致晟光電熱紅外顯微鏡采用高性能 InSb（銦銻）探測器，用于中波紅外波段（3–5 μm）熱輻射信號的高精度捕捉。InSb 材料具備優(yōu)異的光電轉(zhuǎn)換效率和極低本征噪聲，在制冷條件下可實現(xiàn) nW 級熱靈敏度與優(yōu)于 20 mK 的溫度分辨率，支持高精度、非接觸式熱成像分析。該探測器在熱紅外顯微系統(tǒng)中的應(yīng)用，不僅提升了空間分辨率（可達(dá)微米量級）與溫度響應(yīng)線性度，還能對半導(dǎo)體器件和微電子系統(tǒng)中的局部發(fā)熱缺陷、熱點遷移及瞬態(tài)熱行為進(jìn)行精細(xì)刻畫。結(jié)合致晟光電自主研發(fā)的高數(shù)值孔徑光學(xué)系統(tǒng)與穩(wěn)態(tài)熱控平臺，InSb 探測器可在多物理場耦合環(huán)境下實現(xiàn)高時空分辨的熱場成像，是先進(jìn)電子器件失效分析、電熱耦合機(jī)理研究以及材料熱特性評估中的前沿技術(shù)。處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時，微光顯微鏡檢測光子可判斷其位置和程度，為研究機(jī)制、制定防護(hù)措施提供支持。國內(nèi)微光顯微鏡選購指南

在半導(dǎo)體MEMS器件檢測領(lǐng)域，微光顯微鏡憑借超靈敏的感知能力，展現(xiàn)出不可替代的技術(shù)價值。MEMS器件的中心結(jié)構(gòu)多以微米級尺度存在，這些微小部件在運行過程中產(chǎn)生的紅外輻射變化極其微弱——其信號強(qiáng)度往往低于常規(guī)檢測設(shè)備的感知閾值，卻能被微光顯微鏡捕捉。借助先進(jìn)的光電轉(zhuǎn)換與信號放大技術(shù)，微光顯微鏡可將捕捉到的微弱紅外輻射信號轉(zhuǎn)化為直觀的動態(tài)圖像；搭配專業(yè)圖像分析工具，能進(jìn)一步量化提取結(jié)構(gòu)的位移幅度、振動頻率等關(guān)鍵參數(shù)。這種非接觸式檢測方式，從根本上規(guī)避了傳統(tǒng)接觸式測量對微結(jié)構(gòu)的物理干擾，確保檢測數(shù)據(jù)真實反映器件運行狀態(tài)，為MEMS器件的設(shè)計優(yōu)化、性能評估及可靠性驗證提供了關(guān)鍵技術(shù)支撐。IC微光顯微鏡方案設(shè)計針對光器件，能定位光波導(dǎo)中因損耗產(chǎn)生的發(fā)光點，為優(yōu)化光子器件的傳輸性能、降低損耗提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)。

EMMI的全稱是Electro-OpticalEmissionMicroscopy，也叫做光電發(fā)射顯微鏡。這是一種在半導(dǎo)體器件失效分析中常用的技術(shù)，通過檢測半導(dǎo)體器件中因漏電、擊穿等缺陷產(chǎn)生的微弱光輻射（如載流子復(fù)合發(fā)光），實現(xiàn)對微小缺陷的定位和分析，廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體芯片等的質(zhì)量檢測與故障排查。

致晟光電該系列——RTTLITE20微光顯微分析系統(tǒng)（EMMI）是專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測而設(shè)計的高精度檢測系統(tǒng)。其中，實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)采用鎖相熱成像(Lock-in Thermography)技術(shù)，通過調(diào)制電信號損升特征分辨率與靈敏度，結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比，以實現(xiàn)顯微成像下的高靈敏度熱信號測量。

在實際開展失效分析工作前，通常需要準(zhǔn)備好檢測樣品，并完成一系列前期驗證，以便為后續(xù)分析提供明確方向。通過在早期階段進(jìn)行充分的背景調(diào)查與電性能驗證，工程師能夠快速厘清失效發(fā)生的環(huán)境條件和可能原因，從而提升分析的效率與準(zhǔn)確性。

首先，失效背景調(diào)查是不可或缺的一步。它需要對芯片的型號、應(yīng)用場景及典型失效模式進(jìn)行收集和整理，例如短路、漏電、功能異常等。同時，還需掌握失效比例和使用條件，包括溫度、濕度和電壓等因素。

針對接面漏電，我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置，利于篩選不良品，為改進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供數(shù)據(jù)。

在致晟光電的微光顯微鏡系統(tǒng)中，光發(fā)射顯微技術(shù)憑借優(yōu)化設(shè)計的光學(xué)系統(tǒng)與制冷型 InGaAs 探測器，能夠捕捉低至皮瓦（pW）級別的微弱光子信號。這一能力使其在檢測柵極漏電、PN 結(jié)微短路等低強(qiáng)度發(fā)光失效問題時，展現(xiàn)出靈敏度與可靠性。同時，微光顯微鏡具備非破壞性的檢測特性，確保器件在分析過程中不受損傷，既適用于研發(fā)階段的失效分析，也滿足量產(chǎn)階段對質(zhì)量管控的嚴(yán)苛要求。其亞微米級的空間分辨率，更讓微小缺陷無所遁形，為高精度芯片分析提供了有力保障。
具備“顯微”級空間分辨能力，能將熱點區(qū)域精確定位在數(shù)微米甚至亞微米尺度。制冷微光顯微鏡工作原理

微光顯微鏡能檢測半導(dǎo)體器件微小缺陷和失效點，及時發(fā)現(xiàn)隱患，保障設(shè)備可靠運行、提升通信質(zhì)量。國內(nèi)微光顯微鏡選購指南

隨后，通過去層處理逐步去除芯片中的金屬布線層和介質(zhì)層，配合掃描電子顯微鏡（SEM）的高分辨率成像以及光學(xué)顯微鏡的細(xì)節(jié)觀察，進(jìn)一步確認(rèn)缺陷的具體形貌。這些缺陷可能表現(xiàn)為金屬線路的腐蝕、氧化層的剝落或晶體管柵極的損傷。結(jié)合實驗結(jié)果，分析人員能夠追溯出導(dǎo)致失效的具體機(jī)理，例如電遷移效應(yīng)、熱載流子注入或工藝污染等。這樣的“定位—驗證—溯源”閉環(huán)過程，使PEM系統(tǒng)在半導(dǎo)體器件及集成電路的失效研究中展現(xiàn)了極高的實用價值，為工程師提供了可靠的分析手段。國內(nèi)微光顯微鏡選購指南