MOS管與三極管、IBGT的差別，它的主要作用就是將微小的信號(hào)中止放大。MOS管與三極管有著許多相近的地方，也有許多不同之處。首先是開(kāi)關(guān)速度的不同。三極管9工作時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)都會(huì)感應(yīng)出電荷，當(dāng)開(kāi)關(guān)管處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，三極管處于飽和狀態(tài)，假設(shè)這時(shí)三極管截至，PN結(jié)感應(yīng)的電荷要恢復(fù)到平衡狀態(tài)，這個(gè)過(guò)程需求時(shí)間。而MOS由于工作方式不同，不需要恢復(fù)時(shí)間，因此可以用作高速開(kāi)關(guān)管。其次是控制方式不同。MOS管是電壓控制元件，而三級(jí)管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管;而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用三極管。接著是載流子種類數(shù)量不同。電力電子技術(shù)中提及的單極器件是指只靠一種載流子導(dǎo)電的器件，雙極器件9是指靠?jī)煞N載流子導(dǎo)電的器件。MOS管只應(yīng)用了一種多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以也稱為單極型器件;而三極管是既有多數(shù)載流子，也應(yīng)用少數(shù)載流子9導(dǎo)電;是為雙極型器件。第三是靈活性不同。有些MOS管的源極Q和漏極可以互換運(yùn)用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比三極管好。第四是集成能力不同。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上。 MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開(kāi)關(guān)損失。成都車規(guī)MOS管廠址

每一個(gè)MOS管都提供有三個(gè)電極:Gate柵極(表示為“G”)、Source源極(表示為“S”)、Drain漏極(表示為“D”)。接線時(shí)，對(duì)于N溝道的電源輸入為D，輸出為S;P溝道的電源輸入為S，輸出為D;且增強(qiáng)型、耗盡型的接法基本一樣。

N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，而P溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管輸出電流由輸入的電壓(或稱場(chǎng)電壓)控制，其輸入的電流極小或沒(méi)有電流輸入，使得該器件有很高的輸入阻抗，這也是MOS管被稱為場(chǎng)效應(yīng)管的重要原因。 云南MOS管經(jīng)銷商mos管柵極電阻選取方法。

MOS管有什么優(yōu)點(diǎn)：1)輸入阻抗高，驅(qū)動(dòng)功率?。嚎刂品绞綖殡妷嚎刂?，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對(duì)激勵(lì)信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動(dòng)，所以驅(qū)動(dòng)功率極小（靈敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動(dòng)集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動(dòng)是需要功率的（Vb×Ib）。

2）開(kāi)關(guān)速度快:MOSFET的開(kāi)關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開(kāi)關(guān)的速度變慢，但是在作為開(kāi)關(guān)運(yùn)用時(shí)，可降低驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)阻，加快開(kāi)關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動(dòng)，加快了容性的充放電的時(shí)間）。MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲(chǔ)存效應(yīng)，因而關(guān)斷過(guò)程非常迅速，開(kāi)關(guān)時(shí)間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲(chǔ)效應(yīng)，使開(kāi)關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開(kāi)關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開(kāi)關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對(duì)于普通的大功率晶體三極管來(lái)說(shuō)是難以想象的）。

作為一般的電器電視機(jī)維修人員在測(cè)量晶體三極管或二極管時(shí)，一般是采用普通的萬(wàn)用表來(lái)判斷三極管或者二極管的好壞，雖然對(duì)所判斷的三極管或二極管的電氣參數(shù)沒(méi)法確認(rèn)，但是只要方法正確對(duì)于確認(rèn)晶體三極管的“好”與“壞”還是沒(méi)有問(wèn)題的。同樣MOS管也可以應(yīng)用萬(wàn)用表來(lái)判斷其“好”與“壞”,從一般的維修來(lái)說(shuō)，也可以滿足需求了。檢測(cè)必須采用指針式萬(wàn)用表（數(shù)字表是不適宜測(cè)量半導(dǎo)體器件的）。對(duì)于功率型MOSFET開(kāi)關(guān)管都屬N溝道增強(qiáng)型，各生產(chǎn)廠的產(chǎn)品也幾乎都采用相同的TO-220F封裝形式（指用于開(kāi)關(guān)電源中的功率為50—200W的場(chǎng)效應(yīng)開(kāi)關(guān)管），其三個(gè)電極排列也一致，即將三只引腳向下，打印型號(hào)面向自巳，左側(cè)引腳為柵極，右測(cè)引腳為源極，中間引腳為漏極。 MOS管和晶體三極管相比的重要特性。

夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實(shí)際不是，因?yàn)楫?dāng)驅(qū)動(dòng)電壓小于MOS的導(dǎo)通門限時(shí)，MOS管是沒(méi)有形成導(dǎo)電溝道的。而書(shū)中對(duì)MOS管的夾斷也明確寫出MOS管出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象時(shí)，管子工作在恒流區(qū)。為更好地區(qū)分這兩種工作狀態(tài)，在圖2中，我把這一區(qū)域稱為截止區(qū)。

為什么預(yù)夾斷電壓是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因?yàn)閂th是MOS管的導(dǎo)通電壓，這意味著在這個(gè)電壓下，導(dǎo)電溝道剛剛形成。當(dāng)漏極電壓升高到VGD=Vth時(shí)，說(shuō)明導(dǎo)電溝道靠漏極一端的電壓降到了導(dǎo)通電壓，所以MOS管漏極出現(xiàn)夾斷。

夾斷時(shí)，MOS管為什么由電流通過(guò)？闕值漏極電流為什么由VGS確定？當(dāng)VDS大到一定程度，MOS管被完全夾斷，這其實(shí)是反型層的載流子在電場(chǎng)作用下迅速流動(dòng)的變現(xiàn)而非導(dǎo)電溝道消失。并且，VGS大小決定了反型層的厚度，即決定了載流子的多少。在這種情況下，VDS的越增加，導(dǎo)電溝道的夾斷區(qū)越長(zhǎng)，電阻越大，VDS主要用于克服導(dǎo)電溝道夾斷導(dǎo)致的電阻的上升對(duì)電流的影響，而VGS的增加則可拓寬導(dǎo)電溝道，所以此時(shí)的闕值漏極電流由VGS確定。 mos管也稱場(chǎng)效應(yīng)管，首先考察一個(gè)更簡(jiǎn)單的器件--MOS電容--能更好的理解MOS管。云南MOS管經(jīng)銷商

MOS驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)的幾個(gè)特別應(yīng)用解析及MOS管驅(qū)動(dòng)電流是怎么估算的呢？成都車規(guī)MOS管廠址

MOS管重要特性：2.損失特性不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，電流就會(huì)被電阻消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右，選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。MOS管在進(jìn)行導(dǎo)通和截止時(shí)，兩端的電壓有一個(gè)降落過(guò)程，流過(guò)的電流有一個(gè)上升的過(guò)程，在這段時(shí)間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開(kāi)關(guān)損失。通常開(kāi)關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開(kāi)關(guān)頻率越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積越大，構(gòu)成的損失也就越大?？s短開(kāi)關(guān)時(shí)間，可以減小每次導(dǎo)通時(shí)的損失;降低開(kāi)關(guān)頻率，可以減小單位時(shí)間內(nèi)的開(kāi)關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開(kāi)關(guān)損失。 成都車規(guī)MOS管廠址