4，反向漏電是指二極管反向偏置時，流過處于反向工作的二極管PN結(jié)的微小電流，反向漏電流越小，二極管的單方向?qū)щ娦阅茉胶?，在電路中，發(fā)光二極管通常都工作在正向偏置狀態(tài)下，漏電流參數(shù)沒有什么影響。但對作為整流管二極管的1N4007來說，由于其經(jīng)常會處在反向偏置狀態(tài)，所以反向漏電流的參數(shù)對其很重要。反向漏電流還與溫度有著密切的關(guān)系，溫度每升高10℃，反向屯流大約增大一倍；5，較大反向峰值電流是指二極管在較高反向工作電壓下允許流過的反向電流，這個電流值越小，表明二極管質(zhì)量越好。二極管IN5399為高反壓整流二極管，可直接代換的整流二極管有RL157、IN5408，也可以用2只常見的IN4007并聯(lián)代換。深圳市凱軒業(yè)電子專業(yè)設(shè)計控制芯片，歡迎咨詢來電。安徽自動化通用二極管

13、江崎二極管 （Tunnel Diode）它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極管。其基底材料是砷化鎵和鍺。其 P 型區(qū)的 N 型區(qū)是高摻雜的（即高濃度雜質(zhì)的）。隧道電流由這些簡并態(tài)半導體的量子力學效應所產(chǎn)生的。如發(fā)生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位于導帶和滿帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01 微米以下）；簡并半導體 P 型區(qū)和 N 型區(qū)中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標“P”表示“峰”；而下標“V”表示“谷”。江崎二極管可以被應用于低噪聲高頻放大器及高頻振蕩器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用于高速開關(guān)電路中。安徽自動化通用二極管深圳市凱軒業(yè)科技廠家直銷，原裝控制芯片。

16、阻尼二極管具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極管，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。17、瞬變電壓抑制二極管TVP 管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。18、雙基極二極管（單結(jié)晶體管）兩個基極，一個發(fā)射極的三端負阻器件，用于張馳振蕩電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調(diào)、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。19、發(fā)光二極管用磷化鎵、磷砷化鎵材料制成，體積小，正向驅(qū)動發(fā)光。工作電壓低，工作電流小，發(fā)光均勻、壽命長、可發(fā)紅、黃、綠單色光。

根據(jù)特性分類點接觸型二極管，按正向和反向特性分類如下。1、一般用點接觸型二極管這種二極管正如標題所說的那樣，通常被使用于檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產(chǎn)品。如：SD34、SD46、1N34A 等等屬于這一類。2、高反向耐壓點接觸型二極管是較大峰值反向電壓和較大直流反向電壓很高的產(chǎn)品。使用于高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極管一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極管中，有 SD38、1N38A、OA81 等等。這種鍺材料二極管，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。線性穩(wěn)壓直流電源的特點是：輸出電壓比輸入電壓低；反應速度快，輸出紋波較小，凱軒業(yè)電子。

11、PIN 型二極管（PIN Diode）這是在 P 區(qū)和 N 區(qū)之間夾一層本征半導體（或低濃度雜質(zhì)的半導體）構(gòu)造的晶體二極管。PIN 中的 I 是“本征”意義的英文略語。當其工作頻率超過 100MHz 時，由于少數(shù)載流子的存貯效應和“本征”層中的渡越時間效應，其二極管失去整流作用而變成阻抗元件，并且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，“本征”區(qū)的阻抗很高；在直流正向偏置時，由于載流子注入“本征”區(qū)，而使“本征”區(qū)呈現(xiàn)出低阻抗狀態(tài)。因此，可以把 PIN 二極管作為可變阻抗元件使用。它常被應用于高頻開關(guān)（即微波開關(guān)）、移相、調(diào)制、限幅等電路中。 廠家直銷，價格優(yōu)勢，專業(yè)設(shè)計，深圳市凱軒業(yè)電子科技有限公司，歡迎來電。哪里有通用二極管平臺

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大體意義上講，PN結(jié)的定義為：采用不同的摻雜工藝，通過擴散作用，將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體基片上，一般半導體的材料選擇為硅或者鍺，在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。具體介紹PN結(jié)的形成大體分為三步，首先擴散運動，P區(qū)的空穴濃度遠大于N區(qū)的自由電子濃度，因此，P區(qū)的空穴必然向N區(qū)擴散，并與N區(qū)中的自由電子復合而消失；同樣，N區(qū)的自由電子必然向P區(qū)漂移，并與P區(qū)中的空穴復合而消失。其次是空間電荷區(qū)的產(chǎn)生，擴散運動導致了P區(qū)一側(cè)失去空穴而留下負離子，N區(qū)一側(cè)失去電子而留下正離子，這些不能移動的帶電離子稱為空間電荷，相應地這個區(qū)域稱為空間電荷區(qū)，較后由于有正離子和負離子，這樣在空間電荷區(qū)內(nèi)就會產(chǎn)生一個內(nèi)電場，內(nèi)電場的產(chǎn)生讓多子的擴散和少子的漂移達到了一個動態(tài)平衡，較后形成了PN結(jié)。安徽自動化通用二極管