產(chǎn)品中心
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射頻電容電阻在射頻電路中扮演著關(guān)鍵的角色，它們相互配合，共同實現(xiàn)電路的各種功能。射頻電容主要用于濾波、耦合、旁路等，能夠有效地控制射頻信號的...
ipd硅電容在集成電路封裝中具有重要價值。在集成電路封裝過程中，空間非常有限，對電容的性能和尺寸要求極高。ipd硅電容采用先進的封裝技術(shù)，將...
四硅電容采用了創(chuàng)新的設(shè)計理念，具備卓著優(yōu)勢。其獨特的設(shè)計結(jié)構(gòu)使得四個硅基電容單元能夠協(xié)同工作，有效提高了電容的整體性能。在電容值方面，四硅電...
QRNG即量子隨機數(shù)發(fā)生器，是一種基于量子物理原理產(chǎn)生隨機數(shù)的設(shè)備。其原理與傳統(tǒng)隨機數(shù)發(fā)生器有著本質(zhì)區(qū)別。傳統(tǒng)隨機數(shù)發(fā)生器往往依賴于算法或物...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請國家發(fā)明專利15項。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點的流片，性能指標(biāo)處于先進地位。 公司擁有一支國際化團隊，成員來自中國大陸，美國，中國臺灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲芯片---電壓控制磁存儲器(MeRAM)芯片，磁性真隨機數(shù)發(fā)生器芯片。
