MOS管快速入門到精通

6.MOS管的開關(guān)條件N溝道—導通時Ug>Us,Ugs>Ugs(th)時導通P溝道—導通時Ug<Us,Ugs<Ugs(th)時導通總之，導通條件：|Ugs|>|Ugs(th)|

7.相關(guān)概念BJTBipolarJunctionTransistor雙極性晶體管，BJT是電流控制器件；FETFieldEffectTransistor場效應晶體管，F(xiàn)ET是電壓控制器件.按結(jié)構(gòu)場效應管分為：結(jié)型場效應（簡稱JFET）、絕緣柵場效應（簡稱MOSFET）兩大類按溝道材料：結(jié)型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種.按導電方式：耗盡型與增強型，結(jié)型場效應管均為耗盡型，絕緣柵型場效應管既有耗盡型的，也有增強型的?？偟膩碚f場效應晶體管可分為結(jié)場效應晶體管和MOS場效應晶體管，而MOS場效應晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

8.MOS管重要參數(shù)①封裝②類型（NMOS、PMOS）③耐壓Vds（器件在斷開狀態(tài)下漏極和源極所能承受的闕值的電壓）④飽和電流Id⑤導通阻抗Rds⑥柵極閾值電壓Vgs(th) mos管柵極電阻選取方法。重慶車規(guī)級MOS管直銷

MOS管的驅(qū)動1、圖騰柱驅(qū)動。上圖是標準的圖騰柱驅(qū)動的電路圖，其實圖騰柱與推挽原理是一樣的，叫法不同而已。使用圖騰柱驅(qū)動的目的在于給MOS管提供足夠的灌電流和拉電流。2、柵極泄放電阻。在不使用圖騰柱驅(qū)動時，一般在柵極到地之間加泄放電阻，即上圖中的R3。由于柵源之間寄生電容的存在，當柵極的驅(qū)動電壓拉低時，MOS管并不會立即關(guān)斷，這個過程不僅影響了MOS的關(guān)斷速度，同時也增大了MOS的開關(guān)損耗。所以增加柵極泄放電阻用以減小寄生電容的影響。在使用圖騰柱驅(qū)動時，由于PNP管的存在，該電阻可以省略。3、當?shù)蛪簜?cè)驅(qū)動高壓側(cè)MOS管時，圖騰柱并不能實現(xiàn)功能，因此需要通過自舉電路來實現(xiàn)。仔細分析上圖，相當于采用兩級圖騰柱來驅(qū)動MOS管。R2、R3可以調(diào)整一級圖騰柱的開啟電壓；Q3、Q4作為第二級圖騰柱來驅(qū)動MOS管，為其提供足夠的電壓與電流；R5、R6、Q5形成負反饋，通過改變一級圖騰柱的開啟電壓，來對MOS管的柵極電壓進行控制，使其處于可控范圍內(nèi)，避免出現(xiàn)上一節(jié)所講的寬電壓應用環(huán)境下的情況。 重慶MOS管廠家地址mos管實物三個極怎么區(qū)分？

MOS管應用電壓的極性和我們普通的晶體三極管相同，N溝道的類似NPN晶體三極管，漏極D接正極，源極S接負極，柵極G正電壓時導電溝道建立，N溝道MOS管開始工作。同樣P道的類似PNP晶體三極管，漏極D接負極，源極S接正極，柵極G負電壓時，導電溝道建立，P溝道MOS管開始工作。MOS管和普通的晶體三極管相比，有以上四項優(yōu)點，就足以使MOS管在開關(guān)運用狀態(tài)下完全取代普通的晶體三極管。目前的技術(shù)MOS管道VDS能做到1000V，只能作為開關(guān)電源的開關(guān)管應用，隨著制造工藝的不斷進步，VDS的不斷提高，取代顯像管電視機的行輸出管也是近期能實現(xiàn)的。

P溝道增強型場效應管原理：P溝道增強型MOS管9因在N型襯底中生成P型反型層而得名，其通過光刻、擴散的方法或其他手段，在N型襯底(基片)上制作出兩個摻雜的P區(qū)，分別引出電極(源極S和漏極D)，同時在漏極與源極之間的SiO2絕緣層上制作金屬柵極GQ。其結(jié)構(gòu)和工作原理與N溝道MOS管類似;只是使用的柵-源和漏-源電壓極性與N溝道MOS管相反。在正常工作時，P溝道增強型MOS管的襯底必須與源極相連，而漏極對源極的電壓VDS應為負值，以保證兩個P區(qū)與襯底之間的PN結(jié)均為反偏，同時為了在襯底頂表面附近形成導電溝道，柵極對源極的電壓也應為負。 MOS管這一半導體基礎元器件的工作原理和應用。

夾斷區(qū)和MOS管的夾斷是一回事嗎？實際不是，因為當驅(qū)動電壓小于MOS的導通門限時，MOS管是沒有形成導電溝道的。而書中對MOS管的夾斷也明確寫出MOS管出現(xiàn)夾斷現(xiàn)象時，管子工作在恒流區(qū)。為更好地區(qū)分這兩種工作狀態(tài)，在圖2中，我把這一區(qū)域稱為截止區(qū)。

為什么預夾斷電壓是VDS=VGS-Vth(即VGD=Vth)？因為Vth是MOS管的導通電壓，這意味著在這個電壓下，導電溝道剛剛形成。當漏極電壓升高到VGD=Vth時，說明導電溝道靠漏極一端的電壓降到了導通電壓，所以MOS管漏極出現(xiàn)夾斷。

夾斷時，MOS管為什么由電流通過？闕值漏極電流為什么由VGS確定？當VDS大到一定程度，MOS管被完全夾斷，這其實是反型層的載流子在電場作用下迅速流動的變現(xiàn)而非導電溝道消失。并且，VGS大小決定了反型層的厚度，即決定了載流子的多少。在這種情況下，VDS的越增加，導電溝道的夾斷區(qū)越長，電阻越大，VDS主要用于克服導電溝道夾斷導致的電阻的上升對電流的影響，而VGS的增加則可拓寬導電溝道，所以此時的闕值漏極電流由VGS確定。 mos管要怎么測試好壞？重慶車規(guī)級MOS管低價直銷

MOS的基礎用法，它大量的被應用在一些開關(guān)電源的電路上。重慶車規(guī)級MOS管直銷

無二次擊穿；由于普通的功率晶體三極管具有當溫度上升就會導致集電極電流上升（正的溫度～電流特性）的現(xiàn)象，而集電極電流的上升又會導致溫度進一步的上升，溫度進一步的上升，更進一步的導致集電極電流的上升這一惡性循環(huán)。而晶體三極管的耐壓VCEO隨管溫度升高是逐步下降，這就形成了管溫繼續(xù)上升、耐壓繼續(xù)下降會導致晶體三極管的擊穿，這是一種導致電視機開關(guān)電源管和行輸出管損壞率占95%的破環(huán)性的熱電擊穿現(xiàn)象，也稱為二次擊穿現(xiàn)象。MOS管具有和普通晶體三極管相反的溫度～電流特性，即當管溫度（或環(huán)境溫度）上升時，溝道電流IDS反而下降。例如；一只IDS=10A的MOSFET開關(guān)管，當VGS控制電壓不變時，在250C溫度下IDS=3A，當芯片溫度升高為1000C時，IDS降低到2A，這種因溫度上升而導致溝道電流IDS下降的負溫度電流特性，使之不會產(chǎn)生惡性循環(huán)而熱擊穿。也就是MOS管沒有二次擊穿現(xiàn)象，可見采用MOS管作為開關(guān)管，其開關(guān)管的損壞率大幅度的降低，近兩年電視機開關(guān)電源采用MOS管代替過去的普通晶體三極管后，開關(guān)管損壞率大幅度降低也是一個極好的證明。 重慶車規(guī)級MOS管直銷