即是在大功率范圍應(yīng)用的場效應(yīng)晶體管，它也稱作功率MOSFET，其優(yōu)點表現(xiàn)在以下幾個方面：1. 具有較高的開關(guān)速度。2. 具有較寬的安全工作區(qū)而不會產(chǎn)生熱點，并且具有正的電阻溫度系數(shù)，因此適合進行并聯(lián)使用。3. 具有較高的可靠性。4. 具有較強的過載能力。短時過載能力通常額定值的4倍。5. 具有較高的開啟電壓，即是閾值電壓，可達2~6V（一般在1.5V~5V之間）。當(dāng)環(huán)境噪聲較高時，可以選 用閾值電壓較高的管子，以提高抗干擾能力；反之，當(dāng)噪聲較低時，選用閾值電壓較低的管子，以降低所需的輸入驅(qū)動信號電壓。給電路設(shè)計帶來了極大地方便。6. 由于它是電壓控制器件，具有很高的輸入阻抗，因此其驅(qū)動功率很小，對驅(qū)動電路要求較低。由于這些明顯的優(yōu)點，功率場效應(yīng)晶體管在電機調(diào)速，開關(guān)電源等各種領(lǐng)域應(yīng)用的非常多。作功率MOSFET，其優(yōu)點表現(xiàn)在 具有較高的開關(guān)速度。常州便攜式儲能功率器件MOS產(chǎn)品選型哪家公司好

20世紀(jì)50年代，電力電子器件主要是汞弧閘流管和大功率電子管。60年代發(fā)展起來的晶閘管，因其工作可靠、壽命長、體積小、開關(guān)速度快，而在電力電子電路中得到廣泛應(yīng)用。70年代初期，已逐步取代了汞弧閘流管。80年代，普通晶閘管的開關(guān)電流已達數(shù)千安，能承受的正、反向工作電壓達數(shù)千伏。在此基礎(chǔ)上，為適應(yīng)電力電子技術(shù)發(fā)展的需要，又開發(fā)出門極可關(guān)斷晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管等一系列派生器件，以及單極型MOS功率場效應(yīng)晶體管、雙極型功率晶體管、靜電感應(yīng)晶閘管、功能組合模塊和功率集成電路等新型電力電子器件。中山封裝技術(shù)功率器件MOS產(chǎn)品選型產(chǎn)品介紹MOS管封裝技術(shù)也直接影響到芯片的性能和品質(zhì)，對同樣的芯片以不同形式的封裝，也能提高芯片的性能。

晶體管外形封裝（TO）

TO封裝作為早期的封裝規(guī)格，涵蓋諸如TO-3P、TO-247等多種設(shè)計。這種封裝形式以其高耐壓和強抗擊穿能力著稱，適用于中高壓、大電流的MOS管。在現(xiàn)代應(yīng)用中，TO封裝逐漸向表面貼裝式發(fā)展。

雙列直插式封裝（DIP）

DIP封裝以其兩排引腳設(shè)計而聞名，被設(shè)計為插入到具有相應(yīng)DIP結(jié)構(gòu)的芯片插座中。DIP封裝還有其緊縮版——SDIP（Shrink DIP）。DIP封裝類型多樣，包括多層陶瓷雙列直插式DIP等，其優(yōu)勢在于與主板的兼容性較好。然而，DIP封裝由于其較大的封裝面積和厚度，可靠性相對較低。

外形晶體管封裝（SOT）

SOT是一種貼片型小功率晶體管封裝，其常見類型包括SOT23、SOT89等。這種封裝以小巧體積和良好可焊性見稱，廣泛應(yīng)用于低功率場效應(yīng)管中。

小外形封裝（SOP）

SOP（Small Out-Line Package）是一種表面貼裝型封裝方式，其引腳以L字形從封裝兩側(cè)引出。SOP封裝常用于MOSFET的封裝，其以塑料材質(zhì)輕便簡潔的封裝形式贏得廣泛應(yīng)用。為了適應(yīng)更高性能要求，又發(fā)展了諸如TSOP等新型封裝。

四邊無引線扁平封裝（QFN）

QFN是一種四邊配置有電極接點的封裝方式，其特點是無引線和具備優(yōu)異的熱性能。其應(yīng)用主要集中在微處理器等領(lǐng)域，提供更優(yōu)的散熱能力。

各種電力電子器件均具有導(dǎo)通和阻斷兩種工作特性。功率二極管是二端(陰極和陽極)器件，其器件電流由伏安特性決定，除了改變加在二端間的電壓外，無法控制其陽極電流，故稱不可控器件。普通晶閘管是三端器件，其門極信號能控制元件的導(dǎo)通，但不能控制其關(guān)斷，稱半控型器件?？申P(guān)斷晶閘管、功率晶體管等器件，其門極信號既能控制器件的導(dǎo)通，又能控制其關(guān)斷，稱全控型器件。后兩類器件控制靈活，電路簡單，開關(guān)速度快，廣泛應(yīng)用于整流、逆變、斬波電路中，是電動機調(diào)速、發(fā)電機勵磁、感應(yīng)加熱、電鍍、電解電源、直接輸電等電力電子裝置中的重要部件。這些器件構(gòu)成裝置不僅體積小、工作可靠，而且節(jié)能效果十分明顯(一般可節(jié)電10%～40%)。汽車電子?：電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)、車載充電模塊（OBC）、DC-DC轉(zhuǎn)換器；

MOSFET的原理

MOSFET的原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管。

功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（MetalOxideSemiconductorFET）,簡稱功率MOSFET（PowerMOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（StaticInductionTransistor——SIT）。其特點是用柵極電壓來控制漏極電流，驅(qū)動電路簡單，需要的驅(qū)動功率小，開關(guān)速度快，工作頻率高，熱穩(wěn)定性優(yōu)于GTR，但其電流容量小，耐壓低，一般只適用于功率不超過10kW的電力電子裝置。 TO-251 中小功率表面貼裝，尺寸緊湊（類似SOT-89），用于消費電子輔助電路。蘇州什么是功率器件MOS產(chǎn)品選型價格比較

功率場效應(yīng)晶體管（VF）又稱VMOS場效應(yīng)管。在實際應(yīng)用中，它有著比晶體管和MOS場效應(yīng)管更好的特性。常州便攜式儲能功率器件MOS產(chǎn)品選型哪家公司好

功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè),包括計算機領(lǐng)域的筆記本、PC、服務(wù)器、顯示器以及各種外設(shè);網(wǎng)絡(luò)通信領(lǐng)域的手機、電話以及其它各種終端和局端設(shè)備;消費電子領(lǐng)域的傳統(tǒng)黑白家電和各種數(shù)碼產(chǎn)品;工業(yè)控制類中的工業(yè)PC、各類儀器儀表和各類控制設(shè)備等。

電力電子器件工作時，會因功率損耗引起器件發(fā)熱、升溫。器件溫度過高將縮短壽命，甚至燒毀，這是限制電力電子器件電流、電壓容量的主要原因。為此，必須考慮器件的冷卻問題。常用冷卻方式有自冷式、風(fēng)冷式、液冷式(包括油冷式、水冷式)和蒸發(fā)冷卻式等。 常州便攜式儲能功率器件MOS產(chǎn)品選型哪家公司好