第五是輸入阻抗和噪聲能力不同。MOS管具有較高輸入阻抗和低噪聲等優(yōu)點，被普遍應用于各種電子設備中，特別用MOS管做整個電子設備的輸入級，可以獲得普通三極管很難達到的性能。然后是功耗損耗不同。同等情況下，采用MOS管時，功耗損耗低;而選用三極管時，功耗損耗要高出許多。當然，在使用成本上，MOS管要高于三極管，因此根據(jù)兩種元件的特性，MOS管常用于高頻高速電路、大電流場所，以及對基極或漏極控制電流比較敏感的中心區(qū)域;而三極管則用于低成本場所，達不到效果時才會考慮替換選用MOS管。mos管和場效應管有什么區(qū)別？重慶MOS管聯(lián)系電話

MOS管是屬于絕緣柵場效應管，柵極是無直流通路，輸入阻抗極高，極易引起靜電荷聚集，產生較高的電壓將柵極和源極之間的絕緣層擊穿。早期生產的MOS管大都沒有防靜電的措施，所以在保管及應用上要非常小心，特別是功率較小的MOS管，由于功率較小的MOS管輸入電容比較小，接觸到靜電時產生的電壓較高，容易引起靜電擊穿。

而近期的增強型大功率MOS管則有比較大的區(qū)別，首先由于功能較大輸入電容也比較大，這樣接觸到靜電就有一個充電的過程，產生的電壓較小，引起擊穿的可能較小，再者現(xiàn)在的大功率MOS管在內部的柵極和源極有一個保護的穩(wěn)壓管DZ，把靜電嵌位于保護穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值以下，有效的保護了柵極和源極的絕緣層，不同功率、不同型號的MOS管其保護穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓值是不同的。雖然MOS管內部有了保護措施，我們操作時也應按照防靜電的操作規(guī)程進行，這是一個合格的維修員應該具備的。 重慶MOS管聯(lián)系電話有關MOS晶體管分類的幾個問題？

MOS管的驅動1、圖騰柱驅動。上圖是標準的圖騰柱驅動的電路圖，其實圖騰柱與推挽原理是一樣的，叫法不同而已。使用圖騰柱驅動的目的在于給MOS管提供足夠的灌電流和拉電流。2、柵極泄放電阻。在不使用圖騰柱驅動時，一般在柵極到地之間加泄放電阻，即上圖中的R3。由于柵源之間寄生電容的存在，當柵極的驅動電壓拉低時，MOS管并不會立即關斷，這個過程不僅影響了MOS的關斷速度，同時也增大了MOS的開關損耗。所以增加柵極泄放電阻用以減小寄生電容的影響。在使用圖騰柱驅動時，由于PNP管的存在，該電阻可以省略。3、當?shù)蛪簜闰寗痈邏簜萂OS管時，圖騰柱并不能實現(xiàn)功能，因此需要通過自舉電路來實現(xiàn)。仔細分析上圖，相當于采用兩級圖騰柱來驅動MOS管。R2、R3可以調整一級圖騰柱的開啟電壓；Q3、Q4作為第二級圖騰柱來驅動MOS管，為其提供足夠的電壓與電流；R5、R6、Q5形成負反饋，通過改變一級圖騰柱的開啟電壓，來對MOS管的柵極電壓進行控制，使其處于可控范圍內，避免出現(xiàn)上一節(jié)所講的寬電壓應用環(huán)境下的情況。

MOS管的英文全稱叫MOSFET(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor)，即金屬氧化物半導體型場效應管，屬于場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在一般電子電路中，MOS管通常被用于放大電路或開關電路。MOS管的構造在一塊摻雜濃度較低的P型半導體硅襯底上，用半導體光刻、擴散工藝制作兩個高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個電極，分別作為漏極D和源極S。然后在漏極和源極之間的P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅（Si02）絕緣層膜，在再這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極，作為柵極G。這就構成了一個N溝道（NPN型）增強型MOS管。顯然它的柵極和其它電極間是絕緣的。 MOS管和晶體三極管相比的重要特性。

日常我們看到的NMOS、PMOS多為增強型MOS管;其中，PMOS可以很方便地用作高速驅動。不過PMOS由于存在導通電阻大、價格貴、替換種類少等問題，在高速驅動中，通常還是使用NMOS替代，這也是市面上無論是應用還是產品種類，增強型NMOS管常見的重要原因，尤其在開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS管。MOS管重要特性1.導通特性導通的意義是作為開關，相當于開關閉合。NMOS的特性，VGS大于一定的值就會導通，適用于源極接地時的情況(低端驅動)，只需柵極電壓達到4V或10V就可以了。PMOS的特性是，VGS小于一定的值就會導通，適用于源極接VCC時的情況(高速驅動)。mos管作為開關工作在什么區(qū)？重慶MOS管聯(lián)系電話

為了保證MOS管的安全工作，很多MOS管內置了穩(wěn)壓管來限制柵極的控制電壓。重慶MOS管聯(lián)系電話

無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當溫度上升就會導致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會導致溫度進一步的上升，溫度進一步的上升，更進一步的導致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會導致晶體三極管的擊穿，這是一種導致電視機開關電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當管溫度（或環(huán)境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關管，當VGS控制電壓不變時，在250C溫度下IDS=3A，當芯片溫度升高為1000C時，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導致溝道電流IDS下降的負溫度電流特性，使之不會產生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關管，其開關管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機開關電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關管損壞率大幅度降低也是一個極好的證明。 重慶MOS管聯(lián)系電話