HJT電池是一種新型的太陽能電池，其結構主要由三個部分組成：n型硅層、p型硅層和中間的薄膜層。n型硅層和p型硅層分別具有不同的電子摻雜濃度，形成了p-n結。當太陽光照射到電池表面時，光子會被吸收并激發(fā)出電子和空穴，電子和空穴會在p-n結處分離，形成電流。中間的薄膜層是由氫化非晶硅和微晶硅混合而成，其主要作用是增加電池的光吸收能力和電子傳輸效率。薄膜層的厚度通常在幾十納米到幾百納米之間。HJT電池的結構與傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池相似，但其采用了更高效的電子傳輸方式和更高的光吸收能力，因此具有更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的成本。釜川 HJT 助力，光伏產(chǎn)業(yè)活力滿滿，能源未來可期。深圳光伏HJT電池板塊

HJT異質(zhì)結（HeterojunctionwithIntrinsicThin-layer，HJT）電池為對稱的雙面結構，主要由N型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層（包括N型非晶硅薄膜n-a-Si:H、本征非晶硅薄膜i-a-Si:H和P型非晶硅薄膜p-a-Si:H）、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO)層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT是很有潛力優(yōu)勢的技術，在將來HJT電池與鈣鈦礦技術進行復合疊層，突破轉(zhuǎn)換效率30%成為可能。太陽能HJT設備供應商工業(yè)空調(diào)配備自動校準溫度傳感器。

高效率：異質(zhì)結結構和 n 型硅片的結合，使其轉(zhuǎn)換效率明顯高于傳統(tǒng) PERC 電池，接近理論極限，是當前量產(chǎn)效率比較高的晶硅電池技術之一。低光衰：n 型硅片幾乎無 “光致衰減”（LID）現(xiàn)象，長期發(fā)電穩(wěn)定性更優(yōu)，電站 25 年周期內(nèi)的發(fā)電量比 PERC 高 5%-10%。溫度特性好：溫度系數(shù)更低，在高溫環(huán)境（如熱帶地區(qū)）下，發(fā)電效率衰減更少，更適合高日照地區(qū)。雙面發(fā)電能力強：背面光吸收效率高，搭配雙面組件時，可利用地面反射光發(fā)電，發(fā)電量提升 10%-20%。工藝兼容性好：生產(chǎn)流程相對簡化（只需 4-5 道關鍵工序，PERC 需 9 道以上），且可與 TOPCon、IBC 等技術兼容，便于后續(xù)升級。

HJT電池為對稱的雙面結構，主要由N型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO)層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N型摻雜非晶硅層起到背場作用。HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝簡單并且降本路線清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術。HJT電池為對稱的雙面結構，主要由N型單晶硅片襯底、正面和背面的本征/摻雜非晶硅薄膜層、雙面的透明導電氧化薄膜(TCO)層和金屬電極構成。其中，本征非晶硅層起到表面鈍化作用，P型摻雜非晶硅層為發(fā)射層，N型摻雜非晶硅層起到背場作用。釜川智能與高校合作，持續(xù)優(yōu)化HJT工藝參數(shù)。

HJT電池具備光電轉(zhuǎn)化效率提升潛力高、更大的降成本空間、更高的雙面率、可有效降低熱損失、更低的光致衰減、制備工藝簡單等特點，為光伏領域帶來了新的希望。釜川（無錫）智能科技有限公司，以半導體生產(chǎn)設備、太陽能電池生產(chǎn)設備為主要產(chǎn)品，打造光伏設備一體化服務。擁有強大的科研團隊，憑借技術競爭力，在清洗制絨設備、PECVD設備、PVD設備、電鍍銅設備等方面都有獨特優(yōu)勢；以高效加工制造、快速終端交付的能力，為客戶提供整線工藝設備的交付服務。低溫制程工藝減少熱損傷，HJT電池片彎折度更低，可靠性更高。北京高效HJT制絨設備

釜川 HJT 運作，光伏系統(tǒng)更高效，能源供應更可靠。深圳光伏HJT電池板塊

HJT電池整線技術路線工藝1.清洗制絨。通過腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進行制絨，以形成絨面結構達到陷光效果，減少反射損失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作為鈍化層，然后再沉積摻雜層；3.正面/背面TCO沉積。通過PVD在鈍化層上面進行TCO薄膜沉積；4.柵線電極。通過絲網(wǎng)印刷進行柵線電極制作；5.烘烤(退火)。通過絲網(wǎng)印刷進行正面柵線電極制作，然后通過低溫燒結形成良好的接觸；6.光注入。7.電池測試及分選。深圳光伏HJT電池板塊