熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 圖像分析是通過探測(cè)物體自身發(fā)出的紅外輻射，將其轉(zhuǎn)化為可視化圖像，進(jìn)而分析物體表面溫度分布等信息的技術(shù)。其原理是溫度高于零度的物體都會(huì)向外發(fā)射紅外光，熱紅外顯微鏡通過吸收這些紅外光，利用光電轉(zhuǎn)換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內(nèi)電荷擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生遠(yuǎn)場(chǎng)輻射和近場(chǎng)輻射，近場(chǎng)輻射以倏逝波形式存在，強(qiáng)度隨遠(yuǎn)離物體表面急劇衰退，通過掃描探針技術(shù)可散射近場(chǎng)倏逝波，從而獲取物體近場(chǎng)信息，實(shí)現(xiàn)超分辨紅外成像。熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復(fù)雜半導(dǎo)體失效分析 。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡用途

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術(shù)，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價(jià)值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號(hào)以定位內(nèi)部缺陷，既保障了分析的準(zhǔn)確性，又為后續(xù)驗(yàn)證、復(fù)盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測(cè)，這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，但會(huì)破壞樣品完整性，更適合無需保留樣品的分析場(chǎng)景，與無損分析形成互補(bǔ)。 制冷熱紅外顯微鏡按需定制熱紅外顯微鏡對(duì)電子元件進(jìn)行無損熱檢測(cè)，保障元件完整性 。

除了熱輻射，電子設(shè)備在出現(xiàn)故障或異常時(shí)，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強(qiáng)。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學(xué)探測(cè)器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強(qiáng)度的光信號(hào)。這類光發(fā)射通常源自電子在半導(dǎo)體材料中發(fā)生的能級(jí)躍遷、載流子復(fù)合或其他物理過程。通過對(duì)光發(fā)射信號(hào)的成像和分析，熱紅外顯微鏡不僅能夠進(jìn)一步驗(yàn)證熱點(diǎn)區(qū)域的存在，還可輔助判斷異常的具體機(jī)制，為故障定位和性能評(píng)估提供更精確的信息。

制冷熱紅外顯微鏡因中樞部件精密（如深制冷探測(cè)器、鎖相熱成像模塊），故障維修對(duì)專業(yè)性要求極高，優(yōu)先建議聯(lián)系原廠。原廠掌握設(shè)備重要技術(shù)與專屬備件（如制冷型MCT探測(cè)器、高頻信號(hào)調(diào)制組件），能定位深制冷系統(tǒng)泄漏、鎖相算法異常等復(fù)雜問題，且維修后可保障性能參數(shù)（如0.1mK靈敏度、2μm分辨率）恢復(fù)至出廠標(biāo)準(zhǔn)，尤其適合半導(dǎo)體晶圓檢測(cè)等場(chǎng)景的精密設(shè)備。若追求更快響應(yīng)速度，國產(chǎn)設(shè)備廠商是高效選擇。國內(nèi)廠商在本土服務(wù)網(wǎng)絡(luò)布局密集，能快速上門處理機(jī)械結(jié)構(gòu)松動(dòng)、軟件算法適配等常見故障，且備件供應(yīng)鏈短（如非制冷探測(cè)器、光學(xué)鏡頭等通用部件），維修周期可縮短30%-50%。對(duì)于PCB失效分析等場(chǎng)景的設(shè)備，國產(chǎn)廠商的本地化服務(wù)既能滿足基本檢測(cè)精度需求，又能減少停機(jī)對(duì)生產(chǎn)科研的影響。熱紅外顯微鏡助力科研人員研究新型材料的熱穩(wěn)定性與熱性能 。

致晟光電熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列中的 RTTLIT P20 實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)，采用鎖相熱成像（Lock-inThermography）技術(shù)，通過調(diào)制電信號(hào)提升特征分辨率與靈敏度，并結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比，實(shí)現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信號(hào)測(cè)量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測(cè)器，測(cè)溫靈敏度達(dá)0.1mK，顯微分辨率低至2μm，具備良好的檢測(cè)靈敏度與測(cè)試效能。該系統(tǒng)重點(diǎn)應(yīng)用于對(duì)測(cè)溫精度和顯微分辨率要求嚴(yán)苛的場(chǎng)景，包括半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、LED及microLED等的失效分析，是電子集成電路與半導(dǎo)體器件失效分析及缺陷定位領(lǐng)域的關(guān)鍵工具。熱紅外顯微鏡通過熱成像技術(shù)，快速定位 PCB 板上的短路熱點(diǎn) 。自銷熱紅外顯微鏡應(yīng)用

熱紅外顯微鏡通過測(cè)量熱輻射強(qiáng)度，量化評(píng)估電子元件的功耗 。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡用途

在微觀熱信號(hào)檢測(cè)領(lǐng)域，熱發(fā)射顯微鏡作為經(jīng)典失效分析工具，為半導(dǎo)體與材料研究提供了基礎(chǔ)支撐。致晟光電的熱紅外顯微鏡，并非簡單的名稱更迭，而是由技術(shù)工程師團(tuán)隊(duì)在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡原理上，歷經(jīng)多代技術(shù)創(chuàng)新與功能迭代逐步演變進(jìn)化而來。這一過程中，團(tuán)隊(duì)針對(duì)傳統(tǒng)設(shè)備在視野局限、信號(hào)靈敏度、分析尺度等方面的痛點(diǎn)，通過光學(xué)系統(tǒng)重構(gòu)、信號(hào)處理算法升級(jí)、檢測(cè)維度拓展等創(chuàng)新，重新定義、形成了更適應(yīng)現(xiàn)代微觀熱分析需求的技術(shù)體系。低溫?zé)釤峒t外顯微鏡用途