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IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。IGBT驅(qū)動(dòng)電路分為正壓驅(qū)動(dòng)和負(fù)壓驅(qū)動(dòng)，負(fù)壓關(guān)斷可以避免誤導(dǎo)通風(fēng)險(xiǎn)，加快關(guān)斷速度，減小關(guān)斷損耗。IGBT的驅(qū)動(dòng)電路一般采用**的驅(qū)動(dòng)芯片，如東芝的TLP系列、富士公司的EXB系列、英飛凌的EiceDRIVER系列等。五、驅(qū)動(dòng)電路的應(yīng)用顯示控制：驅(qū)動(dòng)電路可以將數(shù)字信號(hào)轉(zhuǎn)換為模擬信號(hào)，以控制液晶顯示屏、LED顯示屏等顯示設(shè)備；也可以將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號(hào)，以控制數(shù)碼管等顯示設(shè)備。隔離型驅(qū)動(dòng)電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路。金山區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路量大從優(yōu)表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的...

調(diào)光原理市面上大多數(shù)可控硅調(diào)光器基本結(jié)構(gòu)如圖1所示，其工作原理如下：當(dāng)交流電壓加雙向可控硅TRIAC兩端時(shí)，由于Rt、Ct組成的RC充電電路有一個(gè)充電時(shí)間，電容上的電壓是從0V開始充電的，并且TRIAC的驅(qū)動(dòng)極串聯(lián)有一個(gè)DIAC(雙向觸發(fā)二極管，一般是30V左右)，因此TRIAC可靠截止。當(dāng)Ct上的電壓上升到30V時(shí)，DIAC觸發(fā)導(dǎo)通，TRIAC可靠導(dǎo)通，此時(shí)TRIAC兩端的電壓瞬間變?yōu)榱?，Ct通過Rt迅速放電，當(dāng)Ct電壓跌落到30V以下時(shí)，DIAC截止，如果TRIAC通過的電流大于其維持電流則繼續(xù)導(dǎo)通，如果低于其維持電流將會(huì)截止。電感L和電容C的作用是減小電流和電壓的變化率，以抑制電磁干擾E...

實(shí)現(xiàn)電氣隔離：在需要電氣隔離的應(yīng)用中，驅(qū)動(dòng)電路通過光耦、變壓器等隔離器件，將輸入信號(hào)與輸出信號(hào)隔離開來，提高系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。三、驅(qū)動(dòng)電路的分類按功率器件的接地類型分類：直接接地驅(qū)動(dòng)：功率器件的接地端電位恒定，常用的有推挽驅(qū)動(dòng)以及圖騰柱驅(qū)動(dòng)等。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng)：功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng)，典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。按電路結(jié)構(gòu)分類：隔離型驅(qū)動(dòng)電路：包含光耦、變壓器、電容等具有電氣隔離功能器件的驅(qū)動(dòng)電路。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。楊浦區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)驅(qū)動(dòng)，計(jì)算機(jī)軟件術(shù)語，是指驅(qū)使計(jì)算機(jī)里硬件動(dòng)作的軟件程序。驅(qū)動(dòng)程序全稱設(shè)備驅(qū)動(dòng)程序，...

一、驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路是位于主電路和控制電路之間，用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路，即將控制電路輸出的信號(hào)放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管的程度，實(shí)現(xiàn)開關(guān)功率放大作用。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。二、驅(qū)動(dòng)電路的作用功率放大：驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷。提高系統(tǒng)可靠性：優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開關(guān)損耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率，并降低電磁干擾（EMI/EMC）。驅(qū)動(dòng)電路是用于控制和驅(qū)動(dòng)其他電路或設(shè)備的電路。閔行區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠led驅(qū)動(dòng)電路是一種用于可控硅調(diào)光器的電路，分為兩類AC/...

IGBT 的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET 的溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT驅(qū)動(dòng)電路是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的電路。絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)在***的電力電子領(lǐng)域中已經(jīng)得到廣泛的應(yīng)用，在實(shí)際使用中除IGBT自身外，IGBT 驅(qū)動(dòng)器的作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來說同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動(dòng)器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會(huì)直接導(dǎo)致 IG...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔...

有些驅(qū)動(dòng)器只有一個(gè)輸出端，這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個(gè)電阻和二極管的串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，用以調(diào)節(jié)2個(gè)方向的驅(qū)動(dòng)速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10－100K 電阻，防止在未接驅(qū)動(dòng)引線的情況下，偶然加主電高壓，通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對(duì)于大功率IGBT，選擇驅(qū)動(dòng)電路基于以下的參數(shù)要求：器件關(guān)斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負(fù)偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對(duì)IGBT的通態(tài)壓降、開關(guān)時(shí)間、開關(guān)損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系見表1。柵極正電壓...

Windows 9x專門提供有“添加新硬件向?qū)А保ㄒ韵潞?jiǎn)稱硬件向?qū)В﹣韼椭褂谜甙惭b硬件驅(qū)動(dòng)程序，使用者的工作就是在必要時(shí)告訴硬件向?qū)г谀膬嚎梢哉业脚c硬件型號(hào)相匹配的.inf文件，剩下的絕大部分安裝工作都將由硬件安裝向?qū)ё约和瓿?。給硬件設(shè)備安裝驅(qū)動(dòng)程序?qū)indows 9x用戶來說并不是一件陌生事，在安裝或重裝Windows時(shí)需要安裝驅(qū)動(dòng)程序，在購買了某些新硬件之后也需要安裝驅(qū)動(dòng)程序。如果驅(qū)動(dòng)程序安裝不對(duì)，系統(tǒng)中某些硬件就有一定可能無法正常使用。雖然Windows 9x支持即插即用，能夠?yàn)橛脩魷p少不少工作，但由于PC機(jī)的設(shè)備有非常多的品牌和型號(hào)，加上各種新產(chǎn)品不斷問世，Windows不可能自動(dòng)...

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡(jiǎn)單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。低邊驅(qū)動(dòng)：通常用于將功率開關(guān)器件連接在電源負(fù)極（地）一側(cè)。楊浦區(qū)優(yōu)勢(shì)驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)...

IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電壓-9V，則U=24V，假設(shè) F=10KHz，Q=2.8uC可計(jì)算出 P=0.67w ，柵極電阻應(yīng)選取2W電阻，或2個(gè)1W電阻并聯(lián)。三、設(shè)置柵極電阻的其他注意事項(xiàng)1、盡量減小柵極回路的電感阻抗，具體的措施有：IGBT柵極驅(qū)動(dòng)功率 P=FUQ，其中：F 為工作頻率；U 為驅(qū)動(dòng)輸出電壓的峰峰值；Q 為柵極電荷，可參考IGBT模塊參數(shù)手冊(cè)。例如，常見IGBT驅(qū)動(dòng)器(如TX-KA101)輸出正電壓15V，負(fù)電...

如：Nvidia顯卡芯片公司平均每個(gè)月會(huì)升級(jí)顯卡驅(qū)動(dòng)程序2－3次。驅(qū)動(dòng)程序是硬件的一部分，當(dāng)你安裝新硬件時(shí)，驅(qū)動(dòng)程序是一項(xiàng)不可或缺的重要元件。凡是安裝一個(gè)原本不屬于你電腦中的硬件設(shè)備時(shí)，系統(tǒng)就會(huì)要求你安裝驅(qū)動(dòng)程序，將新的硬件與電腦系統(tǒng)連接起來。驅(qū)動(dòng)程序扮演溝通的角色，把硬件的功能告訴電腦系統(tǒng)，并且也將系統(tǒng)的指令傳達(dá)給硬件，讓它開始工作。當(dāng)你在安裝新硬件時(shí)總會(huì)被要求放入“這種硬件的驅(qū)動(dòng)程序”，很多人這時(shí)就開始***。不是找不到驅(qū)動(dòng)程序的盤片，就是找不到文件的位置，或是根本不知道什么是驅(qū)動(dòng)程序。IGBT驅(qū)動(dòng)：IGBT常被用于中大功率數(shù)字電源開發(fā)，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-15~15V。浦東新區(qū)挑選驅(qū)動(dòng)電路...

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來實(shí)現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測(cè)R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷，維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。心理或情感意義：可以指推動(dòng)一個(gè)人采取行動(dòng)的內(nèi)在動(dòng)力或外部激勵(lì)。靜安區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路圖片這樣一來，輸出高低電平時(shí)，T3...

文中設(shè)計(jì)的電路利用RC充放電電路來實(shí)現(xiàn)這一功能。圖2是一種利用普通的脈寬調(diào)制PWM芯片結(jié)合外圍電路來搭建可控硅調(diào)光的LED驅(qū)動(dòng)電路框圖。維持電流補(bǔ)償電路通過檢測(cè)R1端電壓(即輸入電流)來控制流過維持電流補(bǔ)償電路的電流。當(dāng)輸入電流較小時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路上流過較大的電流;當(dāng)輸入電流較大時(shí)，維持電流補(bǔ)償電路關(guān)斷，維持電流補(bǔ)償以恒流源的形式保證可控硅的維持電流。調(diào)光控制電路包括比較器、RC充放電電路和增益電路。實(shí)驗(yàn)中選用一款旋鈕行程和斬波角成正比的可控硅調(diào)光器，其**小導(dǎo)通角約為30°。驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)通常需要考慮負(fù)載的電流、電壓要求，以及控制信號(hào)的特性。普陀區(qū)質(zhì)量驅(qū)動(dòng)電路生產(chǎn)企業(yè)如：Nvidia顯卡...

表1 IGBT門極驅(qū)動(dòng)條件與器件特性的關(guān)系由于IGBT的開關(guān)特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅(qū)動(dòng)電路的變化而變化，因而驅(qū)動(dòng)電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對(duì)其驅(qū)動(dòng)電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當(dāng)?shù)恼驏艍?。并且在IGBT導(dǎo)通后。柵極驅(qū)動(dòng)電路提供給IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓和電流要有足夠的幅度，使IGBT的功率輸出級(jí)總處于飽和狀態(tài)。瞬時(shí)過載時(shí)，柵極驅(qū)動(dòng)電路提供的驅(qū)動(dòng)功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， V...

驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（光耦合；磁耦合）。 [1]由于 MOSFET 的工作頻率及輸入阻抗高，容易**擾，故驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有良好的電氣隔離性能，以實(shí)現(xiàn)主電路與控制電路之間的隔離，使之具有較強(qiáng)的抗干擾能力，避免功率級(jí)電路對(duì)控制信號(hào)的干擾。光耦隔離驅(qū)動(dòng)可分為電磁隔離與光電隔離。采用脈沖變壓器實(shí)現(xiàn)電路的電磁隔離，是一種電路簡(jiǎn)單可靠，又具有電氣隔離作用的電路，但其對(duì)脈沖的寬度有較大限制，若脈沖過寬，磁飽和效應(yīng)可能使一次繞組的電流突然增大，甚至使其燒毀，而若脈沖過窄，為驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O關(guān)斷所存儲(chǔ)的能量可能不夠。LED驅(qū)動(dòng)電路：專門設(shè)計(jì)用于驅(qū)動(dòng)LED，通常包括恒流源電路，以確保LED在安全的...

非隔離驅(qū)動(dòng)電路：不具有電氣隔離結(jié)構(gòu)，多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅(qū)動(dòng)芯片。按常見形式分類：直接驅(qū)動(dòng)：由單個(gè)電子元器件（如二極管、三極管、電阻、電容等）連接起來組成的驅(qū)動(dòng)電路，多用于功能簡(jiǎn)單的小功率驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合。隔離驅(qū)動(dòng)：電路包含隔離器件，常用的有光耦驅(qū)動(dòng)、變壓器驅(qū)動(dòng)以及隔離電容驅(qū)動(dòng)等。**驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用***，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。功率開關(guān)管常用驅(qū)動(dòng)MOSFET驅(qū)動(dòng)：MOSFET常用于中小功率數(shù)字電源，其驅(qū)動(dòng)電壓范圍一般在-10~20V之間。MOSFET對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的功率要求不高，在低頻場(chǎng)合可利用三極管直接驅(qū)動(dòng)，而在高頻場(chǎng)合多采用變壓器或**芯片進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。驅(qū)動(dòng)電路，...

3、調(diào)節(jié)功率開關(guān)器件的通斷速度柵極電阻小，開關(guān)器件通斷快，開關(guān)損耗小；反之則慢，同時(shí)開關(guān)損耗大。但驅(qū)動(dòng)速度過快將使開關(guān)器件的電壓和電流變化率**提高，從而產(chǎn)生較大的干擾，嚴(yán)重的將使整個(gè)裝置無法工作，因此必須統(tǒng)籌兼顧。二、柵極電阻的選取1、柵極電阻阻值的確定各種不同的考慮下，柵極電阻的選取會(huì)有很大的差異。初試可如下選?。翰煌放频腎GBT模塊可能有各自的特定要求，可在其參數(shù)手冊(cè)的推薦值附近調(diào)試。2、柵極電阻功率的確定柵極電阻的功率由IGBT柵極驅(qū)動(dòng)的功率決定，一般來說柵極電阻的總功率應(yīng)至少是柵極驅(qū)動(dòng)功率的2倍。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng)：功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng)，典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。奉賢區(qū)質(zhì)...

實(shí)驗(yàn)及結(jié)果根據(jù)以上分析，本文設(shè)計(jì)一臺(tái)基于反激變換器的可控硅調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器，控制芯片為NCP1607;輸入交流電壓220V，最大輸出功率為25W，比較大輸出電流為0.7A;以3串(每串10只0.8W的LED燈)相并聯(lián)作為負(fù)載;RC時(shí)間系數(shù)選擇0.5，增益為0.2。電路的實(shí)驗(yàn)波形和工作特性曲線如圖4所示。圖4a)、b)、c)為可控硅導(dǎo)通角為115°時(shí)阻抗匹配開關(guān)驅(qū)動(dòng)電壓VZ、輸入電流Iin、輸入電壓Vin的波形，電路的輸出電流為470mA，功率因數(shù)為0.78。從圖中可看出，當(dāng)可控硅導(dǎo)通瞬間，由于驅(qū)動(dòng)器輸入端有差模濾波電容導(dǎo)致輸入電流有沖擊電流尖峰，而當(dāng)輸入電流小于一定值時(shí)，阻抗匹配開關(guān)開通以保證...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔...

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10...

推挽驅(qū)動(dòng)是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。如果輸出級(jí)的有兩個(gè)三極管，始終處于一個(gè)導(dǎo)通、一個(gè)截止的狀態(tài)，也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入低電平時(shí)，輸出端的電流將是下級(jí)門灌入T4；當(dāng)輸出高電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入高電平時(shí)，輸出端的電流將是下...

如：Nvidia顯卡芯片公司平均每個(gè)月會(huì)升級(jí)顯卡驅(qū)動(dòng)程序2－3次。驅(qū)動(dòng)程序是硬件的一部分，當(dāng)你安裝新硬件時(shí)，驅(qū)動(dòng)程序是一項(xiàng)不可或缺的重要元件。凡是安裝一個(gè)原本不屬于你電腦中的硬件設(shè)備時(shí)，系統(tǒng)就會(huì)要求你安裝驅(qū)動(dòng)程序，將新的硬件與電腦系統(tǒng)連接起來。驅(qū)動(dòng)程序扮演溝通的角色，把硬件的功能告訴電腦系統(tǒng)，并且也將系統(tǒng)的指令傳達(dá)給硬件，讓它開始工作。當(dāng)你在安裝新硬件時(shí)總會(huì)被要求放入“這種硬件的驅(qū)動(dòng)程序”，很多人這時(shí)就開始***。不是找不到驅(qū)動(dòng)程序的盤片，就是找不到文件的位置，或是根本不知道什么是驅(qū)動(dòng)程序。驅(qū)動(dòng)電路是電子設(shè)備中的“動(dòng)力源泉”，它負(fù)責(zé)將微弱的控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。奉賢區(qū)國(guó)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)電路銷售廠...

Windows怎樣知道安裝的是什么設(shè)備，以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時(shí)***始引入的一種描述設(shè)備安裝信息的文件，它用特定語法的文字來說明要安裝的設(shè)備類型、生產(chǎn)廠商、型號(hào)、要拷貝的文件、拷貝到的目標(biāo)路徑，以及要添加到注冊(cè)表中的信息。通過讀取和解釋這些文字，Windows便知道應(yīng)該如何安裝驅(qū)動(dòng)程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅(qū)動(dòng)程序都帶有安裝信息文件。事實(shí)上，.inf文件不僅可用于安裝驅(qū)動(dòng)程序，還能用來安裝與硬件并沒有什么關(guān)系的軟件，例如Windows 98支持“Windows更新”功能，更新時(shí)下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件...

根據(jù)圖2中，RC充放電電路的輸出經(jīng)過增益電路后可得電流參考為：式中k為增益，VC為RC充放電電路的輸入電壓，τ為RC的時(shí)間系數(shù)，θ為可控硅的導(dǎo)通角。則在**小導(dǎo)通角對(duì)應(yīng)的輸出為零，即電路輸出的**大值對(duì)應(yīng)電流參考的**大值：從式(1)和式(2)可得輸出電流表達(dá)式如式(3)所示。在斬波角為θ時(shí)，電路對(duì)應(yīng)的輸入功率為：式中Vp為輸入電壓峰值，Rin為等效輸入阻抗。假設(shè)電路的變換效率為η，且電路的輸出功率為PO=IO·UO，則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。浮動(dòng)接地驅(qū)動(dòng)：功率器件接地端電位會(huì)隨電路狀態(tài)變化而浮動(dòng)，典型的為自舉驅(qū)動(dòng)電路。青浦區(qū)特點(diǎn)驅(qū)動(dòng)...

Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測(cè)試方法測(cè)量出開通能量E，然后再計(jì)算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準(zhǔn)確但太繁瑣，一般情況下我們可以簡(jiǎn)單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷：如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz，那么可以近似的認(rèn)為Cin=4.5Cies，門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - V...

一、驅(qū)動(dòng)電路概述驅(qū)動(dòng)電路是位于主電路和控制電路之間，用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路，即將控制電路輸出的信號(hào)放大到足以驅(qū)動(dòng)功率晶體管的程度，實(shí)現(xiàn)開關(guān)功率放大作用。它是電子設(shè)備和系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、通信設(shè)備、電視、汽車、機(jī)器人等領(lǐng)域。二、驅(qū)動(dòng)電路的作用功率放大：驅(qū)動(dòng)電路的主要作用是將控制電路產(chǎn)生的微弱信號(hào)放大，以驅(qū)動(dòng)功率開關(guān)器件的開斷。提高系統(tǒng)可靠性：優(yōu)良的驅(qū)動(dòng)電路能夠減少器件的開關(guān)損耗，提高能量轉(zhuǎn)換效率，并降低電磁干擾（EMI/EMC）?？刂菩盘?hào)：確定控制信號(hào)的類型（如PWM信號(hào)、數(shù)字信號(hào)等）。普陀區(qū)好的驅(qū)動(dòng)電路圖片驅(qū)動(dòng)電路隔離技術(shù)一般使用光電耦合器或隔離變壓器（...

推挽驅(qū)動(dòng)是兩不同極性晶體管輸出電路無輸出變壓器（有OTL、OCL等）。是兩個(gè)參數(shù)相同的功率 BJT 管或 MOSFET 管,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小效率高。推挽輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。如果輸出級(jí)的有兩個(gè)三極管，始終處于一個(gè)導(dǎo)通、一個(gè)截止的狀態(tài)，也就是兩個(gè)三級(jí)管推挽相連，這樣的電路結(jié)構(gòu)稱為推拉式電路或圖騰柱（Totem- pole）輸出電路。當(dāng)輸出低電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入低電平時(shí)，輸出端的電流將是下級(jí)門灌入T4；當(dāng)輸出高電平時(shí)，也就是下級(jí)負(fù)載門輸入高電平時(shí)，輸出端的電流將是下...

可控硅前沿調(diào)光器若直接用于控制普通的LED驅(qū)動(dòng)器，LED燈會(huì)產(chǎn)生閃爍，更不能實(shí)現(xiàn)寬范圍的調(diào)光控制。原因歸結(jié)如下：(1)可控硅的維持電流問題。目前市面上的可控硅調(diào)光器功率等級(jí)不同，維持電流一般是7～75mA(驅(qū)動(dòng)電流則是7～100mA)，導(dǎo)通后流過可控硅的電流必須要大于這個(gè)值才能繼續(xù)導(dǎo)通，否則會(huì)自行關(guān)斷。(2)阻抗匹配問題。當(dāng)可控硅導(dǎo)通后，可控硅和驅(qū)動(dòng)電路的阻抗都發(fā)生變化，且驅(qū)動(dòng)電路由于有差模濾波電容的存在，呈容性阻抗，與可控硅調(diào)光器存在阻抗匹配的問題，因此在設(shè)計(jì)電路時(shí)一般需要使用較小的差模濾波電容。驅(qū)動(dòng)集成芯片：在數(shù)字電源中應(yīng)用，許多驅(qū)動(dòng)芯片自帶保護(hù)和隔離功能。上海好的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)-- 適用于...

2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關(guān)斷期間，由于電路中其他部分的工作，會(huì)在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號(hào)，這些信號(hào)輕則會(huì)使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，比較好給處于截止?fàn)顟B(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關(guān)噪聲時(shí)仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路，保護(hù)柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場(chǎng)合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)與整個(gè)控制電路在電位上嚴(yán)格隔離，一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔...

IGBT 的開關(guān)特性主要取決于IGBT的門極電荷及內(nèi)部和外部的電阻。圖1是IGBT 門極電容分布示意圖，其中CGE 是柵極-發(fā)射極電容、CCE 是集電極-發(fā)射極電容、CGC 是柵極-集電極電容或稱米勒電容（Miller Capacitor）。門極輸入電容Cies 由CGE 和CGC 來表示，它是計(jì)算IGBT 驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE 的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的電容Cies 的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測(cè)得的，在測(cè)量電路中，加在集電極上C 的電壓一般只有25V(有些廠家為10...