均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流1.5~2倍。
可控硅模塊的正向壓降、門極觸發(fā)電流及觸發(fā)電壓等參數(shù)應(yīng)符合應(yīng)用電路(指門極的控制電路)的各頂要求,不能偏高或偏低,否則會(huì)影響可控硅模塊的正常工作。
上就是可控硅模塊在不同設(shè)備中的種類選擇,希望對(duì)您有所幫助。 淄博正高電氣有限公司周邊生態(tài)環(huán)境狀況好。
過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成損壞,如果要想保護(hù)可控硅不受其損壞,就要了解過電壓的產(chǎn)生原因,從而去避免防止受損,下面正高電氣就來講講過電壓會(huì)對(duì)可控硅模塊造成怎樣的損壞?以及過電壓產(chǎn)生的原因。
可控硅模塊對(duì)過電壓非常敏感,當(dāng)正向電壓超過udrm值時(shí),可控硅會(huì)誤導(dǎo)并導(dǎo)致電路故障;當(dāng)施加的反向電壓超過urrm值時(shí),可控硅模塊會(huì)立即損壞。因此,需要研究過電壓產(chǎn)生的原因和過電壓的方法。
過電壓主要是由于供電電源或系統(tǒng)儲(chǔ)能的急劇變化,使系統(tǒng)轉(zhuǎn)換太晚,或是系統(tǒng)中原本積聚的電磁能量消散太晚。主要研究發(fā)現(xiàn),由于外界沖擊引起的過電壓主要有兩種類型,如雷擊和開關(guān)開啟和關(guān)閉引起的沖擊電壓。雷擊或高壓斷路器動(dòng)作產(chǎn)生的過電壓是幾微秒到幾毫秒的電壓尖峰,對(duì)可控硅模塊非常危險(xiǎn)。
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可控硅模塊的特性
單向晶閘管模塊具有其獨(dú)特的特性:當(dāng)陽極連接到反向電壓時(shí),或陽極連接到正向電壓時(shí),但控制極不增加電壓,則不會(huì)導(dǎo)通,當(dāng)陽極和控制極同時(shí)連接到正向電壓時(shí),將變?yōu)榻油顟B(tài)。一旦接通,控制電壓將失去控制作用。無論有無控制電壓,無論控制電壓的極性如何,都將始終處于接通狀態(tài)。若要關(guān)閉,只能將陽極電壓降到某個(gè)臨界值或反向。
雙向晶閘管模塊的管腳大多按T1、T2和G的順序從左到右排列(當(dāng)電極管腳朝著帶有字符的一側(cè)向下時(shí))。當(dāng)改變施加到控制極G的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間時(shí),其接通電流的大小可以改變。 重慶高壓可控硅模塊配件
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