致晟光電自主研發(fā)的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列，是電子工業(yè)中不可或缺的精密檢測工具，在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板（PCB）等領域的失效分析中發(fā)揮著舉足輕重的作用。

該設備搭載——實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析（RTTLIT）系統(tǒng)，并集成高靈敏度紅外相機、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術組件，賦予其三大特性：超凡靈敏度與亞微米級檢測精度，可捕捉微弱熱信號與光子發(fā)射；高精度溫度測量能力（鎖相靈敏度達0.001℃），支持動態(tài)功耗分析；無損故障定位特性，無需破壞器件即可鎖定短路、開路等缺陷。憑借技術集成優(yōu)勢，ThermaEMMIP系列不僅能快速定位故障點，更能通過失效分析優(yōu)化產(chǎn)品質量與可靠性，為半導體制造、先進封裝及電子器件研發(fā)提供關鍵技術支撐。 定位芯片內(nèi)部微短路、漏電、焊點虛接等導致的熱異常點。半導體失效分析熱紅外顯微鏡銷售公司

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學領域的利器，其設備能捕捉微觀世界的熱信號。它將紅外探測與顯微技術結合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達微米級，可觀察半導體芯片熱點、電子器件熱分布等。非接觸式測量是其一大優(yōu)勢，無需與被測物體直接接觸，避免了對樣品的干擾，適用于多種類型的樣品檢測。實時成像功能可追蹤動態(tài)熱變化，如材料相變、化學反應熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學科實驗；在企業(yè)，為產(chǎn)品研發(fā)和質量檢測提供支持，推動各領域創(chuàng)新突破。 顯微紅外成像熱紅外顯微鏡評估 PCB 走線布局、過孔設計對熱分布的影響，指導散熱片、導熱膠的選型與 placement。

除了熱輻射，電子設備在出現(xiàn)故障或異常時，還可能伴隨微弱的光發(fā)射增強。熱紅外顯微鏡搭載高靈敏度的光學探測器，如光電倍增管（PMT）或電荷耦合器件（CCD），能夠有效捕捉這些低強度的光信號。這類光發(fā)射通常源自電子在半導體材料中發(fā)生的能級躍遷、載流子復合或其他物理過程。通過對光發(fā)射信號的成像和分析，熱紅外顯微鏡不僅能夠進一步驗證熱點區(qū)域的存在，還可輔助判斷異常的具體機制，為故障定位和性能評估提供更精確的信息。

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號以定位內(nèi)部缺陷，既保障了分析的準確性，又為后續(xù)驗證、復盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測，這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結構信息，但會破壞樣品完整性，更適合無需保留樣品的分析場景，與無損分析形成互補。 檢測 PCB 焊點、芯片鍵合線的接觸電阻異常，避免虛焊導致的瞬態(tài)過熱。

在國內(nèi)失效分析設備領域，專注于原廠研發(fā)與生產(chǎn)的企業(yè)數(shù)量相對較少，尤其在熱紅外檢測這類高精度細分領域，具備自主技術積累的原廠更為稀缺。這一現(xiàn)狀既源于技術門檻 —— 需融合光學、紅外探測、信號處理等多學科技術，也受限于市場需求的專業(yè)化程度，導致多數(shù)企業(yè)傾向于代理或集成方案。

致晟光電正是國內(nèi)少數(shù)深耕該領域的原廠之一。不同于單純的設備組裝，其從中樞技術迭代入手，在傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡基礎上進化出熱紅外顯微鏡，形成從光學系統(tǒng)設計、信號算法研發(fā)到整機制造的完整能力。這種原廠基因使其能深度理解國內(nèi)半導體、材料等行業(yè)的失效分析需求，例如針對先進制程芯片的微小熱信號檢測、國產(chǎn)新材料的熱特性研究等場景，提供更貼合實際應用的設備與技術支持，成為本土失效分析領域不可忽視的自主力量。 熱紅外顯微鏡可捕捉物體熱輻射，助力電子元件熱分布與散熱性分析。熱發(fā)射顯微鏡熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡能透過硅片或封裝材料，對半導體芯片內(nèi)部熱缺陷進行非接觸式檢測。半導體失效分析熱紅外顯微鏡銷售公司

熱紅外顯微鏡是一種融合紅外熱成像與顯微技術的精密檢測工具，通過捕捉物體表面及內(nèi)部的熱輻射信號，實現(xiàn)微觀尺度下的溫度分布可視化分析。其**原理基于黑體輻射定律——任何溫度高于***零度的物體都會發(fā)射紅外電磁波，且溫度與輻射強度呈正相關，而顯微鏡系統(tǒng)則賦予其微米級的空間分辨率，可精細定位電子器件、材料界面等微觀結構中的異常熱點。

在電子工業(yè)中，熱紅外顯微鏡常用于半導體芯片的失效定位 —— 例如透過封裝材料檢測內(nèi)部金屬層微短路、晶體管熱斑；在功率器件領域，可分析 IGBT 模塊的熱阻分布、SiC 器件的高溫可靠性；在 PCB 板級檢測中，能識別高密度線路的功耗異常區(qū)，輔助散熱設計優(yōu)化。此外，材料科學領域也可用其研究納米材料的熱傳導特性，生物醫(yī)學中則可用于細胞層級的熱響應分析。 半導體失效分析熱紅外顯微鏡銷售公司