當(dāng)芯片內(nèi)部存在漏電缺陷，如結(jié)漏電、氧化層漏電時(shí)，電子-空穴對(duì)復(fù)合會(huì)釋放光子，微光顯微鏡(EMMI)能捕捉并定位。對(duì)于載流子復(fù)合異常情況，像閂鎖效應(yīng)、熱電子效應(yīng)引發(fā)的失效，以及器件在飽和態(tài)晶體管、正向偏置二極管等工作狀態(tài)下的固有發(fā)光，它也能有效探測(cè)，為這類與光子釋放相關(guān)的失效提供關(guān)鍵分析依據(jù)。

而熱紅外顯微鏡則主要用于排查與熱量異常相關(guān)的芯片問(wèn)題。金屬互聯(lián)短路、電源與地短接會(huì)導(dǎo)致局部過(guò)熱，其可通過(guò)檢測(cè)紅外輻射差異定位。對(duì)于高功耗區(qū)域因設(shè)計(jì)缺陷引發(fā)的電流集中導(dǎo)致的熱分布異常，以及封裝或散熱結(jié)構(gòu)失效造成的整體溫度異常等情況，它能生成溫度分布圖像，助力找出熱量異常根源。 其內(nèi)置的圖像分析軟件，可測(cè)量亮點(diǎn)尺寸與亮度，為量化評(píng)估缺陷嚴(yán)重程度提供數(shù)據(jù)?？蒲杏梦⒐怙@微鏡分析

為了讓客戶對(duì)設(shè)備品質(zhì)有更直觀的了解，我們大力支持現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)貨。您可以親臨我們的實(shí)驗(yàn)室，近距離觀察設(shè)備的外觀細(xì)節(jié)，親身操作查驗(yàn)設(shè)備的運(yùn)行性能、精度等關(guān)鍵指標(biāo)。每一臺(tái)設(shè)備都經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的出廠檢測(cè)，我們敢于將品質(zhì)擺在您眼前，讓您在采購(gòu)前就能對(duì)設(shè)備的實(shí)際狀況了然于胸，消除后顧之憂。一位來(lái)自汽車零部件廠商的客戶分享道：“之前采購(gòu)設(shè)備總擔(dān)心實(shí)際性能和描述有差距，在致晟光電現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)貨時(shí)，工作人員耐心陪同我們測(cè)試，設(shè)備的精度和穩(wěn)定性都超出預(yù)期，這下采購(gòu)心里踏實(shí)多了?！笨蒲杏梦⒐怙@微鏡分析升級(jí)后的冷卻系統(tǒng)，能減少設(shè)備自身熱噪聲，讓對(duì)微弱光子的探測(cè)更靈敏，提升檢測(cè)下限。

微光顯微鏡的原理是探測(cè)光子發(fā)射。它通過(guò)高靈敏度的光學(xué)系統(tǒng)捕捉芯片內(nèi)部因電子 - 空穴對(duì)（EHP）復(fù)合產(chǎn)生的微弱光子（如 P-N 結(jié)漏電、熱電子效應(yīng)等過(guò)程中的發(fā)光），進(jìn)而定位失效點(diǎn)。其探測(cè)對(duì)象是光信號(hào)，且多針對(duì)可見(jiàn)光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測(cè)溫原理工作。芯片運(yùn)行時(shí)，失效區(qū)域（如短路、漏電點(diǎn)）會(huì)因能量損耗異常產(chǎn)生局部升溫，其釋放的紅外輻射強(qiáng)度與溫度正相關(guān)。設(shè)備通過(guò)檢測(cè)不同區(qū)域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發(fā)熱異常點(diǎn)，探測(cè)對(duì)象是熱信號(hào)（紅外波段輻射）。

在微光顯微鏡（EMMI) 操作過(guò)程中，當(dāng)對(duì)樣品施加合適的電壓時(shí)，其失效點(diǎn)會(huì)由于載流子加速散射或電子-空穴對(duì)復(fù)合效應(yīng)而發(fā)射特定波長(zhǎng)的光子。這些光子經(jīng)過(guò)采集和圖像處理后，可以形成一張信號(hào)圖。隨后，取消施加在樣品上的電壓，在未供電的狀態(tài)下采集一張背景圖。再通過(guò)將信號(hào)圖與背景圖進(jìn)行疊加處理，就可以精確地定位發(fā)光點(diǎn)的位置，實(shí)現(xiàn)對(duì)失效點(diǎn)的精確定位。進(jìn)一步地，為了提升定位的準(zhǔn)確性，可采用多種圖像處理技術(shù)進(jìn)行優(yōu)化。例如，通過(guò)濾波算法去除背景噪聲，增強(qiáng)信號(hào)圖的信噪比；利用邊緣檢測(cè)技術(shù)，突出顯示發(fā)光點(diǎn)的邊緣特征，從而提高定位精度。漏電結(jié)和接觸毛刺會(huì)產(chǎn)生亮點(diǎn)，這些亮點(diǎn)產(chǎn)生的光子能被微光顯微鏡捕捉到。

OBIRCH與EMMI技術(shù)在集成電路失效分析領(lǐng)域中扮演著互補(bǔ)的角色，其主要差異體現(xiàn)在檢測(cè)原理及應(yīng)用領(lǐng)域。具體而言，EMMI技術(shù)通過(guò)光子檢測(cè)手段來(lái)精確定位漏電或發(fā)光故障點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則依賴于激光誘導(dǎo)電阻變化來(lái)識(shí)別短路或阻值異常區(qū)域。這兩種技術(shù)通常被整合于同一檢測(cè)系統(tǒng)（即PEM系統(tǒng)）中，其中EMMI技術(shù)在探測(cè)光子發(fā)射類缺陷，如漏電流方面表現(xiàn)出色，而OBIRCH技術(shù)則對(duì)金屬層遮蔽下的短路現(xiàn)象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術(shù)能夠有效檢測(cè)未開(kāi)封芯片中的失效點(diǎn)，而OBIRCH技術(shù)則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問(wèn)題。熱電子與晶格相互作用及閂鎖效應(yīng)發(fā)生時(shí)也會(huì)產(chǎn)生光子，在顯微鏡下呈現(xiàn)亮點(diǎn)。低溫?zé)嵛⒐怙@微鏡按需定制

它嘗試通過(guò)金屬層邊緣等位置的光子來(lái)定位故障點(diǎn)，解決了復(fù)雜的檢測(cè)難題?？蒲杏梦⒐怙@微鏡分析

微光顯微鏡技術(shù)特性差異

探測(cè)靈敏度方向：EMMI 追求對(duì)微弱光子的高靈敏度（可檢測(cè)單光子級(jí)別信號(hào)），需配合暗場(chǎng)環(huán)境減少干擾；熱紅外顯微鏡則強(qiáng)調(diào)溫度分辨率（部分設(shè)備可達(dá) 0.01℃），需抑制環(huán)境熱噪聲。

空間分辨率：EMMI 的分辨率受光學(xué)系統(tǒng)和光子波長(zhǎng)限制，通常在微米級(jí)；熱紅外顯微鏡的分辨率與紅外波長(zhǎng)、鏡頭數(shù)值孔徑相關(guān)，一般略低于 EMMI，但更注重大面積熱分布的快速成像。

樣品處理要求：EMMI 對(duì)部分遮蔽性失效（如金屬下方漏電）需采用背面觀測(cè)模式，可能需要減薄、拋光樣品；

處理要求：熱紅外顯微鏡可透過(guò)封裝材料（如陶瓷、塑料）探測(cè)，對(duì)樣品破壞性較小，更適合非侵入式初步篩查。 科研用微光顯微鏡分析