一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。 [4]擊穿特性外加反向電壓超過某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被長(zhǎng)久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。 [5]負(fù)極，又叫陰極，給二極管兩極間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通， 加上反向電壓時(shí)，二極管截止。長(zhǎng)寧區(qū)哪里二極管銷售價(jià)格

無論是在常見的收音機(jī)電路還是在其他的家用電器產(chǎn)品或工業(yè)控制電路中，都可以找到二極管的蹤跡 [3]。二極管就是由一個(gè)PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的。 [4]采用不同的摻雜工藝，通過擴(kuò)散作用，將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體（通常是硅或鍺）基片上，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。 [4]圖1 各種二極管的符號(hào)由P區(qū)引出的電極稱為陽極，N區(qū)引出的電極稱為陰極。因?yàn)镻N結(jié)的單向?qū)щ娦?，二極管導(dǎo)通時(shí)電流方向是由陽極通過管子內(nèi)部流向陰極。 [4]上海選擇二極管銷售廠家發(fā)光二極管是一種將電能直接轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體固體顯示器件，簡(jiǎn)稱LED(Light Emitting Diode)。

由于現(xiàn)代的開關(guān)電源工作頻率都在20khz以上，比起一般的整流二極管，快速恢復(fù)二極管和超快速恢復(fù)二極管的反向恢復(fù)時(shí)間減小到了毫微秒極。因此，**提高了電源的效率。據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在選擇快速恢復(fù)二極管時(shí),其反向恢復(fù)時(shí)間至少應(yīng)該比開關(guān)晶體管的上升時(shí)間低三倍。這兩種整流二極管還減少了開關(guān)電壓尖峰。而這種尖峰直接影響輸出直流電壓的紋波。雖然某些稱為軟恢復(fù)型整流二極管的噪聲較小，但是它們的反向恢復(fù)時(shí)間trr較長(zhǎng)，反向電流Irm也較大.因此使得開關(guān)損耗較大?？焖倩謴?fù)整流二極管和超快恢復(fù)整流二極管在開關(guān)電源中作為整流器使用時(shí),是否需要散熱器,要根據(jù)電路的最大功率決定。一般情況下，這些二極管再制造時(shí)允許的結(jié)溫在175度。生產(chǎn)廠家對(duì)其產(chǎn)品都有技術(shù)說明，提供給設(shè)計(jì)者去計(jì)算比較大的輸出工作電流、電壓、及外殼溫度等。

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。 [5]另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長(zhǎng)久性損壞。 [5加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰Α?/p>

平面型二極管是一種特制的硅二極管，它不僅能通過較大的電流，而且性能穩(wěn)定可靠，多用于開關(guān)、脈沖及高頻電路中。在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上*選擇性地?cái)U(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，PN結(jié)合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認(rèn)為是穩(wěn)定性好和壽命長(zhǎng)的類型。**初，對(duì)于被使用的半導(dǎo)體材料是采用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對(duì)平面型二極管而言，似乎使用于大電流整流用的型號(hào)很少，而作小電流開關(guān)用的型號(hào)則很多。因此它的反向電流隨光照強(qiáng)度的增加而線性增加。長(zhǎng)寧區(qū)哪里二極管銷售價(jià)格

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，在PN結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。長(zhǎng)寧區(qū)哪里二極管銷售價(jià)格

日本工業(yè)技術(shù)院電子技術(shù)綜合研究所采用掃描隧道顯微鏡(STM)成功地制作了線寬為18nm的平面型二極管。日本計(jì)劃在2010年開發(fā)出64吉比特的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而這種二極管的開發(fā)為其提供了可能性。采用STM以逐個(gè)控制電子、分子，制作***元件的研究工作很活躍，但在事實(shí)上制成電子元件，這次還是世界首例，這一成果開拓了實(shí)現(xiàn)量子化功能元件的道路，因而引起人們的注目。該元件的要點(diǎn)是STM作為捕獲原子的攝子，并作為使其產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的電極。 [1]長(zhǎng)寧區(qū)哪里二極管銷售價(jià)格

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