滿足晶閘管模塊工作的必要條件

晶閘管模塊使用中一定要具有以下條件：

（1）+12V直流電源：模塊內(nèi)部控制電路的工作電源。

①輸出電壓要求：+12V電源：12±0.5V ，紋波電壓小于20mv 。

②輸出電流要求：標(biāo)稱電流小于500安培產(chǎn)品：I+12V＞0.5A，標(biāo)稱電流大于500安培產(chǎn)品：I+12V＞ 1A。

（2）控制信號： 0～10V或4～20mA控制信號，用于對輸出電壓大小進(jìn)行調(diào)整的控制信號，正極接CON10V或CON20mA，負(fù)極接GND1。

（3）供電電源和負(fù)載：供電電源一般為電網(wǎng)電源，電壓460V以下的或者供電變壓器，接模塊的輸入端子；負(fù)載為用電器，接模塊的輸出端子。 正高電氣公司可靠的質(zhì)量保證體系和經(jīng)營管理體系，使產(chǎn)品質(zhì)量日趨穩(wěn)定。濟(jì)南MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā)

    電壓很容易對晶閘管模塊造成損壞，那么，我們就要了解過電壓保護(hù)，保護(hù)晶閘管模塊，不讓其受過電壓損壞。要保護(hù)晶閘管，就要知道過電壓是怎么產(chǎn)生的？從而去避免。以下是為大家列舉的詳細(xì)情況：晶閘管模塊對過電壓很敏感，當(dāng)正向電壓超過其斷態(tài)重復(fù)峰值電壓UDRM一定值時晶閘管就會誤導(dǎo)通，引發(fā)電路故障；當(dāng)外加反向電壓超過其反向重復(fù)峰值電壓URRM一定值時，晶閘管模塊就會立即損壞。因此，必須研究過電壓的產(chǎn)生原因及過電壓的方法。過電壓產(chǎn)生的原因主要是供給的電功率或系統(tǒng)的儲能發(fā)生了激烈的變化，使得系統(tǒng)來不及轉(zhuǎn)換，或者系統(tǒng)中原來積聚的電磁能量來不及消散而造成的。主要發(fā)現(xiàn)為雷擊等外來沖擊引起的過電壓和開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓兩種類型。由雷擊或高壓斷路器動作等產(chǎn)生的過電壓是幾微秒至幾毫秒的電壓尖峰，對晶閘管模塊是很危險的。由開關(guān)的開閉引起的沖擊電壓又分為如下兩類：（1）交流電源接通、斷開產(chǎn)生的過電壓例如，交流開關(guān)的開閉、交流側(cè)熔斷器的熔斷等引起的過電壓，這些過電壓由于變壓器繞組的分布電容、漏抗造成的諧振回路、電容分壓等使過電壓數(shù)值為正常值的2至10多倍。一般地，開閉速度越快過電壓越高。青島晶閘管智能模塊配件正高電氣熱忱歡迎新老客戶惠顧。

    晶閘管調(diào)光電路主電路部分由二極管V5、V6和晶閘管V8、V9構(gòu)成單相半控橋式整流電路，其輸出的直流可調(diào)電壓作為燈泡EL的電源。改變V8、V9控制極脈沖電壓的相位，即改變V8、V9控制角的大小，便可以改變輸出直流電壓的大小，進(jìn)而改變燈泡EL的亮度。控制電路由單結(jié)晶體管觸發(fā)電路構(gòu)成，其作用是為V8、V9的控制極提供觸發(fā)脈沖電壓。調(diào)節(jié)電位器RP的大小可改變觸發(fā)脈沖的相位。脈沖形成是梯形同步電壓，經(jīng)RP、R3對C充電，C兩端電壓上升到單結(jié)晶體管峰點電壓Up時，單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，由電容C通過e—b，、R5放電。放電電流在電阻R5上產(chǎn)生一組尖頂脈沖電壓，由R5輸出一組觸發(fā)脈沖，其中個脈沖使晶閘管觸發(fā)導(dǎo)通，后面的脈沖對晶閘管的工作沒有影響。隨著C的放電，當(dāng)電容兩端電壓下降至單結(jié)晶體管谷點電壓Uv時，單結(jié)晶體管重新截止；電容C重新充電，重復(fù)上述過程，R5上又輸出一組尖頂脈沖電壓，這個過程反復(fù)進(jìn)行。當(dāng)梯形電壓過零點時，電容C兩端電壓也為零，因此電容每一次連續(xù)充放電的起點，就是電源電壓過零點，這樣就保證輸出脈沖電壓頻率和電源頻率同步。三、工具與測量儀表及電路元件明細(xì)表電路元件明細(xì)表晶閘管調(diào)光電路的元件明細(xì)表如表12—1所示。四、安裝與調(diào)試。

    檢測兩基極間電阻：兩表筆（不分正、負(fù)）接單結(jié)晶體管除發(fā)射極E以外的兩個管腳，讀數(shù)應(yīng)為3～10kΩ。[7]檢測PN結(jié)正向電阻（N基極管為例，下同）：黑表筆接發(fā)射極E，紅表筆分別接兩個基極，讀數(shù)均應(yīng)為數(shù)千歐。對調(diào)兩表筆后檢測PN結(jié)反向電阻，讀數(shù)均應(yīng)為無窮大。如果測量結(jié)果與上述不符，說明被測單結(jié)管已損壞。[8]測量單結(jié)晶體管的分壓比η：按圖示搭接一個測量電路，用萬用表“直流10V”擋測出C2上的電壓UC2，再按公式η=UC2/UB計算即可。[9]單結(jié)晶體管的基本應(yīng)用是組成脈沖產(chǎn)生電路，包括振蕩器、波形發(fā)生器等，并可使電路結(jié)構(gòu)大為簡化。圖示為單結(jié)晶體管弛張振蕩器。單結(jié)管VT的發(fā)射極輸出鋸齒波，基極輸出窄脈沖，第二基極輸出方波。RE與C組成充放電回路，改變RE或C即可改變振蕩周期。該電路振蕩周期T≈RECln[1/（1-η）]，式中，ln為自然對數(shù)，即以e（）為底的對數(shù)。[10]單結(jié)晶體管還可以用作晶閘管觸發(fā)電路。圖示為調(diào)光臺燈電路。在交流電的每半周內(nèi)，晶閘管VS由單結(jié)管VT輸出的窄脈沖觸發(fā)導(dǎo)通，調(diào)節(jié)RP便改變了VT輸出窄脈沖的時間，即改變了VS的導(dǎo)通角，從而改變了流過燈泡EL的電流，實現(xiàn)了調(diào)光的目的。[11]晶體閘流管簡稱為晶閘管，也叫做可控硅。正高電氣具備雄厚的實力和豐富的實踐經(jīng)驗。

    難以實現(xiàn)起動方式的多樣化。三是液阻軟起動需要維護(hù)，液箱中水需要定期補充。電極板長期浸泡于電解液中，表面會有一定的銹蝕，需要作表面處理（大概2-3年一次）。四是液阻軟起動裝置不適合置放在易結(jié)水或顛簸的現(xiàn)場。近年有所謂的熱變液阻軟啟動裝置，通過液阻本身在軟起動過程中的溫升，借助電解液電導(dǎo)率與溫度的正相關(guān)性實現(xiàn)無極板伺服機構(gòu)的軟啟動。但是，其可行性大受質(zhì)疑；它的限流器件不具備限流能力易控性，裝置對使用環(huán)境溫度要求高，軟起動重復(fù)性差。二、磁控軟起動器磁控軟起動在起動開始時限流作用較強，在軟起動過程中逐漸減弱。電抗器在起動完成后被旁路。限流作用的強弱變化是通過控制直流勵磁電流、改變鐵心的飽和度實現(xiàn)的，所以叫做磁控軟起動。因為磁飽和電抗器的輸出功率比控制功率大幾十倍，它也可稱為“磁放大器”。由于它不具有零輸入對應(yīng)零輸出的特點，所以，不建議采用“磁放大器”這一詞。磁飽和電抗器有三對交流繞組（每相一對）和三相共有的一個直流勵磁繞組。在交流繞組里流過的是電動機定子電流，它必然會在直流勵磁繞組上感應(yīng)出電勢；后者會影響勵磁回路的運行。不是用一個，二是用一對交流繞組的主要原因就是為了抵消這種影響。顯然。正高電氣過硬的產(chǎn)品質(zhì)量、優(yōu)質(zhì)的售后服務(wù)、認(rèn)真嚴(yán)格的企業(yè)管理，贏得客戶的信譽。青島晶閘管智能模塊配件

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    具體的電路原理圖如下所示：太陽能光控定時節(jié)能照明電路電路原理簡述：白天有太陽時，太陽能電池板輸出的電壓通過二極管VD1給蓄電池充電，儲備電能以供電路夜間工作。RL光敏電阻在白天的阻值呈低阻狀態(tài)，NE555的2、6腳輸入電壓大于（2/3），其3腳輸出低電平，使CD4069和三極管VT1無電壓不工作，繼電器J不動作，節(jié)能燈驅(qū)動電路無電壓。夜間，光敏電阻RL呈高阻值，使NE555輸入瑞電壓小于（1/3），3腳翻轉(zhuǎn)為高電平，CD4069及VT1（3CG21）得電進(jìn)入工作狀態(tài)。CD4069是一片帶振蕩器的14位二進(jìn)制串行計數(shù)/分頻集成電路，C4、R3，R5與CD4069內(nèi)部電路構(gòu)成的振蕩電路產(chǎn)生一正尖脈沖，使CD4069自動清零，計數(shù)開始，此時CD4069的3腳輸出低電平使三極管VT1獲得偏流而導(dǎo)通，繼電器J吸合接通節(jié)能燈驅(qū)動電路的電源，節(jié)能燈點亮。經(jīng)過一段時間后，CD4069的3腳眺變?yōu)楦唠娖?，VT1（3CG21）失去偏流而截止，節(jié)能燈驅(qū)動電路斷電，節(jié)能燈熄滅。與此同時，CD4069的3腳輸出高電平經(jīng)隔離二極管VD2加至脈沖輸入端11腳，使該腳恒定為高電平而振蕩停止，電路狀態(tài)一直保持到天亮CD4069斷電為止。接于NE555時基電路6腳的R1、C1組成抗光干擾延時電路，以防止夜晚瞬間光照。濟(jì)南MTAC480晶閘管智能模塊批發(fā)

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