MOSFET的主要參數(shù)

1、ID：比較大漏源電流它是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流，場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò)ID。

2、IDM：比較大脈沖漏源電流此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額。

3、VGS：比較大柵源電壓VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓，主要目的是防止電壓過(guò)高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。

4、V(BR)DSS：漏源擊穿電壓它是指柵源電壓VGS為0時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的比較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于V(BR)DSS。它具有正溫度特性。

5、RDS(on)在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的比較大阻抗。它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。

6、VGS(th)：開(kāi)啟電壓（閥值電壓）當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓VGS超過(guò)VGS(th)時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。

7、PD：最大耗散功率它是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的比較大漏源耗散功率。

8、Tj：比較大工作結(jié)溫通常為150℃或175℃，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度，并留有一定裕量。 送樣不收費(fèi)，不容錯(cuò)過(guò)！商甲半導(dǎo)體 MOSFET，低輸出阻抗、能源充分利用。上海電池管理系統(tǒng)MOSFET供應(yīng)商中低壓MOS產(chǎn)品

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體作為國(guó)內(nèi)**的 MOSFET供應(yīng)商，深耕Trench MOSFET、SGT MOSFET及超級(jí)結(jié)（SJ）MOSFET領(lǐng)域，以自主設(shè)計(jì)能力賦能高效能半導(dǎo)體解決方案。我們與TOP晶圓代工廠合作，確保產(chǎn)品在導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗等關(guān)鍵參數(shù)上達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)，公司研發(fā)的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、PD充電器等場(chǎng)景，助力客戶縮短研發(fā)周期30%以上。Fabless模式讓我們能靈活調(diào)配資源，快速響應(yīng)客戶定制化需求。提供從選型指導(dǎo)到失效分析的全程FAE支持，24小時(shí)內(nèi)出具初步解決方案。天津電動(dòng)汽車(chē)MOSFET供應(yīng)商聯(lián)系方式產(chǎn)品在FOM性能方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)，結(jié)合先進(jìn)封裝獲得的更高電流密度；

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體多款 MOSFET 在 BLDC（無(wú)刷直流電機(jī)）中應(yīng)用較多。其低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷的特點(diǎn)，能減少電機(jī)運(yùn)行時(shí)的能量損耗，保證良好的溫升效果，讓 BLDC 在長(zhǎng)時(shí)間工作后仍能保持穩(wěn)定性能。良好的抗雪崩能力可承受感性負(fù)載帶來(lái)的能量沖擊，避免電機(jī)啟動(dòng)或變速時(shí)的瞬間能量對(duì)器件造成損害。反向續(xù)流能力出色，能有效吸收電機(jī)負(fù)載產(chǎn)生的續(xù)電流，減少電路干擾。參數(shù)一致性好，在大功率場(chǎng)景下支持多管并聯(lián)，確保電流分配均勻。高可靠性使其能滿足不同終端場(chǎng)景的應(yīng)用環(huán)境，如電動(dòng)工具、風(fēng)機(jī)、吸塵器、電風(fēng)扇、電動(dòng)自行車(chē)、電動(dòng)汽車(chē)等。

MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(ON)及其正溫度特性

什么是導(dǎo)通電阻？

RDS(ON)是MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極與源極之間的電阻值，是決定系統(tǒng)效率的“隱形心臟”。它看似微小，卻直接影響設(shè)備發(fā)熱、能耗甚至壽命。

導(dǎo)通電阻的組成部分

在MOSFET中，導(dǎo)通電阻RDS(ON)可以分為以下幾個(gè)部分：

N-plus區(qū)電阻（R_(N+)）：位于源區(qū)下方，用于提供低阻抗路徑。在高壓功率MOSFET中可以忽略不計(jì)。

溝道電阻（R_CH）：當(dāng)柵極電壓超過(guò)閾值電壓時(shí)形成的導(dǎo)電通道的電阻。

積累層電阻（R_A）：在溝道底部形成的一薄層高摻雜區(qū)域的電阻。

JFET區(qū)電阻（R_J）：N–Epi，P-bodies之間的區(qū)域稱為JFET區(qū)域，因?yàn)镻-bodies區(qū)域的作用類(lèi)似于JFET的柵極區(qū)域。該區(qū)域的阻力是RJ。

漂移區(qū)電阻（R_D）：從P體正下方到襯底頂部的電阻稱為RD為耐壓設(shè)計(jì)的一部分，特別是在高壓MOSFET中占比較大。

襯底電阻（R_S）：在高壓MOSFET中可以忽略不計(jì)。但是在擊穿電壓低于50V的低壓MOSFET中，它會(huì)對(duì)RDS(ON)產(chǎn)生很大影響。 送樣活動(dòng)開(kāi)啟，熱穩(wěn)定性好、能承載大電流，無(wú)錫商甲值得信賴。

如何基于MOSFET的工作電壓與電流特性進(jìn)行選型二

工作電流選型重要考量

1.計(jì)算負(fù)載電流：

根據(jù)負(fù)載功率（P）和工作電壓（U），通過(guò)公式I=P/U計(jì)算負(fù)載穩(wěn)態(tài)工作電流。例如，100W負(fù)載在24V下工作，電流約為4.17A。同時(shí)需評(píng)估啟動(dòng)電流、峰值電流等極端工況。

2.選定額定電流與散熱設(shè)計(jì)：

MOSFET的連續(xù)漏極電流額定值（ID）需大于電路最大負(fù)載電流，并依據(jù)散熱條件進(jìn)行降額設(shè)計(jì)。自然冷卻時(shí)，降額系數(shù)通常取0.5-0.6；強(qiáng)制風(fēng)冷或加裝散熱器時(shí)，可提升至0.7-0.8。舉例：最大負(fù)載電流5A，自然冷卻下應(yīng)選ID≥10A（5A÷0.5）的器件。

MOSFET的連續(xù)漏極電流額定值（ID）需大于電路最大負(fù)載電流，并依據(jù)散熱條件進(jìn)行降額設(shè)計(jì)。自然冷卻時(shí)，降額系數(shù)通常取0.5-0.6；強(qiáng)制風(fēng)冷或加裝散熱器時(shí)，可提升至0.7-0.8。舉例：最大負(fù)載電流5A，自然冷卻下應(yīng)選ID≥10A（5A÷0.5）的器件。

3.關(guān)注電流變化速率：

高頻開(kāi)關(guān)電路中，需注意電流變化率（di/dt）。過(guò)高的di/dt可能引發(fā)電磁干擾（EMI），應(yīng)選用能承受相應(yīng)電流變化速率的MOSFET，確保系統(tǒng)穩(wěn)定性。 商甲半導(dǎo)體 TrenchMOSFET，專(zhuān)業(yè)技術(shù)保障，開(kāi)關(guān)速度快，適配高頻應(yīng)用場(chǎng)景，效能突出。湖北代理MOSFET供應(yīng)商價(jià)格行情

柵極電壓足夠高時(shí)，絕緣層形成導(dǎo)電溝道，電流流通；上海電池管理系統(tǒng)MOSFET供應(yīng)商中低壓MOS產(chǎn)品

功率半導(dǎo)體的技術(shù)門(mén)檻在于對(duì)應(yīng)用場(chǎng)景的深度理解。

比如服務(wù)器電源需要高頻、大電流的芯片，但電流大了頻率就容易上不去。我們通過(guò)改進(jìn)SGT（屏蔽柵溝槽）及超結(jié)產(chǎn)品工藝，把高頻性能優(yōu)化到接近氮化鎵的水平，成本卻只有三分之一。”這款芯片已通過(guò)幾家頭部服務(wù)器廠商的測(cè)試，計(jì)劃明年量產(chǎn)。技術(shù)團(tuán)隊(duì)的“老炮兒”背景是商甲的核心競(jìng)爭(zhēng)力。公司研發(fā)負(fù)責(zé)人曾主導(dǎo)過(guò)多款國(guó)產(chǎn)MOSFET的量產(chǎn)，工藝團(tuán)隊(duì)則來(lái)自國(guó)內(nèi)頭部晶圓廠。

“我們的優(yōu)勢(shì)是‘接地氣’——客戶提出需求，我們商甲半導(dǎo)體能快速調(diào)整設(shè)計(jì)和工藝，不用等海外大廠漫長(zhǎng)的排期。” 上海電池管理系統(tǒng)MOSFET供應(yīng)商中低壓MOS產(chǎn)品

公司介紹

無(wú)錫商甲半導(dǎo)體是一家功率芯片設(shè)計(jì)公司，團(tuán)隊(duì)具有18年以上研發(fā)、銷(xiāo)售及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)高性能MOSFET、IGBT、SIC、Gan產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。專(zhuān)注提供高性價(jià)比的元器件供應(yīng)與定制服務(wù)，滿足企業(yè)研發(fā)需求。

產(chǎn)品供應(yīng)品類(lèi)：專(zhuān)業(yè)從事各類(lèi)高性能MOSFET、IGBT、SIC、Gan產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售。

支持樣品定制與小批量試產(chǎn)，讓“品質(zhì)優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

公司秉承:“致力于功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)與營(yíng)銷(xiāo),參與和傳承功率半導(dǎo)體的發(fā)展”的愿景,堅(jiān)持“質(zhì)量至上、創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)”的發(fā)展策略,遵循“問(wèn)題解決+產(chǎn)品交付+售后服務(wù)”的營(yíng)銷(xiāo)法則,努力將公司建設(shè)成一個(gè)具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體器件供應(yīng)商。