氧化石墨烯（GO）表面有羥基、羧基、環(huán)氧基、羰基等親水性的活性基團，且片層間距較大，使得氧化石墨烯具有超大比表面積和***的離子交換能力。GO的結構與水通蛋白相類似，而蛋白質本身具有優(yōu)異的離子識別功能，由此可推斷氧化石墨烯在分離、過濾及仿生離子傳輸?shù)阮I域可能具有潛在的應用價值1-3。GO經(jīng)過超聲可以穩(wěn)定地分散在水中，再通過傳統(tǒng)成膜方法如旋涂、滴涂和真空抽濾等處理后，GO微片可呈現(xiàn)肉眼可見的層狀薄膜堆疊，在薄膜的層與層之間形成具有選擇性的二維納米通道。除此之外，GO由于片層間存在較強的氫鍵，力學性能優(yōu)異，易脫離基底而**存在?；贕O薄膜制備方法簡單、成本低、高通透性和高選擇性等優(yōu)點，其在水凈化領域具有廣闊的應用空間。在用氧化還原法將石墨剝離為石墨烯的工業(yè)化生產(chǎn)過程中，得到的石墨烯微片富含多種含氧官能團。多層氧化石墨常見問題

氧化石墨烯（GO）在很寬的光譜范圍內(nèi)具有光致發(fā)光性質，同時也是高效的熒光淬滅劑。氧化石墨烯（GO）具有特殊的光學性質和多樣化的可修飾性，為石墨烯在光學、光電子學領域的應用提供了一個功能可調(diào)控的強大平臺[6]，其在光電領域的應用日趨***。氧化石墨烯（GO）和還原氧化石墨烯（RGO）應用于光電傳感，主要是作為電子給體或者電子受體材料。作為電子給體材料時，利用的是其在光的吸收、轉換、發(fā)射等光學方面的特殊性質，作為電子受體材料時，利用的是其優(yōu)異的載流子遷移率等電學性質。本書前面的內(nèi)容中對氧化石墨烯（GO）、還原氧化石墨烯（RGO）的電學性質已經(jīng)有了比較詳細的論述，本章在介紹其在光電領域的應用之前，首先對相關的光學性質部分進行介紹。哪里有氧化石墨圖片氧化石墨烯可以有效去除溶液中的金屬離子。

RGO制備簡單、自身具有受還原程度調(diào)控的帶隙，可以實現(xiàn)超寬譜（從可見至太赫茲波段）探測。氧化石墨烯的還原程度對探測性能有***影響，隨著氧化石墨烯還原程度的提高，探測器的響應率可以提高若干倍以上。因此，在CVD石墨烯方案的基礎上，研究者開始嘗試使用還原氧化石墨烯制備類似結構的光電探測器。對于RGO-Si器件，帶間光子躍遷以及界面處的表面電荷積累，是影響光響應的重要因素[72]。2014年，Cao等[73]將氧化石墨烯分散液滴涂在硅線陣列上，而后通過熱處理對氧化石墨烯進行熱還原，制得了硅納米線陣列(SiNW)-RGO異質結的室溫超寬譜光探測器。該探測器在室溫下，***實現(xiàn)了從可見光(532nm)到太赫茲波(2.52THz，118.8mm)的超寬譜光探測。在所有波段中，探測器對10.6mm的長波紅外具有比較高的光響應率可達9mA/W。

還原氧化石墨烯（RGO）在邊緣處和面內(nèi)缺陷處具有豐富的分子結合位點，使其成為一種很有希望的電化學傳感器材料。結合原位還原技術，有很多研究使用諸如噴涂、旋涂等基于溶液的技術手段，利用氧化石墨烯（GO）在不同基底上制造出具備石墨烯相關性質的器件，以期在一些場合替代CVD制備的石墨烯。結構決定性質。氧化石墨烯（GO）的能級結構由sp3雜化和sp2雜化的相對比例決定[6]，調(diào)節(jié)含氧基團相對含量可以實現(xiàn)氧化石墨烯（GO）從絕緣體到半導體再到半金屬性質的轉換氧化石墨片層的厚度約為1.1 ± 0.2 nm。

氧化石墨烯（GO）是一種兩親性材料，在生理條件中一般帶有負電荷，通過對GO的修飾可以改變電荷的大小，甚至使其帶上正電荷，如利用聚合物或樹枝狀大分子等聚陽離子試劑。在細胞中，GO可能會與疏水性的、帶正電荷或帶負電荷的物質進行相互作用，如細胞膜、蛋白質和核酸等，因此會誘導GO產(chǎn)生毒性。因此在本節(jié)中，我們主要探討GO在細胞（即體外）和體內(nèi)試驗中產(chǎn)生已知的毒性效應，以及產(chǎn)生毒性的可能原因。石墨烯材料的結構特點主要由三個參數(shù)決定：(a)層數(shù)、(b)橫向尺寸和(c)化學組成即碳氧比例）。靜電作用的強弱與氧化石墨烯表面官能團產(chǎn)生的負電荷相關。浙江單層氧化石墨

將氧化石墨暴露在強脈沖光線下，例如氙氣燈也能得到石墨烯。多層氧化石墨常見問題

GO膜在水處理中的分離機理尚存在諸多爭議。一種觀點認為通過尺寸篩分以及帶電的目標分離物與納米孔之間的靜電排斥機理實現(xiàn)分離，如圖8.3所示。氧化石墨烯膜的分離通道主要由兩部分構成：1）氧化石墨烯分離膜中不規(guī)則褶皺結構形成的半圓柱孔道；2）氧化石墨烯分離膜片層之間的空隙。除此之外，由氧化石墨烯結構缺陷引起的納米孔道對于水分子的傳輸提供了額外的通道19-22。Mi等23研究認為干態(tài)下通過真空過濾制備的氧化石墨烯片層間隙的距離約為0.3nm。多層氧化石墨常見問題