有些驅動器只有一個輸出端,這就要在原來的Rg 上再并聯(lián)一個電阻和二極管的串聯(lián)網絡,用以調節(jié)2個方向的驅動速度。3、在IGBT的柵射極間接上Rge=10-100K 電阻,防止在未接驅動引線的情況下,偶然加主電高壓,通過米勒電容燒毀IGBT。所以用戶比較好再在IGBT的柵射極或MOSFET柵源間加裝Rge。對于大功率IGBT,選擇驅動電路基于以下的參數(shù)要求:器件關斷偏置、門極電荷、耐固性和電源情況等。門極電路的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小,對IGBT的通態(tài)壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數(shù)有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化對IGBT的開通特性、負載短路能力和dVcE/dt電流有較大影響,而門極負偏壓則對關斷特性的影響比較大。在門極電路的設計中,還要注意開通特性、負載短路能力和由dVcE/dt 電流引起的誤觸發(fā)等問題(見表1)??刂菩盘枺捍_定控制信號的類型(如PWM信號、數(shù)字信號等)。虹口區(qū)通用驅動電路現(xiàn)價
2)能向IGBT提供足夠的反向柵壓。在IGBT關斷期間,由于電路中其他部分的工作,會在柵極電路中產生一些高頻振蕩信號,這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài),增加管子的功耗。重則將使調壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此,比較好給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5~15 V),使IGBT在柵極出現(xiàn)開關噪聲時仍能可靠截止。3)具有柵極電壓限幅電路,保護柵極不被擊穿。IGBT柵極極限電壓一般為+20 V,驅動信號超出此范圍就可能破壞柵極。4)由于IGBT多用于高壓場合。要求有足夠的輸入、輸出電隔離能力。所以驅動電路應與整個控制電路在電位上嚴格隔離,一般采用高速光耦合隔離或變壓器耦合隔離。虹口區(qū)通用驅動電路現(xiàn)價MOSFET驅動電路:使用MOSFET(場效應晶體管)作為開關元件,適用于高效能的開關電源和電機驅動。
根據(jù)圖2中,RC充放電電路的輸出經過增益電路后可得電流參考為:式中k為增益,VC為RC充放電電路的輸入電壓,τ為RC的時間系數(shù),θ為可控硅的導通角。則在**小導通角對應的輸出為零,即電路輸出的**大值對應電流參考的**大值:從式(1)和式(2)可得輸出電流表達式如式(3)所示。在斬波角為θ時,電路對應的輸入功率為:式中Vp為輸入電壓峰值,Rin為等效輸入阻抗。假設電路的變換效率為η,且電路的輸出功率為PO=IO·UO,則可得到電路的等效輸入阻抗如式(5)所示。從式(5)可得電路的功率因數(shù)如式(6)所示。
Windows怎樣知道安裝的是什么設備,以及要拷貝哪些文件。答案在于.inf文件。.inf是從Windows 95時***始引入的一種描述設備安裝信息的文件,它用特定語法的文字來說明要安裝的設備類型、生產廠商、型號、要拷貝的文件、拷貝到的目標路徑,以及要添加到注冊表中的信息。通過讀取和解釋這些文字,Windows便知道應該如何安裝驅動程序。幾乎所有硬件廠商提供的用于Windows 9x下的驅動程序都帶有安裝信息文件。事實上,.inf文件不僅可用于安裝驅動程序,還能用來安裝與硬件并沒有什么關系的軟件,例如Windows 98支持“Windows更新”功能,更新時下載的系統(tǒng)部件就是利用.inf文件來說明如何安裝該部件的。非隔離驅動電路:不具有電氣隔離結構,多采用電阻、二極管、三極管或非隔離型驅動芯片。
Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)所給出的測試方法測量出開通能量E,然后再計算出QG。E = ∫IG · ΔUGE · dt= QG · ΔUGE這種方法雖然準確但太繁瑣,一般情況下我們可以簡單地利用IGBT數(shù)據(jù)手冊中所給出的輸入電容Cies值近似地估算出門極電荷:如果IGBT數(shù)據(jù)表給出的Cies的條件為VCE = 25 V, VGE = 0 V, f= 1 MHz,那么可以近似的認為Cin=4.5Cies,門極電荷 QG ≈ ΔUGE · Cies · 4.5 = [ VG(on) - VG(off) ] · Cies · 4.5Cies : IGBT的輸入電容(Cies 可從IGBT 手冊中找到)負載特性:了解負載的電流、電壓和功率要求。上海質量驅動電路貨源充足
電機控制:驅動電路可以用來控制各種類型的電機,例如步進電機、直流電機、交流電機等。虹口區(qū)通用驅動電路現(xiàn)價
表1 IGBT門極驅動條件與器件特性的關系由于IGBT的開關特性和安全工作區(qū)隨著柵極驅動電路的變化而變化,因而驅動電路性能的好壞將直接影響IGBT能否正常工作。為使IGBT能可靠工作。IGBT對其驅動電路提出了以下要求。1)向IGBT提供適當?shù)恼驏艍骸2⑶以贗GBT導通后。柵極驅動電路提供給IGBT的驅動電壓和電流要有足夠的幅度,使IGBT的功率輸出級總處于飽和狀態(tài)。瞬時過載時,柵極驅動電路提供的驅動功率要足以保證IGBT不退出飽和區(qū)。IGBT導通后的管壓降與所加柵源電壓有關,在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過20 V,原因是一旦發(fā)生過流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。虹口區(qū)通用驅動電路現(xiàn)價
祥盛芯城(上海)半導體有限公司匯集了大量的優(yōu)秀人才,集企業(yè)奇思,創(chuàng)經濟奇跡,一群有夢想有朝氣的團隊不斷在前進的道路上開創(chuàng)新天地,繪畫新藍圖,在上海市等地區(qū)的電子元器件中始終保持良好的信譽,信奉著“爭取每一個客戶不容易,失去每一個用戶很簡單”的理念,市場是企業(yè)的方向,質量是企業(yè)的生命,在公司有效方針的領導下,全體上下,團結一致,共同進退,**協(xié)力把各方面工作做得更好,努力開創(chuàng)工作的新局面,公司的新高度,未來祥盛芯城供應和您一起奔向更美好的未來,即使現(xiàn)在有一點小小的成績,也不足以驕傲,過去的種種都已成為昨日我們只有總結經驗,才能繼續(xù)上路,讓我們一起點燃新的希望,放飛新的夢想!