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輝光放電發(fā)射光譜/質譜測試的原理是什么?

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杭州博測材料科技有限公司2025-08-08

GD-OES基于輝光放電等離子體濺射原理:在低壓氬氣環(huán)境中,陰極(樣品)與陽極間施加高壓,產生等離子體。氬離子轟擊樣品表面,使原子濺射并激發(fā),發(fā)射元素特征光譜(如Fe 371.99 nm)。光譜強度與元素濃度成正比,通過分光器(如帕邢-龍格裝置)檢測。GD-MS則通過質譜儀分析濺射原子的離子化產物,檢測質荷比(m/z),適用于痕量元素(如稀土)分析,靈敏度可達ppt級。兩者均實現(xiàn)固體樣品直接分析,避免溶液消解的污染風險。

杭州博測材料科技有限公司
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簡介:杭州博測材料科技有限公司成立于2024年,專注材料的分析、檢測與研發(fā)提供高效的技術服務。
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其余 1 條回答

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    杭州博測材料科技有限公司 2025-08-08

    GD-OES優(yōu)勢在于快速深度剖析(1–5 μm/min),適合涂層、薄膜的多層分析(如汽車鍍鋅層厚度檢測),但受光譜干擾限制(如稀土元素譜線重疊)69。GD-MS分辨率更高(質量數分辨),可區(qū)分同位素(如??Zr與??Mo),解決質譜干擾,但設備成本高(約300萬人民幣)且需導電樣品。聯(lián)用時可互補:GD-OES用于快速表層掃描,GD-MS驗證痕量組分。

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