MOS管的開通過程關(guān)于MOS管的開通過程，網(wǎng)絡(luò)上有許多文檔進(jìn)行分析，其來源應(yīng)為一篇帶感性負(fù)載的MOS管開通過程的分析，很多轉(zhuǎn)發(fā)該文章的網(wǎng)文卻常常忽略了這一點，把這個過程當(dāng)做了所有場景下MOS的開通過程。因此，在分析之前，先說明本文分析的前提：阻性負(fù)載下，VDS固定時，加驅(qū)動電壓VGS的情況下，MOS管的導(dǎo)通過程分析。

帶阻性負(fù)載的MOS管電路在GS、GD、DS之間都有寄生電容，在DS之間還有一個寄生二極管。在t0時刻，MOS管柵極加一驅(qū)動電壓VGS,其值為MOS管完全導(dǎo)通所需要的驅(qū)動電壓VGS(sat)后續(xù)，若負(fù)載繼續(xù)加重，使漏極電流繼續(xù)上升，則MOS管的電流將會飽和，MOS管進(jìn)入飽和區(qū)。 MOS管的漏極電流隨著柵極電壓的增加而增加。車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

夾斷區(qū)：當(dāng)VGSVGS-Vth(即VGD<Vth)時，MOS管進(jìn)入恒流區(qū)，在此工作區(qū)內(nèi)，VDS增大時，ID只是略微增大，因此可將ID看作是受VGS控制的電流源，當(dāng)MOS管做放大管使用時，工作在此區(qū)域可變電阻區(qū)：當(dāng)VDS<VGS-Vth(即VGD>Vth)時,MOS工作在可變電阻區(qū)，在此區(qū)域中，可通過改變VGS的大小來改變MOS的導(dǎo)通電阻大小關(guān)于MOS管的夾斷：當(dāng)VGS為一固定值時，若在DS之間加一正向電壓，增必將產(chǎn)生漏極電流，并且VDS的增大會使ID增大，溝道沿源漏方向變窄，并在VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)時，出現(xiàn)預(yù)夾斷，隨著VDS繼續(xù)增大，MOS將承擔(dān)管子的壓降，但漏極電流基本不變，管子進(jìn)入恒流區(qū)。 車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話MOS管的發(fā)展趨勢是向著更小、更快、更低功耗的方向發(fā)展。

MOS管重要特性：2.損失特性不管是NMOS還是PMOS，導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，電流就會被電阻消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾毫歐至幾十毫歐左右，選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會減小導(dǎo)通損耗。MOS管在進(jìn)行導(dǎo)通和截止時，兩端的電壓有一個降落過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內(nèi)，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，這稱之為開關(guān)損失。通常開關(guān)損失比導(dǎo)通損失大得多，而且開關(guān)頻率越快，損失也越大。導(dǎo)通瞬間電壓和電流的乘積越大，構(gòu)成的損失也就越大?？s短開關(guān)時間，可以減小每次導(dǎo)通時的損失;降低開關(guān)頻率，可以減小單位時間內(nèi)的開關(guān)次數(shù)。這兩種辦法都可以減小開關(guān)損失。

MOS管有什么優(yōu)點：1)輸入阻抗高，驅(qū)動功率?。嚎刂品绞綖殡妷嚎刂?，比較方便。由于柵源之間是二氧化硅（SiO2）絕緣層，柵源之間的直流電阻基本上就是SiO2絕緣電阻，一般達(dá)100MΩ左右，交流輸入阻抗基本上就是輸入電容的容抗。由于輸入阻抗高，對激勵信號不會產(chǎn)生壓降，有電壓就可以驅(qū)動，所以驅(qū)動功率極小（靈敏度高）。一般的晶體三極管必需有基極電壓Vb，再產(chǎn)生基極電流Ib，才能驅(qū)動集電極電流的產(chǎn)生。晶體三極管的驅(qū)動是需要功率的（Vb×Ib）。

2）開關(guān)速度快:MOSFET的開關(guān)速度和輸入的容性特性的有很大關(guān)系，由于輸入容性特性的存在，使開關(guān)的速度變慢，但是在作為開關(guān)運用時，可降低驅(qū)動電路內(nèi)阻，加快開關(guān)速度（輸入采用了后述的“灌流電路”驅(qū)動，加快了容性的充放電的時間）。MOSFET只靠多子導(dǎo)電，不存在少子儲存效應(yīng)，因而關(guān)斷過程非常迅速，開關(guān)時間在10—100ns之間，工作頻率可達(dá)100kHz以上，普通的晶體三極管由于少數(shù)載流子的存儲效應(yīng)，使開關(guān)總有滯后現(xiàn)象，影響開關(guān)速度的提高（目前采用MOS管的開關(guān)電源其工作頻率可以輕易的做到100K/S～150K/S,這對于普通的大功率晶體三極管來說是難以想象的）。 如何為MOS管選擇合適的驅(qū)動電路。

MOS管快速入門到精通

6.MOS管的開關(guān)條件N溝道—導(dǎo)通時Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時導(dǎo)通P溝道—導(dǎo)通時Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時導(dǎo)通總之，導(dǎo)通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|

7.相關(guān)概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；FETFieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管分為：結(jié)型場效應(yīng)（簡稱JFET）、絕緣柵場效應(yīng)（簡稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的?？偟膩碚f場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管，而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。

8.MOS管重要參數(shù)①封裝②類型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的闕值的電壓）④飽和電流Id⑤導(dǎo)通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th) MOS管的制造工藝包括沉積氧化物、蝕刻金屬、摻雜半導(dǎo)體等步驟。車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

mos管的三個極電壓關(guān)系。車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話

N溝道耗盡型場效應(yīng)管原理：N溝道耗盡型MOS管的結(jié)構(gòu)與增強(qiáng)型MOS管結(jié)構(gòu)類似，只有一點不同，就是N溝道耗盡型MOS管9在柵極電壓VGS=0時，溝道已經(jīng)存在。這是因為N溝道是在制造過程中采用離子注入。法預(yù)先在D、S之間襯底的表面、柵極下方的SiO2絕緣層中摻入了大量的金屬正離子，該溝道亦稱為初始溝道。當(dāng)VGS=0時，這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層，形成了溝道，所以只要有漏源電壓，就有漏極電流存在;當(dāng)VGS>0時，將使ID進(jìn)一步增加;VGS<0時，隨著VGS的減小，漏極電流逐漸減小，直至ID=0。對應(yīng)ID=0的VGS稱為夾斷電壓或閾值電壓，用符號VGS(off)或Up表示。由于耗盡型MOSFET在VGS=0時，漏源之間的溝道已經(jīng)存在，所以只要加上VDS，就有ID流通。如果增加正向柵壓VGSa，柵極與襯底之間的電場將使溝道中感應(yīng)更多的電子，溝道變厚，溝道的電導(dǎo)增大。 車規(guī)級MOS管購買聯(lián)系電話