熱紅外顯微鏡是半導(dǎo)體失效分析與缺陷定位的三大主流手段之一（EMMI、THERMAL、OBIRCH），通過捕捉故障點(diǎn)產(chǎn)生的異常熱輻射，實(shí)現(xiàn)精細(xì)定位。存在缺陷或性能退化的器件通常表現(xiàn)為局部功耗異常，導(dǎo)致微區(qū)溫度升高。顯微熱分布測試系統(tǒng)結(jié)合熱點(diǎn)鎖定技術(shù)，能夠高效識別這些區(qū)域。熱點(diǎn)鎖定是一種動態(tài)紅外熱成像方法，通過調(diào)節(jié)電壓提升分辨率與靈敏度，并借助算法優(yōu)化信噪比。在集成電路（IC）分析中，該技術(shù)廣泛應(yīng)用于定位短路、ESD損傷、缺陷晶體管、二極管失效及閂鎖問題等關(guān)鍵故障。快速定位相比其他檢測技術(shù)，鎖相熱成像技術(shù)能夠在短時(shí)間內(nèi)快速定位熱點(diǎn)，縮短失效分析時(shí)間。高精度鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對比

通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù)，催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建熱圖像識別模型，可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點(diǎn)，有效縮短分析時(shí)間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導(dǎo)數(shù)值模擬功能，結(jié)合實(shí)驗(yàn)測得的熱數(shù)據(jù)，反演材料內(nèi)部熱導(dǎo)率、比熱容等參數(shù)，從熱傳導(dǎo)理論層面深入解析熱現(xiàn)象，為材料熱性能研究與器件熱設(shè)計(jì)提供量化指導(dǎo)。工業(yè)檢測鎖相紅外熱成像系統(tǒng)設(shè)備廠家鎖相熱成像系統(tǒng)優(yōu)化電激勵(lì)檢測的圖像處理。

鎖相頻率越高，得到的空間分辨率則越高。然而，對于鎖相紅外熱成像系統(tǒng)來說，較高的頻率往往會降低待檢測的熱發(fā)射。這是許多 LIT系統(tǒng)的限制。RTTLIT系統(tǒng)通過提供一個(gè)獨(dú)特的系統(tǒng)架構(gòu)克服了這一限制，在該架構(gòu)中，可以在"無限"的時(shí)間內(nèi)累積更高頻率的 LIT 數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)采集持續(xù)延長，數(shù)據(jù)分辨率提高。系統(tǒng)采集數(shù)據(jù)的時(shí)間越長，靈敏度越高。當(dāng)試圖以極低的功率級采集數(shù)據(jù)或必須從弱故障模式中采集數(shù)據(jù)時(shí)，鎖相紅外熱成像RTTLIT系統(tǒng)的這一特點(diǎn)尤其有價(jià)值。

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過熱分布成像識別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過熱；針對 IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測一批失效芯片時(shí)，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個(gè) 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類缺陷若未及時(shí)發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長期使用中突然失效。電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)微缺陷檢測。

鎖相熱成像系統(tǒng)是一種將光學(xué)成像技術(shù)與鎖相技術(shù)深度融合的先進(jìn)無損檢測設(shè)備，其工作原理頗具科學(xué)性。它首先通過特定的周期性熱源對被測物體進(jìn)行激勵(lì)，這種激勵(lì)可以是光、電、聲等多種形式，隨后利用高靈敏度的紅外相機(jī)持續(xù)捕捉物體表面因熱激勵(lì)產(chǎn)生的溫度場變化。關(guān)鍵在于，系統(tǒng)能夠借助鎖相技術(shù)從繁雜的背景噪聲中提取出與熱源頻率相同的信號，這一過程如同在嘈雜的環(huán)境中捕捉到特定頻率的聲音，極大地提升了檢測的靈敏度。即便是物體內(nèi)部微小的缺陷，如材料中的細(xì)微裂紋、分層等，也能被清晰識別。憑借這一特性，它在材料科學(xué)領(lǐng)域可用于研究材料的熱性能和結(jié)構(gòu)完整性，在電子工業(yè)中能檢測電子元件的潛在故障，應(yīng)用場景十分重要。鎖相熱成像系統(tǒng)結(jié)合電激勵(lì)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)對電子元件工作狀態(tài)的實(shí)時(shí)監(jiān)測，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的過熱或接觸不良問題。紅外光譜鎖相紅外熱成像系統(tǒng)大概價(jià)格多少

在復(fù)合材料檢測中，電激勵(lì)能使缺陷區(qū)域產(chǎn)生獨(dú)特?zé)犴憫?yīng)，鎖相熱成像系統(tǒng)可將這種響應(yīng)轉(zhuǎn)化為清晰的缺陷圖像。高精度鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對比

光束誘導(dǎo)電阻變化（OBIRCH）功能與微光顯微鏡（EMMI）技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng)，合稱為光發(fā)射顯微鏡（PEM，PhotoEmissionMicroscope）。二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補(bǔ)，能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式，大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨(dú)特優(yōu)勢在于，即便失效點(diǎn)被金屬層覆蓋形成“熱點(diǎn)”，其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實(shí)現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補(bǔ)了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。高精度鎖相紅外熱成像系統(tǒng)對比