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考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化，還是外觀結(jié)構(gòu)適配，我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專屬設(shè)計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊和成熟的生產(chǎn)體系，定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交付，在保證定制靈活性的同時，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù)，期待與您攜手共進(jìn)，共創(chuàng)佳績。針對接面漏電，我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置，利于篩選不良品，為改進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供數(shù)據(jù)。自銷微光顯微鏡性價比致晟光電在推動產(chǎn)學(xué)研一體化進(jìn)程中，積極開展校企合作。公司依托南...

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。 二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于，即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。 針對接面漏電，我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置，利于篩選不良品，為改進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供數(shù)據(jù)。直銷微光顯微鏡品牌 對半...

通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現(xiàn)微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術(shù)，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產(chǎn)生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗，都會轉(zhuǎn)化為局部溫度的細(xì)微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發(fā)，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉(zhuǎn)化為熱分布圖。通過分析溫度異常區(qū)域，它能間接推斷電路中的故障點，尤其擅長發(fā)現(xiàn)與能量損耗相關(guān)的問題。針對光器件，能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。制造微光顯微鏡性價比適用場景的分野，進(jìn)一步凸顯了二者（微光...

致晟光電將熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）與微光顯微鏡 (EMMI) 集成的設(shè)備，在維護(hù)成本控制上展現(xiàn)出優(yōu)勢。對于分開的兩臺設(shè)備，企業(yè)需配備專門人員分別學(xué)習(xí)兩套系統(tǒng)的維護(hù)知識，培訓(xùn)內(nèi)容涵蓋不同的機械結(jié)構(gòu)、光學(xué)原理、軟件操作，還包括各自的故障診斷邏輯與校準(zhǔn)流程，往往需要數(shù)月的系統(tǒng)培訓(xùn)才能確保人員熟練操作，期間產(chǎn)生的培訓(xùn)費用、時間成本居高不下。而使用一套集成設(shè)備只需一套維護(hù)體系，維護(hù)人員只需掌握一套系統(tǒng)的維護(hù)邏輯與操作規(guī)范，無需在兩套差異化的設(shè)備間切換學(xué)習(xí)，培訓(xùn)周期可縮短近一半，大幅降低了培訓(xùn)方面的人力與資金投入。我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子，快速定位短路位置，優(yōu)...

同時，我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實驗室進(jìn)行深入交流。在這里，我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程，從基礎(chǔ)功能到高級應(yīng)用，一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對您在設(shè)備選型、使用場景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問，我們也會給予細(xì)致入微的解答，讓您對失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢與適用范圍。 這種面對面的深度溝通，旨在讓合作過程更加透明，讓您對我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心，合作也更顯安心。 其搭載的圖像增強算法，能強化微弱光子信號，減少噪聲干擾，使故障點成像更鮮明，便于識別。顯微微光顯微鏡成像儀 企業(yè)用戶何如去采購適合自己的設(shè)備？ 功能側(cè)重的差異，讓它們在芯片檢...

在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當(dāng)芯片施加工作偏壓時，設(shè)備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術(shù)將漏電點的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖，再與電路版圖進(jìn)行疊加分析，可實現(xiàn)漏電點的微米級精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段，微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區(qū)域的細(xì)微熱信號。國外微光顯微鏡價格高昂，常達(dá)上千萬元，我司國產(chǎn)設(shè)備工藝完備，技術(shù)成熟，平替性價比高。IC...

這一技術(shù)不僅有助于快速定位漏電根源（如特定晶體管的柵氧擊穿、PN結(jié)邊緣缺陷等），更能在芯片量產(chǎn)階段實現(xiàn)潛在漏電問題的早期篩查，為采取針對性修復(fù)措施（如優(yōu)化工藝參數(shù)、改進(jìn)封裝設(shè)計）提供依據(jù)，從而提升芯片的長期可靠性。例如，某批次即將交付的電源管理芯片在出廠前的EMMI抽檢中，發(fā)現(xiàn)部分芯片的邊角區(qū)域存在持續(xù)穩(wěn)定的微弱光信號。結(jié)合芯片的版圖設(shè)計與工藝參數(shù)分析，確認(rèn)該區(qū)域的NMOS晶體管因柵氧層局部厚度不足導(dǎo)致漏電。技術(shù)團(tuán)隊據(jù)此對這批次芯片進(jìn)行篩選，剔除了存在漏電隱患的產(chǎn)品，有效避免了缺陷芯片流入市場后可能引發(fā)的設(shè)備功耗異常、發(fā)熱甚至燒毀等風(fēng)險。通過與光譜儀聯(lián)用，可分析光子的光譜信息，為判斷缺陷類型提...

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。當(dāng)二極管處于正向偏置或反向擊穿狀態(tài)時，會有強烈的光子發(fā)射，形成明顯亮點...

當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷，如結(jié)漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復(fù)合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復(fù)合異常情況，像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。 而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會導(dǎo)致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設(shè)計缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常，以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 針對氮化鎵等寬禁帶半...

可探測到亮點的情況 一、由缺陷導(dǎo)致的亮點結(jié)漏電（Junction Leakage）接觸毛刺（Contact Spiking）熱電子效應(yīng)（Hot Electrons）閂鎖效應(yīng)（Latch-Up）氧化層漏電（Gate Oxide Defects / Leakage (F-N Current)）多晶硅晶須（Poly-silicon Filaments）襯底損傷（Substrate Damage）物理損傷（Mechanical Damage）等。 二、器件本身固有的亮點飽和 / 有源狀態(tài)的雙極晶體管（Saturated/Active Bipolar Transistors）飽和狀態(tài)的 ...

微光顯微鏡的原理是探測光子發(fā)射。它通過高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對（EHP）復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子（如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過程中的發(fā)光），進(jìn)而定位失效點。其探測對象是光信號，且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測溫原理工作。芯片運行時，失效區(qū)域（如短路、漏電點）會因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫，其釋放的紅外輻射強度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過檢測不同區(qū)域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發(fā)熱異常點，探測對象是熱信號（紅外波段輻射）。其低噪聲電纜連接設(shè)計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器?？蒲杏梦⒐怙@微鏡對比InGaAs微...

對半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結(jié)，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究內(nèi)核。 然而，受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏，再加上芯片內(nèi)部設(shè)計涉及機密，工程師難以深入了解其底層構(gòu)造，這就導(dǎo)致他們在面對原廠出具的分析報告時，常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細(xì)節(jié)，也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 我司團(tuán)隊改進(jìn)算法等技術(shù)，整合出 EMMI 芯片漏電定位系統(tǒng)，價低且數(shù)據(jù)整理準(zhǔn)、操作便，性價比高，居行業(yè)先頭。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡內(nèi)容 微光顯微鏡（EMMI）無法探測到...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設(shè)備研發(fā)制造企業(yè)，其本地化服務(wù)目前以國內(nèi)市場為主要覆蓋區(qū)域 。尤其在華東地區(qū)，依托總部蘇州的地理優(yōu)勢，對上海、江蘇、浙江等周邊省市實現(xiàn)高效服務(wù)。無論是設(shè)備的安裝調(diào)試，還是售后的故障維修、技術(shù)咨詢，都能在短時間內(nèi)響應(yīng)，例如在蘇州本地，接到客戶需求后，普遍可在數(shù)小時內(nèi)安排技術(shù)人員上門服務(wù)。在全國范圍內(nèi)，致晟光電已通過建立銷售服務(wù)網(wǎng)點、與當(dāng)?shù)亟?jīng)銷商合作等方式，保障本地化服務(wù)的覆蓋。配備的自動對焦系統(tǒng)，能快速鎖定檢測區(qū)域，減少人工操作時間，提高檢測效率。工業(yè)檢測微光顯微鏡方案設(shè)計 定位短路故障點短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。 當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時，短路區(qū)域...

為了讓客戶對設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗設(shè)備的運行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購前就能對設(shè)備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設(shè)備總擔(dān)心實際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場驗貨時，工作人員耐心陪同我們測試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購心里踏實多了?！蔽宜驹O(shè)備面對閘極氧化層缺陷，微光顯微鏡可檢測其漏電，助力及時解決相關(guān)問題，避免器件性能下降或失效。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡性價比 微光顯微鏡技術(shù)特性差異 ...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

相較于傳統(tǒng)微光顯微鏡，InGaAs（銦鎵砷）微光顯微鏡在檢測先進(jìn)制程組件微小尺寸組件的缺陷方面具有更高的適用性。其原因在于，較小尺寸的組件通常需要較低的操作電壓，這導(dǎo)致熱載子激發(fā)的光波長增長。InGaAs微光顯微鏡特別適合于檢測先進(jìn)制程產(chǎn)品中的亮點和熱點（HotSpot）定位。InGaAs微光顯微鏡與傳統(tǒng)EMMI在應(yīng)用上具有相似性，但I(xiàn)nGaAs微光顯微鏡在以下方面展現(xiàn)出優(yōu)勢： 1.偵測到缺陷所需時間為傳統(tǒng)EMMI的1/5~1/10； 2.能夠偵測到微弱電流及先進(jìn)制程中的缺陷； 3.能夠偵測到較輕微的MetalBridge缺陷； 4.針對芯片背面（Back-Side...

同時，微光顯微鏡（EMMI）帶來的高效失效分析能力，能大幅縮短研發(fā)周期。在新產(chǎn)品研發(fā)階段，快速發(fā)現(xiàn)并解決失效問題，可避免研發(fā)過程中的反復(fù)試錯，加快產(chǎn)品從實驗室走向市場的速度。當(dāng)市場需求瞬息萬變時，更快的研發(fā)響應(yīng)速度意味著企業(yè)能搶先推出符合市場需求的產(chǎn)品，搶占市場先機。例如，在當(dāng)下市場 5G 芯片、AI 芯片等領(lǐng)域，技術(shù)迭代速度極快，誰能更早解決研發(fā)中的失效難題，誰就能在技術(shù)競爭中爭先一步，建立起差異化的競爭優(yōu)勢。我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子，快速定位短路位置，優(yōu)勢獨特。直銷微光顯微鏡新款 EMMI的本質(zhì)只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。 但是為什么EM...

為了讓客戶對設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗設(shè)備的運行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購前就能對設(shè)備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設(shè)備總擔(dān)心實際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場驗貨時，工作人員耐心陪同我們測試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購心里踏實多了。”當(dāng)金屬層遮擋導(dǎo)致 OBIRCH 等無法偵測故障時，微光顯微鏡可進(jìn)行補充檢測。檢測用微光顯微鏡新款在半導(dǎo)體 MEMS 器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借其超靈敏的...

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡，憑借超高檢測靈敏度，可捕捉器件在微弱漏電流信號下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù)，設(shè)備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析，為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持，進(jìn)而為半導(dǎo)體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。在超導(dǎo)芯片檢測中，可捕捉超導(dǎo)態(tài)向正常態(tài)轉(zhuǎn)變時的異常發(fā)光，助力超導(dǎo)器件的性能優(yōu)化。半導(dǎo)體失效分析微光顯微鏡規(guī)格尺寸 需要失效分析檢測樣品，我們一般會在提前做好前期的...

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過光子檢測手段來精確定位漏電或發(fā)光故障點，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來識別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。但歐姆接觸和部分金屬互聯(lián)短路時，產(chǎn)生的光子十分微弱，難以被微光顯微鏡偵...

此外，可靠的產(chǎn)品質(zhì)量是企業(yè)贏得客戶信任、鞏固市場份額的基礎(chǔ)。通過微光顯微鏡(EMMI)的嚴(yán)格檢測，企業(yè)能確保交付給客戶的芯片具備穩(wěn)定的性能和較高的可靠性，減少因產(chǎn)品故障導(dǎo)致的客戶投訴和返工或者退貨風(fēng)險。這種對質(zhì)量的堅守，會逐漸積累成企業(yè)的品牌口碑，使客戶在選擇供應(yīng)商時更傾向于信賴具備完善檢測能力的企業(yè)，從而增強企業(yè)的市場競爭力。 微光顯微鏡不僅是一種檢測工具，更是半導(dǎo)體企業(yè)提升產(chǎn)品質(zhì)量、加快研發(fā)進(jìn)度、筑牢品牌根基的戰(zhàn)略資產(chǎn)。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日趨白熱化的當(dāng)今，配備先進(jìn)的微光顯微鏡設(shè)備，將幫助企業(yè)在技術(shù)創(chuàng)新與市場爭奪中持續(xù)領(lǐng)跑，構(gòu)筑起難以復(fù)制的核心競爭力。 處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時，...

當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷，如結(jié)漏電、氧化層漏電時，電子-空穴對復(fù)合會釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對于載流子復(fù)合異常情況，像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測，為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。 而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會導(dǎo)致局部過熱，其可通過檢測紅外輻射差異定位。對于高功耗區(qū)域因設(shè)計缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常，以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 其內(nèi)置的圖像分析軟件...

為了讓客戶對設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場驗貨。您可以親臨我們的實驗室，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗設(shè)備的運行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺設(shè)備都經(jīng)過嚴(yán)格的出廠檢測，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購前就能對設(shè)備的實際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購設(shè)備總擔(dān)心實際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場驗貨時，工作人員耐心陪同我們測試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購心里踏實多了?！本w管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。什么是微光顯微鏡方案設(shè)計致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設(shè)備研發(fā)制造...

在半導(dǎo)體芯片漏電檢測中，微光顯微鏡為工程師快速鎖定問題位置提供了關(guān)鍵支撐。當(dāng)芯片施加工作偏壓時，設(shè)備即刻啟動檢測模式 —— 此時漏電區(qū)域因焦耳熱效應(yīng)會釋放微弱的紅外輻射，即便輻射功率為 1 微瓦，高靈敏度探測器也能捕捉到這一極微弱信號。這種檢測方式的在于，通過熱成像技術(shù)將漏電點的紅外輻射轉(zhuǎn)化為可視化熱圖，再與電路版圖進(jìn)行疊加分析，可實現(xiàn)漏電點的微米級精確定位。相較于傳統(tǒng)檢測手段，微光設(shè)備無需拆解芯片即可完成非接觸式檢測，既避免了對芯片的二次損傷，又能在不干擾正常電路工作的前提下，捕捉到漏電區(qū)域的細(xì)微熱信號。微光顯微鏡支持寬光譜探測模式，探測范圍從紫外延伸至近紅外，能滿足不同材料的光子檢測，適用...

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過程中，當(dāng)對樣品施加合適的電壓時，其失效點會由于載流子加速散射或電子-空穴對復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長的光子。這些光子經(jīng)過采集和圖像處理后，可以形成一張信號圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過將信號圖與背景圖進(jìn)行疊加處理，就可以精確地定位發(fā)光點的位置，實現(xiàn)對失效點的精確定位。進(jìn)一步地，為了提升定位的準(zhǔn)確性，可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，通過濾波算法去除背景噪聲，增強信號圖的信噪比；利用邊緣檢測技術(shù)，突出顯示發(fā)光點的邊緣特征，從而提高定位精度。它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復(fù)雜的檢測難題。檢測用微光顯微鏡...

定位短路故障點短路是造成芯片失效的關(guān)鍵誘因之一。 當(dāng)芯片內(nèi)部電路發(fā)生短路時，短路區(qū)域會形成異常電流通路，引發(fā)局部溫度驟升，并伴隨特定波長的光發(fā)射現(xiàn)象。EMMI（微光顯微鏡）憑借其超高靈敏度，能夠捕捉這些由短路產(chǎn)生的微弱光信號，再通過對光信號的強度分布、空間位置等特征進(jìn)行綜合分析，可實現(xiàn)對短路故障點的精確定位。 以一款高性能微處理器芯片為例，其在測試中出現(xiàn)不明原因的功耗激增問題，技術(shù)人員初步判斷為內(nèi)部電路存在短路隱患。通過EMMI對芯片進(jìn)行全域掃描檢測，在極短時間內(nèi)便在芯片的某一特定功能模塊區(qū)域發(fā)現(xiàn)了光發(fā)射信號。結(jié)合該芯片的電路設(shè)計圖紙和版圖信息進(jìn)行深入分析，終鎖定故障點為兩條相...

失效背景調(diào)查就像是為芯片失效分析開啟 “導(dǎo)航系統(tǒng)”，能幫助分析人員快速了解芯片的基本情況，為后續(xù)工作奠定基礎(chǔ)。收集芯片型號是首要任務(wù)，不同型號的芯片在結(jié)構(gòu)、功能和特性上存在差異，這是開展分析的基礎(chǔ)信息。同時，了解芯片的應(yīng)用場景也不可或缺，是用于消費電子、工業(yè)控制還是航空航天等領(lǐng)域，不同的應(yīng)用場景對芯片的性能要求不同，失效原因也可能大相徑庭。 失效模式的收集同樣關(guān)鍵，短路、漏電、功能異常等不同的失效模式，指向的潛在問題各不相同。比如短路可能是由于內(nèi)部線路故障，而漏電則可能與芯片的絕緣性能有關(guān)。失效比例的統(tǒng)計也有重要意義，如果同一批次芯片失效比例較高，可能暗示著設(shè)計缺陷或制程問題；如果只...

考慮到部分客戶的特殊應(yīng)用場景，我們還提供Thermal&EMMI的個性化定制服務(wù)。無論是設(shè)備的功能模塊調(diào)整、性能參數(shù)優(yōu)化，還是外觀結(jié)構(gòu)適配，我們都能根據(jù)您的具體需求進(jìn)行專屬設(shè)計與研發(fā)。憑借高效的研發(fā)團(tuán)隊和成熟的生產(chǎn)體系，定制項目通常在 2-3 個月內(nèi)即可完成交付，在保證定制靈活性的同時，充分兼顧了交付效率，讓您的特殊需求得到及時且滿意的答案。致晟光電始終致力于為客戶提供更可靠、更貼心的服務(wù)，期待與您攜手共進(jìn)，共創(chuàng)佳績。微光顯微鏡的快速預(yù)熱功能，可縮短設(shè)備啟動至正常工作的時間，提高檢測效率。工業(yè)檢測微光顯微鏡成像致晟光電作為蘇州本土的光電檢測設(shè)備研發(fā)制造企業(yè)，其本地化服務(wù)目前以國內(nèi)市場為主要覆蓋...

同時，我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實驗室進(jìn)行深入交流。在這里，我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程，從基礎(chǔ)功能到高級應(yīng)用，一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對您在設(shè)備選型、使用場景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問，我們也會給予細(xì)致入微的解答，讓您對失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢與適用范圍。 這種面對面的深度溝通，旨在讓合作過程更加透明，讓您對我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心，合作也更顯安心。 晶體管和二極管短路或漏電時，微光顯微鏡依其光子信號判斷故障類型與位置，利于排查電路故障。國內(nèi)微光顯微鏡范圍半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體，而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體，...