DDR測試

DDR4/5的協(xié)議測試除了信號質量測試以外，有些用戶還會關心DDR總線上真實讀/寫的數據是否正確，以及總線上是否有協(xié)議的違規(guī)等，這時就需要進行相關的協(xié)議測試。DDR的總線寬度很寬，即使數據線只有16位，加上地址、時鐘、控制信號等也有30多根線，更寬位數的總線甚至會用到上百根線。為了能夠對這么多根線上的數據進行同時捕獲并進行協(xié)議分析，適合的工具就是邏輯分析儀。DDR協(xié)議測試的基本方法是通過相應的探頭把被測信號引到邏輯分析儀，在邏輯分析儀中運行解碼軟件進行協(xié)議驗證和分析。 DDR3關于信號建立保持是的定義；智能化多端口矩陣測試DDR測試調試

DDR測試

DDR總線上需要測試的參數高達上百個，而且還需要根據信號斜率進行復雜的查表修正。為了提高DDR信號質量測試的效率，比較好使用的測試軟件進行測試。使用自動測試軟件的優(yōu)點是：自動化的設置向導避免連接和設置錯誤；優(yōu)化的算法可以減少測試時間；可以測試JEDEC規(guī)定的速率，也可以測試用戶自定義的數據速率；自動讀/寫分離技術簡化了測試操作；能夠多次測量并給出一個統(tǒng)計的結果；能夠根據信號斜率自動計算建立/保持時間的修正值。由于DDR5工作時鐘比較高到3.2GHz,系統(tǒng)裕量很小，因此信號的隨機和確定性抖動對于數據的正確傳輸至關重要，需要考慮熱噪聲引入的RJ、電源噪聲引入的PJ、傳輸通道損耗帶來的DJ等影響。DDR5的測試項目比DDR4也更加復雜。比如其新增了nUI抖動測試項目，并且需要像很多高速串行總線一樣對抖動進行分解并評估RJ、DJ等不同分量的影響。另外，由于高速的DDR5芯片內部都有均衡器芯片，因此實際進行信號波形測試時也需要考慮模擬均衡器對信號的影響。展示了典型的DDR5和LPDDR5測試軟件的使用界面和一部分測試結果。 測量DDR測試價格多少DDR3總線上的工作時序；

什麼是DDR內存？如何測試？

近幾年來，CPU的速度呈指數倍增長。然而，計算機內存的速度增長確不盡人意。在1999年，大批量的PC133內存替代PC100。其間，英特爾公司推出Rambus內存作為PC工業(yè)的內存解決方案。在內存技術不斷發(fā)展的時代，每一種新技術的出現，就意味著更寬的頻帶范圍和更加優(yōu)越的性能。內存峰值帶寬定義為：內存總線寬度/8位X數據速率。該參數的提高會在實際使用過程中得到充分體現：3維游戲的速度更快，MP3音樂的播放更加柔和，MPEG視頻運動圖像質量更好。今年，一種新型內存：DDR內存面世了。對大多數人來說，DDR仍然是一個陌生的名詞，然而，它確是數以百計前列內存和系統(tǒng)設計師3年來通力合作的結晶。DDR的出現預示著內存帶寬和性能的提高，然而與Rambus內存相比更重要的一點是DDR的價格更低。

實際的電源完整性是相當復雜的，其中要考慮到IC的封裝、仿真信號的切換頻率和PCB耗電網絡。對于PCB設計來說，目標阻抗的去耦設計是相對來說比較簡單的，也是比較實際的解決方案。在DDR的設計上有三類電源，它們是VDD、VTT和Vref。VDD的容差要求是5%，而其瞬間電流從Idd2到Idd7大小不同，詳細在JEDEC里有敘述。通過電源層的平面電容和用的一定數量的去耦電容，可以做到電源完整性，其中去耦電容從10nF到10uF大小不同，共有10個左右。另外，表貼電容合適，它具有更小的焊接阻抗。Vref要求更加嚴格的容差性，但是它承載著比較小的電流。顯然，它只需要很窄的走線，且通過一兩個去耦電容就可以達到目標阻抗的要求。由于Vref相當重要，所以去耦電容的擺放盡量靠近器件的管腳。然而，對VTT的布線是具有相當大的挑戰(zhàn)性，因為它不只要有嚴格的容差性，而且還有很大的瞬間電流，不過此電流的大小可以很容易的就計算出來。終，可以通過增加去耦電容來實現它的目標阻抗匹配。在4層板的PCB里，層之間的間距比較大，從而失去其電源層間的電容優(yōu)勢，所以，去耦電容的數量將增加，尤其是小于10nF的高頻電容。詳細的計算和仿真可以通過EDA工具來實現。協(xié)助DDR有那些工具測試；

2.PCB的疊層（stackup）和阻抗對于一塊受PCB層數約束的基板（如4層板）來說，其所有的信號線只能走在TOP和BOTTOM層，中間的兩層，其中一層為GND平面層，而另一層為VDD平面層，Vtt和Vref在VDD平面層布線。而當使用6層來走線時，設計一種拓撲結構變得更加容易，同時由于Power層和GND層的間距變小了，從而提高了電源完整性?；ヂ撏ǖ赖牧硪粎底杩?，在DDR2的設計時必須是恒定連續(xù)的，單端走線的阻抗匹配電阻50Ohms必須被用到所有的單端信號上，且做到阻抗匹配，而對于差分信號，100Ohms的終端阻抗匹配電阻必須被用到所有的差分信號終端，比如CLOCK和DQS信號。另外，所有的匹配電阻必須上拉到VTT，且保持50Ohms，ODT的設置也必須保持在50Ohms。在DDR3的設計時，單端信號的終端匹配電阻在40和60Ohms之間可選擇的被設計到ADDR/CMD/CNTRL信號線上，這已經被證明有很多的優(yōu)點。而且，上拉到VTT的終端匹配電阻根據SI仿真的結果的走線阻抗，電阻值可能需要做出不同的選擇，通常其電阻值在30-70Ohms之間。而差分信號的阻抗匹配電阻始終在100Ohms。什麼是DDR內存？如何測試？測量DDR測試價格多少

用DDR的BGA探頭引出測試信號；智能化多端口矩陣測試DDR測試調試

現做一個測試電路，類似于圖5，驅動源是一個線性的60Ohms阻抗輸出的梯形信號，信號的上升沿和下降沿均為100ps，幅值為1V。此信號源按照圖6的三種方式，且其端接一60Ohms的負載，其激勵為一800MHz的周期信號。在0.5V這一點，我們觀察從信號源到接收端之間的時間延遲，顯示出來它們之間的時延差異。其結果如圖7所示，在圖中只顯示了信號的上升沿，從這圖中可以很明顯的看出，帶有四個地過孔環(huán)繞的過孔時延同直線相比只有3ps，而在沒有地過孔環(huán)繞的情況下，其時延是8ps。由此可知，在信號過孔的周圍增加地過孔的密度是有幫助的。然而，在4層板的PCB里，這個就顯得不是完全的可行性，由于其信號線是靠近電源平面的，這就使得信號的返回路徑是由它們之間的耦合程度來決定的。所以，在4層的PCB設計時，為符合電源完整性（powerintegrity）要求，對其耦合程度的控制是相當重要的。智能化多端口矩陣測試DDR測試調試